En como oblea
Compound semiconductor indium arsenide (InAs) wafer for sale is composed of indium and arsenic III-V elements grown by LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Ganwafer offers indium arsenide substrate in epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientations as terahertz radiation source.
El semiconductor compuesto de arseniuro de indio es un material de banda prohibida directa, que es similar al arseniuro de galio (GaAs). A veces, InAs se usa con InP. InAs se alea con GaAs formando arseniuro de indio y galio. Más especificaciones de la oblea de arseniuro de indio, consulte lo siguiente:
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Descripción
1. Especificaciones de la oblea InAs
1.1. Especificación de oblea de arseniuro de indio de 4″
| Artículo | Especificaciones | |||
| dopante | bajo dopado | estaño | Azufre | Zinc |
| Tipo de conducción | N-tipo | N-tipo | N-tipo | Tipo P |
| Diámetro de la oblea | 4 " | |||
| oblea de Orientación | (100) ± 0,5 ° | |||
| Espesor de la oblea | 900±25um | |||
| Longitud plana primaria | 16±2 mm | |||
| Secundaria plana Longitud | 8±1mm | |||
| concentración de portadores | 5×1016cm-3 | (5-20)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 |
| Movilidad | ≥2×104cm2/vs | 7000-20000cm2/vs | 6000-20000cm2/vs | 100-400cm2/vs |
| EPD | <5×104cm-2 | <5×104cm-2 | <3×104cm-2 | <3×104cm-2 |
| TTV | <15um | |||
| ARCO | <15um | |||
| DEFORMACIÓN | <20um | |||
| marcado por láser | a pedido | |||
| Acabado de la superficie | P / E, P / P | |||
1.2. Especificación de sustrato de arseniuro de indio de 3″
| Artículo | Especificaciones | |||
| dopante | bajo dopado | estaño | Azufre | Zinc |
| Tipo de conducción | N-tipo | N-tipo | N-tipo | Tipo P |
| Diámetro de la oblea | 3 " | |||
| oblea de Orientación | (100) ± 0,5 ° | |||
| Espesor de la oblea | 600±25um | |||
| Longitud plana primaria | 22 ± 2 mm | |||
| Secundaria plana Longitud | 11±1mm | |||
| concentración de portadores | 5×1016cm-3 | (5-20)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 |
| Movilidad | ≥2×104cm2/vs | 7000-20000cm2/vs | 6000-20000cm2/vs | 100-400cm2/vs |
| EPD | <5×104cm-2 | <5×104cm-2 | <3×104cm-2 | <3×104cm-2 |
| TTV | <12um | |||
| ARCO | <12um | |||
| DEFORMACIÓN | <15um | |||
| marcado por láser | a pedido | |||
| Acabado de la superficie | P / E, P / P | |||
| Epi listo | sí | |||
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | |||
| Epi listo | sí | |||
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | |||
1.3. Especificación de oblea InAs de semiconductor compuesto de 2″
| Artículo | Especificaciones | |||
| dopante | bajo dopado | estaño | Azufre | Zinc |
| Tipo de conducción | N-tipo | N-tipo | N-tipo | Tipo P |
| Diámetro de la oblea | 2 " | |||
| oblea de Orientación | (100) ± 0,5 ° | |||
| Espesor de la oblea | 500±25um | |||
| Longitud plana primaria | 16±2 mm | |||
| Secundaria plana Longitud | 8±1mm | |||
| concentración de portadores | 5×1016cm-3 | (5-20)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 |
| Movilidad | ≥2×104cm2/vs | 7000-20000cm2/vs | 6000-20000cm2/vs | 100-400cm2/vs |
| EPD | <5×104cm-2 | <5×104cm-2 | <3×104cm-2 | <3×104cm-2 |
| TTV | <10um | |||
| ARCO | <10um | |||
| DEFORMACIÓN | <12um | |||
| marcado por láser | a pedido | |||
| Acabado de la superficie | P / E, P / P | |||
| Epi listo | sí | |||
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | |||
2. Mapa de planitud cosido de la oblea InAs:
3. Aplicaciones de arseniuro de indio
El cristal de arseniuro de indio tiene una alta movilidad de electrones y una relación de movilidad (μe/μh=70), un efecto de resistencia magneto baja y un coeficiente de resistencia de temperatura pequeño. Por lo tanto, la solución de arseniuro de indio es ideal para fabricar dispositivos Hall y dispositivos magnetorresistivos.
El sustrato InAs monocristalino puede hacer crecer InAsSb/InAsPSb, InAsPSb y otros materiales de heteroestructura para producir dispositivos emisores de luz infrarroja con una longitud de onda de 2-12 um.
Los sustratos monocristalinos de arseniuros de indio también se pueden usar para hacer crecer epitaxialmente materiales de estructura de superred de InAsPSb para producir láseres de cascada cuántica de infrarrojo medio. Estos dispositivos infrarrojos tienen buenas perspectivas de aplicación en los campos de detección de gases y comunicación por fibra óptica de baja pérdida.
4. Influencia del proceso de recocido en las capas de acumulación de electrones superficiales de la oblea InAs
Utilice la espectroscopia Raman para investigar el efecto de la temperatura de recocido en las propiedades ópticas de las capas de acumulación de electrones de la superficie de la oblea de arseniuro de indio tipo n (100). El resultado muestra que los picos Raman causados por fonones LO no apantallados desaparecerán cuando aumente la temperatura. También podemos ver que la capa de acumulación de electrones en la superficie de arseniuro de indio se elimina mediante recocido. El mecanismo analizado por difracción de rayos X, espectroscopía de fotoelectrones de rayos X y microscopía electrónica de transmisión de alta resolución muestra fases amorfas de In2O3 y As2O3 acumuladas en el sustrato de la oblea de InAs durante el proceso de recocido; una fina película cristalina de As formada en la interfaz entre la capa de óxido y el sustrato de la oblea, lo que conduce a una disminución del espesor de la capa de electrones de la superficie.
