M Muka Substrat GaN Berdiri Bebas

Substrat GaN Berdiri Bebas M Muka

PAM-XIAMEN menawarkan M Plane GaN Freestanding Substrat termasuk Si doped, undoped dan separa penebat. Spesifikasi terperinci substrat kristal tunggal GaN m-satah adalah seperti di bawah:

Penerangan

1. Substrat GaN Satah M Pukal yang didop

Perkara PAM-FS-GAN MN
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi Satah M (1-100) luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5°
M satah (1-100) luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran N-jenis
Kerintangan (300K) < 0.05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 105kepada 5 x 106cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 sm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

2. Substrat GaN Berdiri Bebas M-Face yang tidak didop

Perkara PAM-FS-GAN MU
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi Satah M (1-100) luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5°
M satah (1-100) luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran N-jenis
Kerintangan (300K) < 0.1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 105kepada 5 x 106cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 sm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

3. Substrat GaN Berdiri Bebas Separa penebat Satah M

Perkara PAM-FS-GAN M-SI
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi Satah M (1-100) luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5°
M satah (1-100) luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran Separa Penebat
Kerintangan (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 105 kepada 5 x 106cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 sm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout