Tipo P GaN en plantilla de zafiro o silicio
Los productos plantilla de Ganwafer consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (GaN), que se depositan sobre sustratos de zafiro/silicio(111). Incluye plantilla tipo P/tipo n/GaN semiaislante/zafiro o silicio, diámetros disponibles desde 2″ hasta 6″ y consta de una fina capa de GaN cristalino cultivado sobre un sustrato de zafiro/silicio. Plantillas preparadas para Epi ahora disponibles.
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Descripción
1. Especificaciones de la plantilla GaN en Sapphire
Sustratos de zafiro/GaN dopados con magnesio de 1,1 4 pulgadas
| Artículo | GANW-T-GaN-100-P |
| Dimensión | 100 ±0,1 mm |
| Espesor | 5 ±1 micras |
| Orientación de GaN | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientación de GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo de conducción | Tipo P |
| Resistividad (300K) | ~ 10 Ω·cm |
| concentración de portadores | >6X1016CM-3(concentración de dopaje≥10x1020cm-3 |
| Movilidad | ~ 10cm2 / V·s |
| densidad de dislocaciones | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estructura | 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN capa intermedia/430±25 μm |
| Orientación de Zafiro | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientación de Zafiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rugosidad de la superficie: | Lado frontal: Ra<0.5nm, epi-ready; |
| Reverso: grabado o pulido. | |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de defectos de borde y macro) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
1.2 Sustratos de zafiro/GaN dopados con magnesio de 2 pulgadas
| Artículo | GANW-T-GaN-50-P |
| Dimensión | 50,8 ±0,1 mm |
| Espesor | 5 ±1 micras |
| Orientación de GaN | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientación de GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo de conducción | Tipo P |
| Resistividad (300K) | ~ 10 Ω·cm |
| concentración de portadores | >6X1016CM-3(concentración de dopaje≥10x1020cm-3 |
| Movilidad | ~ 10cm2 / V·s |
| densidad de dislocaciones | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estructura | 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN capa intermedia/430±25 μm |
| Orientación de Zafiro | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientación de Zafiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rugosidad de la superficie: | Lado frontal: Ra<0.5nm, epi-ready; |
| Reverso: grabado o pulido. | |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de defectos de borde y macro) |
2. Especificación de GaN tipo P sobre plantilla de silicio
| Descripción | Tipo | dopante | sustrato | Tamaño | Espesor de GaN | Superficie |
| Plantilla de GaN en oblea de silicio de 4″, película de GaN | tipo P | dopado con mg | Sustratos de Si (111) | 4″ | 2um | pulido por un solo lado |
| Plantilla de GaN en oblea de silicio de 2″, película de GaN | tipo P | dopado con mg | Sustratos de Si (111) | 2″ | 2um | pulido por un solo lado |
3. 2 ″ de diámetro, tipo P GaN sobre silicio
2 diámetro, GaN sobre silicio
Espesor de la capa de GaN: 2um
Capa de GaN: tipo P, dopada con Mg.
Estructura:GaN sobre Silicio(111).
Sustrato: Silicio (111), tipo p, 430+/-25um
XRD(102)<700arco.seg
XRD(002)<500arco.seg
Pulido de un solo lado, listo para Epi, Ra<0,5 nm
Concentración de portador: 5E17~5E18
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
