Obličejový volně stojící substrát GaN

Obličejový volně stojící substrát GaN

We offer a-plane Freestanding GaN Substrate including Si-doped, low doped and semi-insulating one. For Freestanding GaN, we have a history to control macro defects. Before 2000, we have dedicated research of GaN material. In 2007, we offer FS GaN on small quantity. In 2009, we offer FS GaN substrate on mass production, and we grade macro defects density: B grade: (5-10) cm-2nebo třída A <5 cm-2. V roce 2011 máme velké zlepšení: u velkých rozměrů (2”) je můžeme kontrolovat s makro defekty (0-2) cm-2. Specifikace substrátu GaN v rovině a (11-20) je následující:

Popis

1. Si-dopovaný A Face GaN krystalový substrát

Položka GANW-FS-GAN A-N
Dimenze 5 x 10 mm2
Tloušťka 350 ± 25 um 430 ± 25 um
Orientace Úhel roviny (11-20) směrem k ose M 0 ±0,5°
Úhel roviny (11-20) směrem k ose C -1 ±0,2°
vedení Type Typu N
Odpor (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 um
LUK -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Drsnost povrchu: Přední strana: Ra<0,2nm, epi-ready;
Zadní strana: jemně broušená nebo leštěná.
dislokace Hustota Od 1 x 105 až 5 x 106 cm-2
Makro hustota defektů 0 cm-2
Užitná plocha > 90 % (vyloučení hran)
Balíček každý v samostatné waferové nádobě, pod dusíkovou atmosférou, zabalený v čistém prostoru třídy 100

 

2. Low Doped Freestanding A Plane GaN Substrate

Položka GANW-FS-GAN A-U
Dimenze 5 x 10 mm2
Tloušťka 350 ± 25 um 430 ± 25 um
Orientace Úhel roviny (11-20) směrem k ose M 0 ±0,5°
Úhel roviny (11-20) směrem k ose C -1 ±0,2°
vedení Type Typu N
Odpor (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 um
LUK -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Drsnost povrchu: Přední strana: Ra<0,2nm, epi-ready;
Zadní strana: jemně broušená nebo leštěná.
dislokace Hustota Od 1 x 105 až 5 x 106 cm-2
Makro hustota defektů 0 cm-2
Užitná plocha > 90 % (vyloučení hran)
Balíček každý v samostatné waferové nádobě, pod dusíkovou atmosférou, zabalený v čistém prostoru třídy 100

 

3. Volně stojící poloizolační substrát GaN A-Plane

Položka GANW-FS-GAN A-SI
Dimenze 5 x 10 mm2
Tloušťka 350 ± 25 um 430 ± 25 um
Orientace Úhel roviny (11-20) směrem k ose M 0 ±0,5°
Úhel roviny (11-20) směrem k ose C -1 ±0,2°
vedení Type Poloizolační
Odpor (300K) > 10 6Ω·cm
TTV ≤ 10 um
LUK -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Drsnost povrchu: Přední strana: Ra<0,2nm, epi-ready;
Zadní strana: jemně broušená nebo leštěná.
dislokace Hustota Od 1 x 105 až 5 x 106 cm-2
Makro hustota defektů 0 cm-2
Užitná plocha > 90 % (vyloučení hran)
Balíček každý v samostatné waferové nádobě, pod dusíkovou atmosférou, zabalený v čistém prostoru třídy 100

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!

    bylo přidáno do vašeho košíku:
    Pokladna