CdZnTe oblea

Oblea de CdZnTe

Cadmium zinc telluride (short for CdZnTe or CZT) wafer is an important II-VI group semiconductor material, which can be offered by CdZnTe wafer manufacturer – Ganwafer mainly for infrared thin film epitaxial growth and radiation detection. The band gap of CdZnTe is large, and low-energy infrared light cannot excite the electron conduction band transition in the valence band, so it does not produce intrinsic absorption of infrared light. Moreover, the dielectric constant of cadmium zinc telluride ingot is small, and the extinction coefficient is small when infrared is transmitted, so the infrared transmittance of CZT wafer is high. More important, the CZT lattice constant can be adjusted with different Zn content to meet the growth requirements of HgCdTe (MCT) epitaxial films with different compositions. More info about CdZnTe wafer please see below:

Descripción

1. Especificaciones de la oblea de telururo de zinc y cadmio (CZT)

1.1 CdZnTe para crecimiento epitaxial de HgCdTe

CdZnTe Para crecimiento epitaxial, HgCdTe:
Tamaño del sustrato CZT 20×20 +/-0,1 mm o mayor
estructura CZT libre de gemelos sin dopar
Espesor CZT 1000 +/- 50
Distribución de zinc 4,5% o personalizado
“y” % oblea a oblea <4% +/- 1%
"y" % dentro de la oblea <4 % +/- 0,5 %
Orientación (211) B, (111) B
DCRC FWHM <= 50 arc.sec
Concentración de portadores -
Transmisión IR % (2-20)um >60%
Tamaño del precipitado <5um
Densidad del precipitado <1E4 cm-2
Densidad de hoyos de grabado <=1E5 cm-2
Superficie, cara B EPI listo
Superficie, cara A toscamente pulido
Rugosidad de la superficie Ra<20A o personalizado
El tamaño del precipitado <5um
Identificación facial Una cara

 

Cuando la composición de Zn es 0.04, la oblea Cd0.96Zn0.04Te es perfecta para la película epitaxial de HgCdTe porque su constante reticular y sus propiedades químicas coinciden con las del HgCdTe, un material detector de infrarrojos.

1.2 Oblea CdZnTe para detección de radiación

El sustrato de CdZnTe con la composición Zn=0.1~0.2 se puede proporcionar con o sin contactos. El sustrato CZT es el material detector de radiación nuclear emergente en los últimos años. Hay muchas propiedades excelentes del telururo de cadmio y zinc para esta aplicación: banda prohibida grande, generación de corriente de calor fácil de controlar; gran número atómico promedio, gran capacidad para detener los rayos, buena resistencia mecánica, conveniente para la producción de dispositivos; alta resistividad, el detector fabricado aún puede mantener una baja corriente de fuga bajo un alto voltaje de polarización. Por lo tanto, se reduce el ruido del detector. En comparación con el detector de radiación nuclear de centelleo de yoduro de sodio tradicional, tiene una resolución de energía más alta.

Además, los detectores de rayos X y rayos Y fabricados con cristal de telururo de zinc y cadmio pueden funcionar a temperatura ambiente, lo que elimina el problema de agregar nitrógeno líquido. Además, el detector de rayos X de telururo de cadmio y zinc se puede procesar fácilmente en un detector de matriz de píxeles, y con el circuito de lectura de señal integrado de silicio puenteado, se puede convertir en un dispositivo de imágenes radiográficas compacto, eficiente y de alta resolución, que puede ser ampliamente utilizado en análisis de fluorescencia de rayos X, monitoreo de desechos nucleares, pruebas de seguridad en aeropuertos y puertos, detección de fallas industriales, diagnóstico médico, investigación astrofísica, etc.

1.3 Sustrato de telururo de zinc y cadmio para dispositivos infrarrojos y fotoeléctricos

Al agregar una cantidad adecuada de vanadio (V) o indio (In) al telururo de cadmio y zinc, el telururo de cadmio y zinc se convierte en un excelente material fotorrefractivo semiconductor del infrarrojo cercano. La fuerte demanda de procesamiento de información óptica en la banda del infrarrojo cercano ha impulsado el desarrollo de nuevos tipos de materiales fotorrefractivos del infrarrojo cercano. Dopado con una cantidad adecuada de vanadio o indio durante el crecimiento de CdZnTe, el vanadio o indio se convierte en el centro de nivel de energía profundo sensible fotorrefractivo, de modo que el material de la oblea de CdZnTe tiene un gran coeficiente fotoeléctrico en la banda del infrarrojo cercano, que puede usarse para hacer Memoria holográfica óptica en tiempo real de banda de onda de infrarrojo cercano y dispositivo de compartición de fase óptica.

Debido a que el telururo de cadmio y zinc tiene una alta transmitancia infrarroja (~65 %) en la banda infrarroja, las obleas de telururo de cadmio y zinc se pueden usar para fabricar lentes infrarrojos, prismas y otros componentes ópticos infrarrojos. Además, el excelente rendimiento fotoeléctrico del cristal CdZnTe lo hace adecuado para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos como moduladores fotoeléctricos y células solares de película delgada.

2. Aplicación de oblea de CdZnTe

En resumen, la oblea de CdZnTe se puede utilizar para:

* crecimiento de películas epitaxiales de HgCdTe de alta calidad;

* materiales de ventana de láser infrarrojo con excelente rendimiento;

* producción de detectores de rayos X y rayos γ;

* producción de oblea epitaxial de CdTe/ZnTe de superred cuántica;

* células solares;

* moduladores fotoeléctricos, etc.

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