Oblea de silicio FZ
El tamaño de las obleas de silicio (Si) de zona flotante (FZ) a la venta es principalmente de 8 pulgadas y 6 pulgadas. En comparación con las obleas de silicio fabricadas por el método Czochralski (CZ), la característica más importante de la oblea de zona flotante es que la resistividad es relativamente alta, la pureza es mayor y puede soportar alto voltaje. Sin embargo, es difícil producir obleas de silicio FZ de gran tamaño y las propiedades mecánicas son malas. Por lo tanto, hay pocas obleas de silicio cultivadas en zona flotante utilizadas en circuitos integrados. La oblea FZ se prepara mediante un proceso de zona de flotación. Debido a que no hay crisol durante el crecimiento del cristal de silicio de la zona de flotación, se evita la contaminación del crisol y la fusión de la zona de suspensión se puede usar para múltiples purificaciones, por lo que la pureza del lingote de silicio FZ es alta y la conductividad del sustrato de silicio FZ puede alcanzar 1000 Ω-cm o más.
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Descripción
Las obleas FZ Si producidas por los proveedores de obleas FZ se utilizan para fabricar dispositivos electrónicos de potencia, fotodiodos, detectores de rayos, detectores de infrarrojos, etc. El contenido de oxígeno de la oblea de silicio FZ es de 2 a 3 órdenes de magnitud menor que el del silicio CZ. Dado que no hay deposición formada por oxígeno, la resistencia mecánica de la oblea de silicio de la zona de flotación no es tan buena como la de la oblea de silicio CZ cultivada. Además, es fácil generar deformaciones y defectos durante el proceso de fabricación. Agregar nitrógeno es una solución para mejorar la resistencia de la oblea durante el crecimiento de cristales de silicio en la zona de flotación. Más especificaciones de silicio monocristalino FZ son las siguientes:
1. Oblea de silicio de zona flotante de alta resistividad de 8 pulgadas con SSP o DSP
| Oblea de silicio FZ de 8 pulgadas con SSP o DSP y alta resistividad | |||
| Artículo | Parámetros | ||
| Materiales | Silicio Monocristalino | ||
| Grado | Primer grado | ||
| Método de crecimiento | FZ | ||
| Diámetro | 8″(200.0±0.2mm) | ||
| Tipo de conductividad | Tipo N | Tipo N | Tipo P |
| dopante | Fósforo | Fósforo | Boron |
| Orientación | [100]±0,5° | ||
| Espesor | 625+/- 5 µm | 725±25μm | 725±25μm |
| Resistividad | >8,000-14,000Ωcm | >10,000Ωcm | 5.000-10.000Ωcm |
| VRR | <40% (ASTM F81 Plan C) | ||
| Muesca SEMI STD | Muesca SEMI STD | ||
| Acabado de la superficie | 1SP, SSP One-Side-Epi-Ready-Pulido Parte trasera grabada |
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| borde redondeado | Por estándar SEMI Exclusión de borde de metrología (lpd's, parámetros mecánicos) 3 mm |
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| Partícula | LPDs >= 0,30 µm (incluyendo COP's) <=25 LPDs >= 0,20 µm (incluyendo COP's) <=30 LPDs >= 0,16 µm (incluyendo COP's) <=60 |
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| Aspereza | <0.5nm | ||
| TTV | <1.5um | <10um | <6um |
| Arco / Warp | <35um | Arco <40 µm, Deformación <60 µm | <40um |
| TIR | <5 µm | ||
| Contenido de oxígeno | 11-15 APPMA | ||
| Contenido de carbon | <2E16/cm3 | ||
| Planitud del sitio | SFQD 20X20mm: 0.40um | ||
| Vida útil de MCC | >1000 μs | >1000 μs | >1000 μs |
| Contaminación de superficies metálicas (Al,Ca,Cu,Fe,Ni,Zn,Cr,Na) |
≤5E10 átomos/cm2 (Al,Ca,Cu,Fe,Ni,Zn,Cr,Na) Máx. 5E10/cm2 | ||
| densidad de dislocaciones | SEMI STD | SEMI STD | 500 máx./cm2 |
| Astillas, rayones, protuberancias, neblina, marcas táctiles, piel de naranja, hoyos, grietas, suciedad, contaminación | Todos / ningunos | ||
| Marcos láser | SEMI STD | Opción Láser Serializado: láser superficial |
a lo largo del piso en el lado frontal |
2. Oblea de silicio FZ de 6 pulgadas
| Oblea de silicio FZ de 6 pulgadas | |||
| Artículo | Parámetros | ||
| Materiales | Silicio Monocristalino | ||
| Grado | Primer grado | ||
| Método de crecimiento | FZ | ||
| Diámetro | 6″(150 ± 0,5 mm) | ||
| Tipo de conductividad | Intrínseco | Tipo N | Tipo P |
| dopante | bajo dopado | Fósforo | Boron |
| Orientación | <100>±0,5° | [100]±0,5° | (111)±0,5° |
| Espesor | 625±15μm | 675±10μm 1000±25 µm |
875±25μm 1000±25 µm |
| Resistividad | >20,000Ωcm | 6,000-10,000 | 5.000-10.000Ωcm |
| VRR | <40% (ASTM F81 Plan C) | ||
| Piso primaria | Uno SEMI plano (57,5 mm) | SEMI STD | Muesca SEMI @ 110 ± 1° |
| secundaria plana | N / A | SEMI STD | N / A |
| Acabado de la superficie | Acabado frontal pulido espejo Acabado de la parte posterior pulido espejo |
Acabado frontal pulido espejo Acabado de la parte posterior pulido espejo |
Un lado pulido Grabado ácido en el reverso |
| borde redondeado | Por estándar SEMI | ||
| Partícula | <20 recuentos a 0,3 μm | ||
| Aspereza | <0.5nm | ||
| TTV | <10um | <10um | <12um |
| Arco / Warp | <30um | <40um | <60um |
| TIR | <5 µm | ||
| Contenido de oxígeno | <2E16/cm3 | ||
| Contenido de carbon | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| REVOLVER (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| Vida útil de MCC | >1000 μs | ||
| Contaminación de superficies metálicas Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn |
≤5E10 átomos/cm2 | ||
| densidad de dislocaciones | 500 máx./cm2 | ||
| Astillas, rayones, protuberancias, neblina, marcas táctiles, piel de naranja, hoyos, grietas, suciedad, contaminación | Deslustre, piel de naranja, contaminación, neblina, microarañazos, astillas, astillas en los bordes, grietas, patas de gallo, orificios, hoyos, abolladuras, ondulaciones, manchas y cicatrices en la parte posterior: todo ninguno | ||
| Marcos láser | a lo largo del piso En el lado frontal, opción láser serializado: láser superficial |
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3. Oblea de silicio FZ+NTD de 6 pulgadas con portador minoritario de por vida 300 μs
| Oblea de silicio FZ+NTD de 6 pulgadas con Minority Carrier Lifetime 300μs | |
| Descripción | Requisitos |
| Características generales | |
| Método de crecimiento | Grown by irradiating low doped Float Zone silicon with neutrons FZ+NTD |
| Orientación | <111> +/- 1 grado |
| Tipo de conductividad | norte |
| Sustancia de impureza | PAGS |
| Área del mando | 3 mm desde el borde de una oblea no están supervisados |
| Las caracteristicas electricas | |
| Constante de resistividad | 100 Ohm.cm ±8% |
| Dispersión radial de constante de resistividad |
No más del 4 % |
| Portador minoritario Mínimo de por vida |
300 mc |
| Las caracteristicas quimicas | |
| contenido de oxigeno | 0,2 ppma |
| contenido de carbono | 0,2 ppma |
| Perfección de estructuras | |
| Contenido de dislocación | libre |
| Densidad de defectos del paquete | No más de 1*102 1/cm2 |
| Densidad de microdefectos | No más de 1*104 1/cm2 |
| remolinos | libre |
| Característica de la preparación de obleas | |
| parte de atrás | Lapeado y grabado |
| geométricos | |
| Diámetro | 152,4+1mm |
| Tramo de corte primario | 30-35mm |
| amplitud de faceta | Producción de 0,1-0,25 mm en un «anterior» |
| Espesor | 625 mm |
| Poliespesor (TTV) | no más de 5 um |
| Alabeo | No más de 35 um |
| Variación en plano | No más de 5 um |
| Estado de la superficie de trabajo | Pulido |
| arañazos | Deficiencia |
| Microrrasguños (riesgo) | La longitud total no más 0,5 diámetros de la oblea |
| Contaminación | Deficiencia |
| embotamiento | NEBLINA≤5 ppm |
| costras | Deficiencia |
| piel de naranja | Deficiencia |
| Defecto de la hoja de sierra | Deficiencia |
| Superficie de no trabajo condición | molido, grabado |
| Borde de costras | Deficiencia |
| Romper tal "garra de cuervo" | Deficiencia |
| Contaminación | Deficiencia |
| Defecto de la hoja de sierra | Deficiencia |
| arañazos | La longitud total no más 0,5 diámetros de la oblea |
| Mota de grabado no uniforme | Deficiencia |
4. Oblea de silicio FZ+NTD de 6 pulgadas con orientación (111) y grosor de 625 μm
| Oblea de silicio FZ+NTD de 6 pulgadas con orientación (111) y grosor de 625 μm | |||
| Descripción | Unidad | Valor | Método estándar de control |
| Método | FZ+NTD | ||
| Tipo | norte | ||
| dopante | P (fósforo) | ||
| Orientación | - | <111> +/- 1 grado | ASTM F 26 |
| Diámetro | mm | 152,4±1 | Calibre |
| Espesor, mín. | um | 625 | - |
| Resistividad | Ohmios * cm | 100 | Sonda de 4 puntos ASTM F 84 |
| Variación de resistividad radial, máx. | % | 8 | ASTM F 81 Plan C |
| Minority Carrier Lifetime, min | mcs | 300 | ASTM F1535-94 |
| Contenido de carbono, máx. | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
| Contenido de oxígeno/ | ppma | 0.2 | ASTM F 1188-93a |
| Lado delantero | Pulido | ||
| parte de atrás | molido, grabado | ||
| remolinos | - | ninguno | F47 |
| Dislocaciones | - | ninguno | F47 |
5. Oblea de silicio FZ+NTD de 6 pulgadas con un grosor de 300 μm
| Oblea de silicio FZ+NTD de 6 pulgadas con un grosor de 300 μm | |
| Descripción | Requisitos |
| Diámetro | 150 mm ± 0,5 mm |
| Espesor | 300um |
| método de crecimiento | FZ+NTD |
| Orientación | (100) |
| Tipo: norte | norte |
| dopante | PAGS |
| Resistividad | 85 ohmios*cm ±4% |
| Acabado de la superficie | Solo lado pulido |
| Pisos | 1, SEMI-Std, longitud 30-35 mm |
| TTV | ≤5um |
| Deformación | ≤35um |
| Arco | ≤5um |
| Contenido de oxígeno | ≤1.0*10^18cm-3 |
| Contenido de carbon | ≤5.0*10^16cm-3 |
| Dislocaciones | Ninguno |
| Deslizar | Ninguno |
| Calina | Ninguno |
| Arañazos | Ninguno |
| Chips de borde | Ninguno |
| hoyuelos | Ninguno |
| Piel de naranja | Ninguno |
| Grietas/fracturas | Ninguno |
6. Lingote de tierra de silicio FZ+NTD de 6 pulgadas
| Lingote de tierra de silicio FZ+NTD de 6 pulgadas | |||
| Parámetro | Unidad | Valor | Método estándar de control |
| Método | FZ+NTD | ||
| Tipo | norte | ||
| dopante | P (fósforo) | ||
| Orientación | - | <111> +/- 1 grado | ASTM F 26 |
| Diámetro | mm | 150.0+0.5 | Calibre |
| Resistividad | Ohmios * cm | 170 | Sonda de 4 puntos ASTM F 84 |
| Variación de resistividad radial, máx. | % | 8 | ASTM F 81 Plan C |
| Minority Carrier Lifetime, min | mcs | 300 | ASTM F1535-94 |
| Contenido de carbono, máx. | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
| Contenido de oxígeno | ppma | 22 | ASTM F 1188-93a |
| remolinos | - | ninguno | F47 |
| Dislocaciones | - | ninguno | F47 |
7. Oblea de silicio FZ de 4 pulgadas
| Oblea de silicio FZ de 4 pulgadas | |||
| Artículo | Parámetros | ||
| Materiales | Silicio Monocristalino | ||
| Grado | Primer grado | ||
| Método de crecimiento | FZ | ||
| Diámetro | 4″(100±0,4 mm) | ||
| Tipo de conductividad | Intrínseco | Tipo N | Tipo P |
| dopante | bajo dopado | Fósforo | Boron |
| Orientación | <111>±0,5° | [110]±0,5° | (100)±1° |
| Espesor | 500±25μm | ||
| Resistividad | >10,000Ωcm | >5,000Ωcm | 5.000-10.000Ωcm |
| VRR | <40% (ASTM F81 Plan C) | ||
| Piso primaria | Pisos SEMI STD | ||
| secundaria plana | Pisos SEMI STD | ||
| Acabado de la superficie | One-Side-Epi-Ready-Pulido, Parte trasera grabada |
||
| borde redondeado | Por estándar SEMI | ||
| Partícula | <20 recuentos a 0,3 μm | ||
| Aspereza | <0.5nm | ||
| TTV | <10um | ||
| Arco / Warp | <40um | ||
| TIR | <5 µm | ||
| Contenido de oxígeno | <2E16/cm3 | ||
| Contenido de carbon | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| REVOLVER (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| Vida útil de MCC | >1000 μs | ||
| Contaminación superficial de metales Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr | ≤5E10 átomos/cm2 | ||
| densidad de dislocaciones | 500 máx./cm2 | ||
| Astillas, rayones, protuberancias, neblina, marcas táctiles, piel de naranja, hoyos, grietas, suciedad, contaminación | Todos / ningunos | ||
| Marcos láser | Along The Flat
en el frente, Opción Láser Serializado: láser superficial |
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