Sustrato de GaN independiente tipo N

Descripción

1. Especificación del sustrato independiente de GaN tipo N

1.1 Sustrato independiente de GaN dopado tipo N de 4″

1.2 4″ GaN sin dopar, tipo N

Película de GaN dopada con Si de 1.3 2″

Película delgada de GaN tipo N sin dopar de 1.4 2″

2. Aplicación de sustrato GaN

En la actualidad, la aplicación de GaN todavía está dominada por los militares, y gradualmente ha comenzado a moverse hacia campos comerciales, como vehículos no tripulados, estaciones base de comunicación inalámbrica, etc. Y existen amplias perspectivas de aplicación en LED de luz blanca, corto láseres de longitud de onda, detectores ultravioleta y dispositivos de alta potencia y alta temperatura. La mayor aplicación de sustratos de GaN (como película delgada de GaN semiaislante / tipo P / tipo N) pertenece actualmente a los láseres, que se utilizan principalmente en la producción de diodos de láser azul. Estos productos se han utilizado como componentes clave en discos Blu-ray y HD-DVD. Además, estos láseres fabricados sobre sustrato de GaN con contacto óhmico también son muy adecuados para pantallas de proyección, impresión de alta precisión y campos de detección óptica.

Además, existe un mercado potencial de obleas de GaN en detectores ópticos, que incluyen principalmente detección de llama, monitoreo de ozono, monitoreo de contaminación, análisis de sangre, monitoreo de desinfección con lámpara de mercurio, detectores láser y otras aplicaciones que requieren características de zona ciega solar.

Es previsible que con la madurez gradual de la tecnología de sustratos de GaN, se espera que los sustratos de GaN de alta calidad y bajo costo se utilicen ampliamente en los campos de dispositivos microelectrónicos semiconductores y dispositivos optoelectrónicos.