Ganwafer has 25+ experience in manufacturing semiconductor wafer materials, including SiC, GaN, III-V compound semiconductor and etc. We closely cooperate with researchers and chip manufacturers to constantly develop new products and semiconductor fabrication technologies to meet their special needs, and perfect our core abilities.
Ganwafer is mainly focused on the following semiconductor process technologies for epitaxial growth:
1. Tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE)
La técnica HVPE permite la producción de epicapas de GaN de alta calidad y sin grietas (por ejemplo, en una plantilla de GaN desarrollada en zafiro, las densidades de dislocación típicas pueden ser tan bajas como 107/cm3.). Otra ventaja de HVPE es producir AlGaN y AlN gruesos y de alta calidad para dispositivos optoelectrónicos y electrónicos de RF. A diferencia de la tecnología de semiconductores de MOCVD, el proceso HVPE no involucra una fuente orgánica de metal, lo que proporciona un entorno de crecimiento epitaxial libre de carbono. Además, el uso de cloruro de hidrógeno gaseoso también proporciona un efecto de autolimpieza de impurezas, lo que da como resultado unas impurezas de fondo más bajas y niveles de dopaje más eficientes en la capa epitaxial.
2. Tecnología de deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD)
MOCVD es una nueva tecnología de crecimiento de epitaxia en fase de vapor desarrollada sobre la base de la epitaxia en fase de vapor (VPE). MOCVD utiliza compuestos orgánicos de los elementos del grupo III y del grupo II e hidruros de los elementos del grupo V y del grupo VI como materiales de fuente de crecimiento de cristales, y lleva a cabo la epitaxia en fase de vapor en el sustrato mediante una reacción de descomposición térmica para hacer crecer varios grupos principales III-V, II-VI subgrupo semiconductores compuestos y materiales monocristalinos de capa delgada de sus soluciones sólidas multicomponentes.
Existe una amplia gama de aplicaciones de la tecnología de semiconductores MOCVD: puede ser para cultivar casi todos los compuestos y semiconductores de aleación; es muy adecuado para el cultivo de diversos materiales de heteroestructura; Se pueden cultivar capas epitaxiales ultrafinas y se puede obtener una transición de interfaz muy pronunciada. Además, las obleas de semiconductores se pueden cultivar mediante MOCVD en producción en masa con alta pureza y uniformidad de área grande.
3. Tecnología de epitaxia de haz molecular (MBE)
En comparación con otros métodos de epitaxia, MBE tiene las siguientes ventajas:
MBE es en realidad una técnica de procesamiento a escala atómica que es especialmente adecuada para el cultivo de materiales de superredes. La tasa de crecimiento es lenta, aproximadamente una sola capa atómica crece por segundo, y el crecimiento en modo 2D se realiza realmente, y es fácil obtener una superficie e interfaz suaves y uniformes, lo que conduce al control preciso del grosor, la estructura , composición y formación de heteroestructuras empinadas.
La temperatura de crecimiento epitaxial es baja, lo que reduce la difusión autodopante de las impurezas del sustrato en la capa epitaxial y el efecto de interdifusión interfacial en la estructura multicapa.
La composición y la integridad estructural de la capa epitaxial por MBE son propicias para el progreso sin problemas de la investigación científica y el crecimiento.
MBE es un proceso de deposición física de ultra alto vacío. El dopaje in situ de diferentes fuentes de dopaje durante el proceso de crecimiento es fácil de lograr. El obturador se puede utilizar para controlar instantáneamente el crecimiento y la interrupción, y realizar el ajuste rápido de los tipos y concentraciones de dopaje.
4. Tecnología futura de semiconductores
Nuestra tecnología de fundición de semiconductores se está desarrollando en óptica integrada y optoelectrónica integrada, superredes de semiconductores y cables cuánticos, dispositivos de puntos cuánticos, dispositivos de información cuántica de semiconductores y dispositivos espintrónicos. Creemos que estas tecnologías madurarán y se aplicarán ampliamente en un futuro próximo.
Para proporcionar al cliente obleas de semiconductores de primera calidad, elegiremos la tecnología de obleas de semiconductores más adecuada para la fabricación en función de los materiales y sus aplicaciones.