Epi LED pada Sapphire

Epi LED pada Sapphire

Wafer epitaksi LED GaN ditawarkan oleh LED Epi on Sapphire Manufacturer – PAM-XIAMEN untuk aplikasi LED dan diod laser (LD), seperti untuk penyelidikan LED mikro atau LED UV. Wafer epitaksi untuk LED adalah oleh MOCVD dengan PSS atau nilam rata untuk lampu belakang LCD, mudah alih, elektronik atau UV(ultraungu), dengan pelepasan biru atau hijau atau merah, termasuk kawasan aktif InGaN/GaN dan lapisan AlGaN dengan perigi GaN/penghalang AlGaN untuk saiz cip yang berbeza.

Penerangan

GaN pada Al2O3 – Spesifikasi wafer epi 2” (wafer Epitaxial LED):

UV: 365+/-5nm

UV: 405+/-5nm

Putih: 445-460nm

Biru: 465-475nm

Hijau: 510-530nm

1. Epi LED Biru atau Hijau pada Wafer Nilam

1.1 Struktur Eipitaxy LED Mikro pada Wafer Nilam

lapisan struktur Ketebalan (mikron)
p-Gan 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / Gan (kawasan aktif) 0.2
n-Gan 2.5
u-GaN 3.5
Al2O3 (substrat)

 

1.2 Spesifikasi Wafer Epi LED Biru atau Hijau pada Substrat Nilam

Perkara Keperluan julat
Teknologi Pertumbuhan MOCVD
Diameter Wafer 2″ atau 4″(ambil 4″contoh di bawah)
Bahan substrat wafer Substrat Nilam Rata atau Substrat Nilam Bercorak
Diameter substrat 100mm +/-0.25mm
Ketebalan substrat 650um +/-25um
c-plane(0001), sudut offcut ke arah m-plane 0.2 darjah +/-0.1 darjah
panjang rata primer tunggal 30mm +/-1mm
Orientasi rata sebuah kapal terbang
Panjang gelombang pelepasan PL 450-460nm(biru)
520-530nm(Hijau)
PL panjang gelombang FWHM 17-18(biru)
30-35(Hijau)
Keluk goyang XRD (002) =<200 +/-20
Keluk goyang XRD (102) =<200 +/-20
Permukaan sisi hadapan ,AFM(5*5 um2) Ra <0.5nm
wafer tunduk <45 +/-10
Jumlah ketebalan LED 5.5um +/-0.2um
Variasi ketebalan total 3%
Ketumpatan kecacatan (makroskopik) <5E8/cm-2

 

1.3 Data Ujian Epitaksi LED

002 102 In_comp InGaN_THK GaN_THK Pair_THK
178.6 193.2 9.48 41.7 82.5 124.2

 

WLP_Purata WLP_Std PI_Purata PI_Std WLD_Purata WLD_Std INT_Purata INT_Std
448.34 3.729 1.673 0.494 454.999 2.747 117.883 0.167

 

HW_Purata HW_Std TH_Purata TH_Std PR_Purata PR_Std LOP_Purata LOP_Std
16.387 6.1 0.092 290.56 7.176 136.312 0.874 2060

 

2. Epi LED UV pada Nilam

Struktur wafer, 365nm atau 405nm:

P-AlGaN

AlGaN EBL

MOW AlGaN/InGaN

N-SLS

N-AlGaN

AlGaN yang dibatalkan

Sapphire substrat

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout