GaN auf SiC-HEMT-Wafer
Ganwafer offers GaN on SiC (Silicon Carbide) HEMT Wafer and GaN on SiC epitaxy template.
Da die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid viel höher ist als die von GaN, Si und Saphir, ist die Gitterfehlanpassung zwischen SiC und GaN sehr gering. Ein SiC-Substrat kann die Wärmeableitungseigenschaften verbessern und die Sperrschichttemperatur der Vorrichtung verringern. Die Benetzbarkeit von GaN und SiC ist jedoch schlecht, so dass es schwierig ist, ein glattes GaN-Epitaxiewachstum auf einem SiC-Substrat zu erzielen. Die Migrationsaktivität von AlN auf SiC-Matrix ist gering und die Benetzbarkeit mit SiC-Matrix ist gut. Daher wird AlN üblicherweise als Keimbildungsschicht von GaN auf einem SiC-Wafer verwendet, um die GaN-Kristallqualität durch Optimieren der Wachstumsbedingungen der AlN-Keimbildungsschicht zu verbessern. Aufgrund der geringen Gitterfehlanpassung ist die Qualität von GaN auf Siliziumkarbidsubstrat besser als die auf Si- und Saphirsubstrat, sobald die Benetzungsschicht- und Rissprobleme durch unsere GaN-auf-SiC-Prozesstechnologie gelöst sind. Daher ist die Transportleistung der GaN-Heterostruktur 2DEG auf einem SiC-Substrat besser.
GaN-on-SiC-HEMT-Waferspezifikation:
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
1. AlGaN/GaN-on-SiC-HEMT-Wafer für HF-Anwendung
Wafergröße | 2", 3", 4", 6" |
AlGaN/GaN-HEMT-Struktur | Siehe 1.2 |
Trägerdichte | 6E12~2E13 cm2 |
Hallenmobilität | 1300~2200 cm2v-1s-1 |
XRD(102)FWHM | <300 Bogensekunden |
XRD(002)FWHM | <260 arc.sec |
Blattwiderstand | 200~450 Ohm/sq |
AFM RMS (nm) von 5x5um2 | <0,25 nm |
Schleife (ähm) | <=35um |
Kantenausschluss | <2mm |
SiN-Passivierungsschicht | 0~30nm |
GaN-Deckschicht | 2nm |
Al-Zusammensetzung | 20-30% |
In Komposition | 17 % für InAlN |
AlGaN | / |
AlN-Zwischenschicht | / |
GaN-Kanal | / |
Fe-dotierter GaN-Puffer | 1,6 um |
AlN-Pufferschicht | / |
Substratmaterial | SiC-Substrat |
2. Spezifikation von GaN auf SiC-Template
2″ oder 4″ GaN auf 4H oder 6H SiC Substrat
1) Undotierter GaN-Puffer oder AlN-Puffer sind verfügbar; | ||||
2) n-Typ (Si-dotiert oder undotiert), p-Typ oder halbisolierende GaN-Epitaxieschichten verfügbar; | ||||
3) Vertikale leitfähige Strukturen auf n-leitendem oder halbisolierendem SiC; | ||||
4) AlGaN – 20–60 nm dick, (20 %–30 % Al), Si-dotierter Puffer; | ||||
5) GaN-Schicht vom n-Typ auf 350 µm +/- 25 µm dickem 2-Zoll- oder 4-Zoll-Wafer. | ||||
6) Einseitig oder doppelseitig poliert, Epi-bereit, Ra<0.5um | ||||
7) Typischer Wert auf XRD: | ||||
Wafer-ID | Substrat ID | XRD (102) | XRD (002) | Dicke |
#2153 | X-70105033 (mit AlN) | 298 | 167 | 679 um |
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!