GaN en oblea HEMT de silicio
Ganwafer offers GaN (Gallium Nitride) on Silicon (Si) Epitaxy HEMT wafer and GaN template on Si substrate. According to different applications, GaN on Silicon HEMT wafer can be classified into GaN-on-Silicon wafer for D-mode, GaN on Silicon substrate for E-mode and GaN on Silicon wafer for RF application. GaN based power electronic devices are still very expensive compared with Si devices. One of the ways to solve the cost problem is to fabricate GaN based heterostructures by epitaxy on Si substrate, and then to fabricate GaN based devices by complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, so that the cost performance of the devices is better than that of Si devices. However, it is much more difficult to grow GaN on Silicon substrates than on SiC and sapphire substrates. The lattice mismatch ratio of GaN (0001) and Silicon (111) is as high as 16.9%, and the thermal expansion coefficient mismatch (thermal mismatch) is as high as 56%. These are main epitaxial challenges of GaN on Silicon, which may be able to be solved by introducing a buffer layer to GaN on Silicon wafer substrate. As a leading GaN on Silicon HEMT wafer manufacturer, we continuously develop our existing GaN on Silicon technology to gain a better wafer to you. And now please see below GaN on Si wafer specification:
- Descripción
- Consulta
Descripción
1. GaN en oblea HEMT de silicio, MODO D
1.1 Especificación de GaN HEMT Wafer en silicio, D-MODE
Tamaño de oblea | 2″, 4″, 6″,8″ |
Estructura AlGaN / GaN HEMT | Consulte 1.2 |
Densidad de portadores | >9E12 cm2 |
Movilidad Hall | / / |
Resistividad de hoja | / / |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0.25nm |
Arco (eh) | <= 30um |
Exclusión de bordes | <5 mm |
capa de pasivación de SiN | 0~5nm |
capa superior de u-GaN | 2 nm |
toda la composicion | 20-30% |
capa de barrera de AlGaN | / / |
canal GaN | / / |
Tampón de AlGaN | / / |
AlN | / / |
material de sustrato | sustrato de silicio |
Grosor de la oblea de silicio (μm) | 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″) |
1.2 Estructura de la oblea GaN HEMT en silicio, MODO D
2. GaN en silicio HEMT Epitaxia, E-MODE
Tamaño de oblea | 2″, 4″, 6″,8″ |
Estructura AlGaN / GaN HEMT | Consulte 1.2 |
Densidad residual 2DEG (Vg=0 V) | <1e18/cm3 |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0.25nm |
Arco (eh) | <= 30um |
Exclusión de bordes | <5 mm |
p-GaN | / / |
capa superior de u-GaN | / / |
toda la composicion | 20-30% |
capa de barrera de AlGaN | / / |
canal GaN | / / |
Tampón de AlGaN | / / |
material de sustrato | sustrato de silicio |
Grosor de la oblea de silicio (μm) | 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″) |
3. Oblea HEMT de nitruro de galio sobre silicio para aplicaciones de RF
Tamaño de oblea | 2″, 4″, 6″,8″ |
Estructura AlGaN / GaN HEMT | Consulte 1.2 |
Densidad de portadores | >9E12 cm2 |
Movilidad Hall | / / |
Resistividad de hoja | / / |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0.25nm |
Arco (eh) | <= 30um |
Exclusión de bordes | <5 mm |
capa de pasivación de SiN | 0~5nm |
capa superior de u-GaN | / / |
toda la composicion | 20-30% |
capa de barrera de AlGaN | / / |
canal GaN | / / |
Tampón de AlGaN | / / |
AlN | / / |
material de sustrato | sustrato de silicio |
Resistividad del sustrato de Si (Ω cm) | > 3000 |
Grosor de la oblea de silicio (μm) | 1000um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″) |
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!