GaN sobre GaN
GaN (Gallium Nitride) on GaN wafer is the best solution because of zero lattice mismatch between substrate and epi layers. The lower defect in GaN / GaN film provides extended device durability. The lattice and thermal expansion coefficient of GaN-on-GaN wafer are perfectly matched. Therefore, a very thick GaN layer can be epitaxially grown on a bulk GaN substrate, enabling the fabrication of high breakdown voltage devices. Ganwafer, a GaN on GaN wafer manufacturer, offers 2” and 4” GaN on GaN epi wafer in wide bandgap (WBG) semiconductors:
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Camadas N+ GaN em Substrato N+ GaN
| Item 1 | Especificações |
| wafer GaN | 100 mm ou 50,8 mm, N+ GaN Wafer |
| 1Epi crescimento | N+,10-15um, Nd: 1E15-1E16 |
2. Camadas N+/P+ GaN no substrato N+ GaN
| Item 2 | Especificações |
| wafer GaN | 100 mm ou 50,8 mm, N+ GaN Wafer |
| 1Epi crescimento | N+, 10-15um, Nd:1E15-1E16 |
| 2Epi crescimento | 0,5-2um, tipo P, Na:1E17-1E19 |
| 3Epi crescimento | 0,1um, tipo P,GaN, Na:-8E19 |
3. Camadas N+GaN em Substrato de GaN Semi-isolante
| Item 3 | Especificações |
| wafer GaN | 100 mm ou 50,8 mm, semi-isolante GaN Wafer |
| 1Epi crescimento | N+,10-15um,Nd:1E15-1E16 |
4. Tecnologia Vertical de Wafer GaN/GaN
A tecnologia vertical de GaN aproveita ao máximo as propriedades de GaN porque é baseada no crescimento homoepitaxial de GaN em um substrato de GaN. As características óbvias da tecnologia vertical GaN:
O crescimento homoepitaxial no substrato GaN obtém os melhores espectros desses ângulos de corte, resultando na melhor morfologia e no melhor desempenho do dispositivo. O uso flexível de substrato de GaN a granel pode produzir n-GaN com dopagem ultrabaixa. Controlar a dopagem com Mg é graduar as junções pn durante o processo de crescimento. A geração de junção pn afiada conforme necessário é um processo de rebrota planarizado para rugosidade superficial com rugosidade superficial extremamente baixa. No caso de p GaN/n GaN vertical, tanto o substrato quanto a camada epitaxial são GaN com densidade de defeitos extremamente baixa.
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!
