GaN semiaislante sobre plantilla de zafiro o silicio
Ganwafer’s Template Products includes 4” and 2” Semi-Insulating GaN on Sapphire/Silicon Substrates, which are epi-ready.
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Descripción
1. Especificaciones de GaN semiaislante en plantilla de zafiro
1.1 Sustratos de zafiro/GaN semiaislantes de 4 pulgadas
| tem | GANW-T-GaN-100-SI |
| Dimensión | 100 ±0,1 mm |
| Espesor | 1,8 ±0,5 micras |
| Orientación de GaN | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientación de GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo de conducción | Semi-aislante |
| Resistividad (300K) | > 105 Ω·cm |
| concentración de portadores | >1x1018cm-3(≈concentración de dopaje) |
| Movilidad | ~ 200cm2 / V·s |
| densidad de dislocaciones | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estructura | 1,8 μm GaN/~ 50 nm uGaN capa amortiguadora/430 ±25 μm zafiro |
| Orientación de Zafiro | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientación de Zafiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rugosidad de la superficie: | Lado frontal: Ra<0.5nm, epi-ready; |
| Reverso: grabado o pulido. | |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de defectos de borde y macro) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
Sustratos de zafiro/GaN semiaislantes de 1,2 y 2 pulgadas
| Artículo | GANW-T-GaN-50-SI |
| Dimensión | 50,8 ±0,1 mm |
| Espesor | 1,8 ±0,5 micras |
| Orientación de GaN | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientación de GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo de conducción | Semi-aislante |
| Resistividad (300K) | > 105 Ω·cm |
| concentración de portadores | >1x1018cm-3(≈concentración de dopaje) |
| Movilidad | ~ 200cm2 / V·s |
| densidad de dislocaciones | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estructura | 1,8 μm GaN/~ 50 nm uGaN capa amortiguadora/430 ±25 μm zafiro |
| Orientación de Zafiro | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientación de Zafiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rugosidad de la superficie: | Lado frontal: Ra<0.5nm, epi-ready; |
| Reverso: grabado o pulido. | |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de defectos de borde y macro) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
2. Lista de GaN semiaislante en plantilla de silicio
| Descripción | Tipo | dopante | Sustrato | Tamaño | Espesor de GaN | Superficie |
| Plantilla de GaN en oblea de silicio de 4″, película de GaN | semi-aislante | - | Sustratos de silicio (111) | 4 " | 2um | pulido de un solo lado |
| Plantilla de GaN en oblea de silicio de 2″, película de GaN | semi-aislante | - | Sustratos de silicio (111) | 2 " | 2um | pulido de un solo lado |
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
