Ganwafer offers N-type, P-type, and semi-insulating gallium nitride substrate, template and gallium nitride epitaxial wafer for HEMT with low marco defect density and dislocation density.
Ganwafer is a leading gallium nitride semiconductor manufacturer that offers wafers in different thicknesses and orientations with polished or unpolished sides and can comprise dopants. Gallium nitride is a wideband gap material that provides higher efficiency and power density than conventional semiconductors at the device level. The benefits include converting into size reduction, less power consumption, and affordable cost.
Con el advenimiento de la tecnología epitaxial, el nitruro de galio en una oblea de silicio, una oblea de zafiro o una oblea de SiC es una estructura compleja de varias capas que crece mediante la epitaxia. La película delgada de nitruro de galio se usa ampliamente para producir dispositivos electrónicos que demuestran un rendimiento superior, incluidos LED, LD u otras aplicaciones. Nuestra gama de productos va desde sustrato de GaN independiente, plantilla de GaN sobre zafiro/SiC/silicio, HEMT de GaN sobre zafiro/SiC/silicio hasta oblea epitaxial LED basada en GaN.
Oblea de GaN cristalizada a partir de un sistema de equilibrio en fase líquida que muestra su gran cristalinidad con pocas dislocaciones. El rendimiento y la eficiencia de diferentes productos fabricados con estas obleas de nitruro de galio.
Debido a su bajo contenido de impurezas, las obleas de GaN proporcionan factores de absorción de luz bajos y una gran transparencia que ayuda a mejorar la salida.
Para nuestro mercado de obleas de nitruro de galio, nos preocupamos por las especificaciones del cliente. También cubrimos arreglos personalizados para aplicaciones comerciales y de investigación y nuevas tecnologías exclusivas. Como proveedor confiable de obleas de nitruro de galio, entregamos empaques típicos y personalizados. Puede ponerse en contacto con nosotros para obtener más información.
