LED Epi sobre sustrato de GaAs
El arseniuro de galio (GaAs) ocupa una gran parte en el campo de los láseres y LED optoelectrónicos. Como semiconductores compuestos maduros de segunda generación, los chips de potencia y los chips optoelectrónicos desarrollan diferentes estructuras de película de material en sustratos de GaAs por medio del crecimiento epitaxial.
La banda de conducción mínima y la banda de valencia máxima de GaAs están ubicadas en k=0, lo que significa que los electrones en GaAs pueden alcanzar directamente la parte superior de la banda de valencia desde la parte inferior de la banda de conducción cuando el electrón hace la transición. En comparación con el silicio, los electrones solo necesitan un cambio de energía durante la transición de la banda de conducción a la banda de valencia, pero el momento no cambia. Esta propiedad le da al GaAs una ventaja única en la fabricación de láseres semiconductores (LD) y diodos emisores de luz (LED).
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Descripción
Ganwafer offers LED Epi wafer on GaAs substrate, which is grown by MOCVD, available wavelength are:
Rojo: 630~650nm;
Amarillo: 587 ~ 592nm;
Amarillo/Verde: 568 ~ 573nm;
Infrarrojos: 810~880nm, 890~940nm.
Más especificaciones de la epitaxia LED de GaAs, consulte a continuación:
1. LED rojo Epi sobre sustrato de GaAs
1.1 Estructura positiva de la oblea LED roja
| Estructura | Espesor (nm) |
| P-brecha | - |
| P-AlInP | - |
| MQW | - |
| N-AlInP | - |
| DBR n-AlGaAs/AlAs | - |
| Capa amortiguadora n-GaAs | - |
| Sustrato de GaAs | 350um |
1.2 Estructura de polaridad inversa de la oblea LED roja
| Estructura | Espesor (nm) |
| C-GaP | - |
| Mg-GaP | - |
| Mg-AlGaInP | - |
| Mg-AlInP | - |
| AlInP | - |
| MQW:AlGaInP | - |
| Si-AlInP | - |
| Si-Al0.6GaInP | - |
| Si-GaInP | - |
| Capa de contacto Si-GaAs ohm | - |
| Capa de grabado Si-GaInP | - |
| Tampón Si-GaAs | - |
| Sustrato de GaAs | 350um |
Marca: También podemos hacer crecer la estructura epitaxial LED en un sustrato de GaAs de 625 +/- 50 um de espesor, y el tamaño de la oblea puede alcanzar los 100 mm. La longitud de onda real tiene una tolerancia de +/-10.
2. RC LED Epi Layer sobre sustrato de GaAs, 650 nm
| P+ GaP 100nm (para ITO) |
| Brecha P 2um |
| P AlGaAs/AlAs DBR X 10 |
| P AllnP |
| Yo AlGaInp MQW |
| N AllnP |
| N AlGaAs/AlAs DBRX30 |
| Tampón de N GaAs |
| Sustrato N-GaAs (15 grados de descuento) |
3. LED infrarrojo epitaxial sobre sustrato de GaAs, 850-870nm
| Materiales | Tipo | Espesor (nm) | nota |
| AlGaAs | P+ | - | capa de contacto óhmico |
| AlGaAs | PAGS | - | P-Revestimiento |
| AlGaAs/GaAs | sin dopar | - | Capa activa |
| AlGaAs | norte | - | N-Revestimiento |
| Sustrato N-GaAs | |||
4. Preguntas frecuentes sobre el sustrato de GaAs Epi LED infrarrojo
P1: ¿Es posible modificar algunos grosores de la estructura de polaridad inversa 1.2 de la oblea LED roja? Por ejemplo, aumentando la capa de parada de grabado a 300 nm.
R: Sí, la capa de parada de grabado de la estructura del LED IR puede hacer 300 nm.
P2: Para la estructura de epitaxia LED en 1.2, ¿puede darme alguna información de dopaje, específicamente alrededor del contacto? Sería de gran ayuda para que podamos diseñar adecuadamente los contactos metálicos.
R: Para la capa de contacto de la epiestructura LED, el dopaje n debe ser ~2e18 y el dopaje p en la capa de contacto debe ser ~1e20.
P3: ¿Cómo suele hacer contacto con la capa de contacto p de GaP:C en la estructura LED de polaridad inversa? Por ejemplo, ¿ITO o Ti/Pt/Au?
R: Por lo general, usamos ITO como contacto para la oblea LED.
Q4：Is the DBR n-AlGaAs/AlAs layer in positive LED wafer working as a reflector/mirror designed for the emission wavelength?
A: Yes, the DBR n-AlGaAs/AlAs layer in GaAs LED positive wafer is worked as a reflector/mirror.
Q5: Does the Si-Al0.6GaInP layer in reverse polarity structure of GaAs LED epitaxy also works as a reflector/mirror?
A：Yes, the Si-Al0.6GaInP epilayer in reversed GaAs LED epi-structure works as reflector/mirror.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
