Epi LED pada Sapphire
GaN LED epitaxy wafer is offered by LED Epi on Sapphire Manufacturer – Ganwafer for LED and laser diodes (LD) application, such as for micro LED or UV LED researches. Epitaxy wafer for LED is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
GaN pada Al2O3 – Spesifikasi wafer epi 2” (wafer Epitaxial LED):
UV: 365+/-5nm
UV: 405+/-5nm
Putih: 445-460nm
Biru: 465-475nm
Hijau: 510-530nm
1. Epi LED Biru atau Hijau pada Wafer Nilam
1.1 Struktur Eipitaxy LED Mikro pada Wafer Nilam
| lapisan struktur | Ketebalan (mikron) |
| p-Gan | 0.2 |
| p-AlGaN | 0.03 |
| InGaN / Gan (kawasan aktif) | 0.2 |
| n-Gan | 2.5 |
| u-GaN | 3.5 |
| Al2O3 (substrat) |
1.2 Spesifikasi Wafer Epi LED Biru atau Hijau pada Substrat Nilam
| Perkara | Keperluan | julat |
| Teknologi Pertumbuhan | MOCVD | |
| Diameter Wafer | 2″ atau 4″(ambil 4″contoh di bawah) | |
| Bahan substrat wafer | Substrat Nilam Rata atau Substrat Nilam Bercorak | |
| Diameter substrat | 100mm | +/-0.25mm |
| Ketebalan substrat | 650um | +/-25um |
| c-plane(0001), sudut offcut ke arah m-plane | 0.2 darjah | +/-0.1 darjah |
| panjang rata primer tunggal | 30mm | +/-1mm |
| Orientasi rata | sebuah kapal terbang | |
| Panjang gelombang pelepasan PL | 450-460nm(biru) | |
| 520-530nm(Hijau) | ||
| PL panjang gelombang FWHM | 17-18(biru) | |
| 30-35(Hijau) | ||
| Keluk goyang XRD (002) | =<200 | +/-20 |
| Keluk goyang XRD (102) | =<200 | +/-20 |
| Permukaan sisi hadapan ,AFM(5*5 um2) Ra | <0.5nm | |
| wafer tunduk | <45 | +/-10 |
| Jumlah ketebalan LED | 5.5um | +/-0.2um |
| Variasi ketebalan total | 3% | |
| Ketumpatan kecacatan (makroskopik) | <5E8/cm-2 |
1.3 Data Ujian Epitaksi LED
| 002 | 102 | In_comp | InGaN_THK | GaN_THK | Pair_THK |
| 178.6 | 193.2 | 9.48 | 41.7 | 82.5 | 124.2 |
| WLP_Purata | WLP_Std | PI_Purata | PI_Std | WLD_Purata | WLD_Std | INT_Purata | INT_Std |
| 448.34 | 3.729 | 1.673 | 0.494 | 454.999 | 2.747 | 117.883 | 0.167 |
| HW_Purata | HW_Std | TH_Purata | TH_Std | PR_Purata | PR_Std | LOP_Purata | LOP_Std |
| 16.387 | 6.1 | 0.092 | 290.56 | 7.176 | 136.312 | 0.874 | 2060 |
2. Epi LED UV pada Nilam
Struktur wafer, 365nm atau 405nm:
P-AlGaN
AlGaN EBL
MOW AlGaN/InGaN
N-SLS
N-AlGaN
AlGaN yang dibatalkan
Sapphire substrat
Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023 dan seterusnya, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman anda!
