サファイアまたはシリコンテンプレート上の半絶縁性GaN
Ganwafer’s Template Products includes 4” and 2” Semi-Insulating GaN on Sapphire/Silicon Substrates, which are epi-ready.
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説明
1.サファイアテンプレート上の半絶縁性GaNの仕様
1.14インチの半絶縁性GaN /サファイア基板
TEM | GANW-T-GaN-100-SI |
寸法 | 100±0.1mm |
厚さ | 1.8±0.5μm |
GaNの配向 | C平面(0001)のA軸に対するオフ角度0.2±0.1° |
GaNの配向フラット | (1-100)0±0.2°、16±1mm |
伝導型 | 半絶縁性 |
抵抗率(300K) | >105Ω・cm |
キャリア濃度 | > 1x1018cm-3(≈ドーピング濃度) |
モビリティ | 〜200cm2 / V・s |
転位密度 | <5x108cm-2(XRDのFWHMによる推定) |
構造 | 1.8μmGaN/ 〜50 nmuGaNバッファ層/ 430±25μmサファイア |
サファイアのオリエンテーション | M軸に向かうC平面(0001)のオフ角度0.2±0.1° |
サファイアのオリエンテーションフラット | (11-20)0±0.2°、16±1mm |
表面粗さ: | 表側:Ra <0.5nm、エピ対応; |
裏面:エッチングまたは研磨。 | |
使用可能面積 | > 90%(エッジおよびマクロの欠陥の除外) |
パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
1.22インチの半絶縁性GaN /サファイア基板
アイテム | GANW-T-GaN-50-SI |
寸法 | 50.8±0.1mm |
厚さ | 1.8±0.5μm |
GaNの配向 | C平面(0001)のA軸に対するオフ角度0.2±0.1° |
GaNの配向フラット | (1-100)0±0.2°、16±1mm |
伝導型 | 半絶縁性 |
抵抗率(300K) | >105Ω・cm |
キャリア濃度 | > 1x1018cm-3(≈ドーピング濃度) |
モビリティ | 〜200cm2 / V・s |
転位密度 | <5x108cm-2(XRDのFWHMによる推定) |
構造 | 1.8μmGaN/ 〜50 nmuGaNバッファ層/ 430±25μmサファイア |
サファイアのオリエンテーション | M軸に向かうC平面(0001)のオフ角度0.2±0.1° |
サファイアのオリエンテーションフラット | (11-20)0±0.2°、16±1mm |
表面粗さ: | 表側:Ra <0.5nm、エピ対応; |
裏面:エッチングまたは研磨。 | |
使用可能面積 | > 90%(エッジおよびマクロの欠陥の除外) |
パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
2.シリコンテンプレート上の半絶縁性GaNのリスト
説明 | タイプ | ドーパント | 基板 | サイズ | GaNの厚さ | 表面 |
4インチシリコンウェーハ上のGaNテンプレート、GaNフィルム | 半絶縁性 | — | Si(111)基板 | 4 " | 2um | 片面研磨 |
2インチシリコンウェーハ上のGaNテンプレート、GaNフィルム | 半絶縁性 | — | Si(111)基板 | 2 " | 2um | 片面研磨 |
述べる:
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料(GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど)およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日以降、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解いただければ幸いです。