GaN en GaN
GaN (nitruro de galio) en una oblea de GaN es la mejor solución debido a que no hay desajuste de red entre el sustrato y las capas epi. El menor defecto en la película de GaN/GaN proporciona una mayor durabilidad del dispositivo. La red y el coeficiente de expansión térmica de la oblea GaN-on-GaN coinciden perfectamente. Por lo tanto, una capa de GaN muy gruesa puede crecer epitaxialmente sobre un sustrato de GaN a granel, lo que permite la fabricación de dispositivos de alto voltaje de ruptura. Ganwafer, un fabricante de obleas de GaN sobre GaN, ofrece obleas epi de GaN sobre GaN de 2" y 4" en semiconductores de banda prohibida ancha (WBG):
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Descripción
1. Capas N+ GaN en sustrato N+ GaN
| Artículo 1 | Especificaciones |
| oblea de GaN | 100 mm o 50,8 mm, oblea N+ GaN |
| 1Epi crecimiento | N+,10-15um, Nd: 1E15-1E16 |
2. Capas N+/P+ GaN en sustrato N+ GaN
| Artículo 2 | Especificaciones |
| oblea de GaN | 100 mm o 50,8 mm, oblea N+ GaN |
| 1Epi crecimiento | N+, 10-15um,Nd:1E15-1E16 |
| 2Epi crecimiento | 0,5-2um, tipo P, Na:1E17-1E19 |
| 3Epi crecimiento | 0.1um, tipo P, GaN, Na:-8E19 |
3. Capas de N+GaN sobre sustrato de GaN semiaislante
| Artículo 3 | Especificaciones |
| oblea de GaN | Oblea de GaN semiaislante de 100 mm o 50,8 mm |
| 1Epi crecimiento | N+,10-15um,Nd:1E15-1E16 |
4. Tecnología vertical de oblea GaN/GaN
La tecnología de GaN vertical aprovecha al máximo las propiedades de GaN porque se basa en el crecimiento homoepitaxial de GaN en un sustrato de GaN. Las características obvias de la tecnología GaN vertical:
El crecimiento homoepitaxial en sustrato de GaN obtiene los mejores espectros de estos ángulos de corte, lo que da como resultado la mejor morfología y el mejor rendimiento del dispositivo. El uso flexible del sustrato de GaN a granel puede producir n-GaN con dopaje ultra bajo. Controlar el dopaje con Mg es graduar las uniones pn durante el proceso de crecimiento. La generación de uniones pn nítidas según sea necesario es un proceso de crecimiento planarizado para la rugosidad de la superficie con una rugosidad de la superficie extremadamente baja. En el caso de p GaN/n GaN vertical, tanto el sustrato como la capa epitaxial son GaN con una densidad de defectos extremadamente baja.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
