Deposición y metalización de película delgada en obleas de silicio
Ganwafer, a metal deposition manufacturing company, offers metal film deposition services on silicon by various metal thin film deposition techniques, such as evaporating, sputtering, LPCVD, ALD and etc. All the metal deposition on silicon wafer is supplied at different stress level with high thickness uniformity. The metal deposition process forms contacts in doped area between the semiconductor and conducting path. For our metal deposition service, we use metal and ITO (indium tin oxides) material to prepare electrodes for silicon substrate, and use non-metallic materials to grow sacrificial and insulating dielectric layers on silicon substrate.
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Descripción
Durante el proceso de deposición de metal, existen varios requisitos cruciales para los dispositivos microelectrónicos integrados, que deben cumplirse:
La pureza del metal debe ser tan alta como sea suficiente;
Es posible integrar capas apiladas;
La capacidad de carga actual debe ser alta;
La resistencia de contacto entre el metal y el semiconductor debe ser baja;
El proceso de metalizado debe ser simple;
El material para la metalización debe ser resistente a la corrosión y tener una larga vida;
El material para la deposición debe tener una excelente adherencia sobre los óxidos de silicio.
Tome como ejemplo los siguientes parámetros técnicos de nuestra oblea de metal de silicio de deposición:
1. Parámetros técnicos de la deposición de metales en semiconductores
| Sustrato de Si de 4″ + SiO2 + TiO2 + Pt | ||
| Artículo | Parámetros | |
| Materiales | Silicio Monocristalino | |
| Grado | Primer grado | |
| Método de crecimiento | CZ | |
| Diámetro | 100,0±0,3 mm, 4″ | 100 ±0,3 mm, 4″ |
| Tipo de conductividad | Tipo N | Tipo N |
| dopante | Fósforo | no dopado |
| Orientación | <100>±0,5° | [111]±0,5° |
| Espesor | 300±25μm (Grosor Total) | 525±25μm |
| Resistividad | 1-10Ωcm | n / a |
| Piso primaria | Pisos SEMI STD | Pisos SEMI STD |
| secundaria plana | Pisos SEMI STD | Pisos SEMI STD |
| Acabado de la superficie | Un lado pulido | |
| borde redondeado | Borde redondeado por estándar SEMI | |
| Si Sub/SiO2/TiO2/Pt | Grosor total 300 μm Espesor del sustrato de silicio 289 μm 1ra capa intermedia SiO2 Espesor 10,000 Angstrom Espesor de Ti de la segunda capa intermedia 500 Angstrom Capa superior Pt 5000 Angstrom |
Espesor del sustrato de silicio 525 μm 1ra capa intermedia SiO2 Espesor 300 Angstrom Espesor de Ti de la segunda capa intermedia 20 Angstrom Capa superior Pt Angstrom |
| Partícula | SEMI STD | |
| TTV | <10um | |
| Arco / Warp | <30um | |
| TIR | <5 µm | |
| Contenido de oxígeno | <2E16/cm3 | |
| Contenido de carbon | <2E16/cm3 | |
| OISF | <50/cm² | |
| REVOLVER (15x15mm) | <1,5 µm | |
| Vida útil de MCC | N / A | |
| Contaminación de superficies metálicas Fe, Zn, Cu, Ni, K, Cr |
≤5E10 átomos/cm2 | |
| densidad de dislocaciones | SEMI STD | |
| Astillas, rayones, protuberancias, neblina, marcas táctiles, piel de naranja, hoyos, grietas, suciedad, contaminación | Todos / ningunos | |
| Marcos láser | SEMI STD | |
2. Técnicas de deposición de metales
2.1 Presión Atmosférica CVD (APCVD)
APCVD es uno de los métodos CVD para la deposición de óxidos dopados o no dopados. Debido a la baja temperatura del proceso, se obtendrá una baja densidad y una cobertura moderada del óxido depositado. El alto rendimiento del sustrato de deposición de metal es una gran ventaja del proceso APCVD.
2.2 CVD de baja presión (LPCVD)
En el método LPCVD, se usa vacío. El nitruro de silicio (Si3N4), el oxinitruro de silicio (SiON), el dióxido de silicio (SiO2) y la película delgada de tungsteno se pueden depositar sobre un sustrato de silicio mediante este método, obteniendo una oblea metalizada de alta conformidad.
2.3 Deposición de la capa atómica (ALD)
ALD es un proceso de CVD mejorado adecuado para depositar películas delgadas metálicas sobre sustrato de Si. El uso de ALD puede depositar estructuras 3D de manera muy uniforme. Tanto las películas aislantes como las conductoras se pueden cultivar en diferentes sustratos (semiconductores, polímeros, etc.).
