Sustrato de GaN independiente tipo N
Ganwafer has established a series manufacturing technology for GaN substrates of various orientations, crystalline GaN Wafer and electrical conductivity and related III-N materials. More specifications of N-type GaN substrate please see below:
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Descripción
1. Especificación del sustrato independiente de GaN tipo N
1.1 Sustrato independiente de GaN dopado tipo N de 4″
| Artículo | GANW-FS-GaN100-N+ |
| Tipo de conducción | Tipo N / Si dopado |
| Tamaño | 4 ″ (100) +/- 1 mm |
| Espesor | 480 +/- 50 |
| Orientación | Eje C (0001) +/- 0,5 ° |
| Localización plana primaria | (10-10)+/-0,5° |
| Longitud plana primaria | 32 +/- 1 mm |
| Ubicación secundaria plana | (1-210)+/-3° |
| Secundaria plana Longitud | 16 +/- 1mm |
| Resistividad (300K) | <0.05Ω · cm |
| densidad de dislocaciones | <5 × 10 ^ 6 cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.seg |
| TTV | <= 30um |
| ARCO | <= + / - 30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido |
| - | Superficie posterior: 1. Rectificado fino |
| - | 2. Pulido |
| Superficie útil | ≥ 90% |
1.2 4″ Low Doped GaN, N Type
| Artículo | GANW-FS-GaN100-N- |
| Tipo de conducción | N type/low doped |
| Tamaño | 4 ″ (100) +/- 1 mm |
| Espesor | 480 +/- 50 |
| Orientación | Eje C (0001) +/- 0,5 ° |
| Localización plana primaria | (10-10)+/-0,5° |
| Longitud plana primaria | 32 +/- 1 mm |
| Ubicación secundaria plana | (1-210)+/-3° |
| Secundaria plana Longitud | 16 +/- 1mm |
| Resistividad (300K) | <0.5Ω · cm |
| densidad de dislocaciones | <5 × 10 ^ 6 cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.seg |
| TTV | <= 30um |
| ARCO | <= + / - 30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido |
| - | Superficie posterior: 1. Rectificado fino |
| - | 2. Pulido |
| Superficie útil | ≥ 90% |
Película de GaN dopada con Si de 1.3 2″
| Artículo | GANW-FS-GaN50-N+ |
| Tipo de conducción | Tipo N / Si dopado |
| Tamaño | 2 "(50.8) +/- 1mm |
| Espesor | 400 +/- 50 |
| Orientación | Eje C (0001) +/- 0,5 ° |
| Localización plana primaria | (10-10)+/-0,5° |
| Longitud plana primaria | 16 +/- 1mm |
| Ubicación secundaria plana | (1-210)+/-3° |
| Secundaria plana Longitud | 8 +/- 1mm |
| Resistividad (300K) | <0.05Ω · cm |
| densidad de dislocaciones | <5 × 10 ^ 6 cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.seg |
| TTV | <= 15 uM |
| ARCO | <= + / - 20um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra<=0.3nm. Epi-ready pulido |
| - | Superficie posterior: 1. Rectificado fino |
| - | 2. Pulido |
| Superficie útil | ≥ 90% |
1.4 2″ Low Doped N Type GaN Thin Film
| Artículo | GANW-FS-GaN50-N- |
| Tipo de conducción | N type/low doped |
| Tamaño | 2 "(50.8) +/- 1mm |
| Espesor | 400 +/- 50 |
| Orientación | Eje C (0001) +/- 0,5 ° |
| Localización plana primaria | (10-10)+/-0,5° |
| Longitud plana primaria | 16 +/- 1mm |
| Ubicación secundaria plana | (1-210)+/-3° |
| Secundaria plana Longitud | 8 +/- 1mm |
| Resistividad (300K) | <0.5Ω · cm |
| densidad de dislocaciones | <5 × 10 ^ 6 cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.seg |
| TTV | <= 15 uM |
| ARCO | <= + / - 20um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra<=0.3nm. Epi-ready pulido |
| - | Superficie posterior: 1. Rectificado fino |
| - | 2. Pulido |
| Superficie útil | ≥ 90% |
2. Aplicación de sustrato GaN
En la actualidad, la aplicación de GaN todavía está dominada por los militares, y gradualmente ha comenzado a moverse hacia campos comerciales, como vehículos no tripulados, estaciones base de comunicación inalámbrica, etc. Y existen amplias perspectivas de aplicación en LED de luz blanca, corto láseres de longitud de onda, detectores ultravioleta y dispositivos de alta potencia y alta temperatura. La mayor aplicación de sustratos de GaN (como película delgada de GaN semiaislante / tipo P / tipo N) pertenece actualmente a los láseres, que se utilizan principalmente en la producción de diodos de láser azul. Estos productos se han utilizado como componentes clave en discos Blu-ray y HD-DVD. Además, estos láseres fabricados sobre sustrato de GaN con contacto óhmico también son muy adecuados para pantallas de proyección, impresión de alta precisión y campos de detección óptica.
Además, existe un mercado potencial de obleas de GaN en detectores ópticos, que incluyen principalmente detección de llama, monitoreo de ozono, monitoreo de contaminación, análisis de sangre, monitoreo de desinfección con lámpara de mercurio, detectores láser y otras aplicaciones que requieren características de zona ciega solar.
Es previsible que con la madurez gradual de la tecnología de sustratos de GaN, se espera que los sustratos de GaN de alta calidad y bajo costo se utilicen ampliamente en los campos de dispositivos microelectrónicos semiconductores y dispositivos optoelectrónicos.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
