AlGaN sobre zafiro/silicio
La plantilla de AlGaN (nitruro de aluminio y galio) es una oblea semiconductora compuesta de nitruro de aluminio y nitruro de galio, y la banda prohibida de AlxGa1−xN se puede adaptar de 3,4 eV (xAl=0) a 6,2 eV (xAl=1). Al% de la composición de AlGaN puede ser 0.1-0.5. En comparación con GaN, AlGaN tiene una brecha de banda más amplia y una mayor resistencia a la ruptura dieléctrica, y se espera que produzca dispositivos de energía con menores pérdidas que GaN.
La aplicación del semiconductor AlGaN es para estructuras LED, LD y HEMT. Y ahora, consulte las siguientes especificaciones:
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Descripción
Ganwafer offers AlGaN template, which AlGaN layers are commonly grown on sapphire or (111) Si substrate. Our AlGaN epitaxial wafer fab can also make aluminum gallium nitride semiconductor wafer with additional GaN layers. Sapphire is one of the most commonly material used for growing AlGaN template. Due to the large lattice mismatch and thermal mismatch between AlGaN-based material and sapphire substrate, AlGaN-based materials are usually grown on AIN/sapphire templates.
1. Especificaciones de la plantilla AlGaN
1.1 2″ (50.8mm) AlGaN Epi en plantilla de zafiro
| Artículo | GANW-AlGaNT-SA-50 |
| Diámetro | 50,8 mm ± 0,4 mm |
| Orientacion: | C(0001), en el eje |
| Tipo de conducción | - |
| Grosor de la capa Epi: | 200nm-1000nm |
| Material de la capa epi | AlGaN(ex.Al(0.1)Ga(0.9)N) |
| Estructura | Sustrato de zafiro/tampón de AlGaN/AlN |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientación Plano | Un avion |
| XRD FWHM de (0002) | <200 segundos de arco. |
| Área de la superficie utilizable | ≥90% |
| Superficie: | Pulido por una cara, Epi-ready |
1.2 Películas de nitruro de aluminio y galio de 4″ (100 mm) en plantilla de zafiro
| Artículo | GANW-AlGaNT-SA-100 |
| Diámetro | 100 mm ± 0,4 mm |
| Orientacion: | C(0001), en el eje |
| Tipo de conducción | - |
| Grosor de la capa Epi: | 2um,3um |
| Material de la capa epi | AlGaN(ex.Al(0.2)Ga(0.8)N) |
| Estructura | Sustrato de zafiro/tampón de AlGaN/AlN |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientación Plano | Un avion |
| XRD FWHM de (0002) | <200 segundos de arco. |
| Área de la superficie utilizable | ≥90% |
| Superficie: | Pulido por una cara, Epi-ready |
Plantilla de semiconductor AlGaN de 1,3 6″ (150 mm) sobre silicio
| Artículo | GANW-AlGaNT-Silicon-150 |
| Diámetro | 150 mm ± 0,4 mm |
| Orientacion: | C(0001), en el eje |
| Tipo de conducción | - |
| Grosor de la capa Epi: | 200nm-3000nm |
| Material de la capa epi | AlGaN(ex.Al(0.2)Ga(0.8)N) |
| Estructura | Sustrato de zafiro/tampón de AlGaN/AlN |
| Sustrato: | 6”, silicio, tipo p, (111), 1000um de espesor |
| Orientación Plano | - |
| XRD FWHM de (0002) | -arcsec. |
| Área de la superficie utilizable | ≥90% |
| Superficie: | Pulido por una cara, Epi-ready |
2. Acerca del material semiconductor AlGaN
Como importante material semiconductor de brecha de banda directa de tercera generación, la aleación ternaria Al-Ga-N tiene aplicaciones potenciales en los campos de guía ultravioleta, alerta ultravioleta y comunicaciones externas. Dado que no hay una aleación natural de AlGaN, la deposición de vapor de compuestos orgánicos metálicos (MOCVD) o la epitaxia de haz molecular (MBE) se utilizan generalmente para crecer hasta 2 ~ 3 um de materiales semiconductores de AlGaN en la oblea de zafiro. En el nitruro de aluminio y galio, el contenido de aluminio está estrechamente relacionado con el ancho de banda prohibido del material, lo que determina directamente su rango de aplicación. Por lo tanto, es de gran importancia determinar con precisión el contenido de Al en AlGaN. En la actualidad, la determinación del contenido de Al en la capa epitaxial de AlGaN suele adoptar métodos físicos no destructivos, como el método de retrodispersión de Rutherf (RBS), el método de transmisión de luz ultravioleta visible (UV-VIS), el método de difracción de rayos X de alta resolución (HRXRD ) y análisis de microárea de sonda de electrones (EPMA), etc.
3. Propiedades ópticas del semiconductor AlGaN
La película delgada de AlGaN se cultiva en un sustrato de zafiro de plano c de doble pulido utilizando tecnología MOCVD. Con el fin de seguir estudiando la calidad y las propiedades ópticas lineales de la película óptica, se llevó a cabo la caracterización óptica básica de la película. A temperatura ambiente, el espectrómetro ultravioleta visible se usa para medir que el material semiconductor AlGaN rico en Al tiene un límite de absorción definido en la región ultravioleta cercana, y la posición del límite de absorción cambia significativamente con el contenido de Al. También muestra que la incorporación de Al modula efectivamente la banda prohibida óptica del material de nitruro de galio.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
