GaN em SiC HEMT Wafer

GaN em SiC HEMT Wafer

Ganwafer offers GaN on SiC (Silicon Carbide) HEMT Wafer and GaN on SiC epitaxy template.

Como a condutividade térmica do carboneto de silício é muito maior do que a de GaN, Si e safira, a incompatibilidade de rede entre SiC e GaN é muito pequena. O substrato SiC pode melhorar as características de dissipação de calor e reduzir a temperatura de junção do dispositivo. No entanto, a molhabilidade de GaN e SiC é pobre, por isso é difícil obter um crescimento epitaxial suave de GaN no substrato de SiC. A atividade de migração do AlN na matriz de SiC é pequena e a molhabilidade com a matriz de SiC é boa. Portanto, o AlN é geralmente usado como a camada de nucleação de GaN no wafer de SiC para melhorar a qualidade do cristal de GaN, otimizando as condições de crescimento da camada de nucleação de AlN. Devido à pequena incompatibilidade de rede, uma vez que a camada de molhagem e os problemas de trincas são resolvidos pela nossa tecnologia de processo GaN em SiC, a qualidade do GaN no substrato de carbeto de silício é melhor do que no substrato de Si e safira. Portanto, o desempenho de transporte da heteroestrutura GaN 2DEG no substrato SiC é melhor.

GaN na especificação de wafer SiC HEMT:

Descrição

1. AlGaN / GaN-on-SiC HEMT Wafer para Aplicação de RF

Tamanho da bolacha 2”, 3”, 4”, 6”
Estrutura AlGaN/GaN HEMT Consulte 1.2
Densidade da portadora 6E12~2E13cm2
Mobilidade do salão 1300~2200 cm2v-1s-1
XRD(102)FWHM <300arc.s
XRD(002)FWHM <260arc.s
Resistividade da folha 200~450 ohm/sq
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0,25nm
Arco (um) <=35um
Exclusão de borda <2mm
Camada de passivação SiN 0~30nm
camada de capa GaN 2nm
Al composição 20-30%
Em composição 17% para InAlN
AlGaN /
AlN intercalar /
canal GaN /
Tampão GaN dopado com Fe 1,6 um
Camada de buffer AlN /
Material do substrato Substrato SiC

 

2. Especificação do GaN no Modelo SiC

GaN de 2" ou 4" em substrato de SiC 4H ou 6H

1) Tampão GaN não dopado ou tampão AlN estão disponíveis;
2) tipo n (dopado ou não dopado com Si), tipo p ou camadas epitaxiais de GaN semi-isolantes disponíveis;
3) Estruturas verticais condutoras em SiC tipo n ou semi-isolantes;
4) AlGaN – 20-60nm de espessura, (20%-30%Al), tampão dopado com Si;
5) Camada tipo n de GaN em wafer de 350µm+/-25um de espessura de 2” ou 4”.
6) Polido de lado único ou duplo, pronto para epi, Ra <0,5um
7) Valor típico em XRD:
 wafer ID  ID substrato  XRD (102)  XRD (002) Espessura
#2153 X-70105033 (com AlN) 298 167 679um

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