GaN em GaN

GaN sobre GaN

GaN (Gallium Nitride) on GaN wafer is the best solution because of zero lattice mismatch between substrate and epi layers. The lower defect in GaN / GaN film provides extended device durability. The lattice and thermal expansion coefficient of GaN-on-GaN wafer are perfectly matched. Therefore, a very thick GaN layer can be epitaxially grown on a bulk GaN substrate, enabling the fabrication of high breakdown voltage devices. Ganwafer, a GaN on GaN wafer manufacturer, offers 2” and 4” GaN on GaN epi wafer in wide bandgap (WBG) semiconductors:

Descrição

1. Camadas N+ GaN em Substrato N+ GaN

Item 1 Especificações
wafer GaN 100 mm ou 50,8 mm, N+ GaN Wafer
1Epi crescimento N+,10-15um, Nd: 1E15-1E16

 

2. Camadas N+/P+ GaN no substrato N+ GaN

Item 2 Especificações
wafer GaN 100 mm ou 50,8 mm, N+ GaN Wafer
1Epi crescimento N+, 10-15um, Nd:1E15-1E16
2Epi crescimento 0,5-2um, tipo P, Na:1E17-1E19
3Epi crescimento 0,1um, tipo P,GaN, Na:-8E19

 

3. Camadas N+GaN em Substrato de GaN Semi-isolante

Item 3 Especificações
wafer GaN 100 mm ou 50,8 mm, semi-isolante GaN Wafer
1Epi crescimento N+,10-15um,Nd:1E15-1E16

 

4. Tecnologia Vertical de Wafer GaN/GaN

A tecnologia vertical de GaN aproveita ao máximo as propriedades de GaN porque é baseada no crescimento homoepitaxial de GaN em um substrato de GaN. As características óbvias da tecnologia vertical GaN:

O crescimento homoepitaxial no substrato GaN obtém os melhores espectros desses ângulos de corte, resultando na melhor morfologia e no melhor desempenho do dispositivo. O uso flexível de substrato de GaN a granel pode produzir n-GaN com dopagem ultrabaixa. Controlar a dopagem com Mg é graduar as junções pn durante o processo de crescimento. A geração de junção pn afiada conforme necessário é um processo de rebrota planarizado para rugosidade superficial com rugosidade superficial extremamente baixa. No caso de p GaN/n GaN vertical, tanto o substrato quanto a camada epitaxial são GaN com densidade de defeitos extremamente baixa.

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