Halbisolierendes GaN auf Saphir- oder Siliziumschablone
Ganwafer’s Template Products includes 4” and 2” Semi-Insulating GaN on Sapphire/Silicon Substrates, which are epi-ready.
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Beschreibung
1. Spezifikationen von halbisolierendem GaN auf Saphir-Template
1.1 Halbisolierende 4-Zoll-GaN/Saphir-Substrate
| tem | GANW-T-GaN-100-SI |
| Dimension | 100 ± 0,1 mm |
| Dicke | 1,8 ± 0,5 μm |
| Ausrichtung von GaN | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ±0,1° |
| Orientierungsfläche aus GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Conduction Typ | Halbisolierend |
| Widerstand (300K) | > 105 Ω·cm |
| Ladungsträgerkonzentration | >1x1018cm-3(≈Dotierungskonzentration) |
| Mobilität | ~ 200cm2 / V·s |
| Versetzungsdichte | < 5 x 108 cm-2 (geschätzt durch FWHMs von XRD) |
| Struktur | 1,8 μm GaN/~ 50 nm uGaN-Pufferschicht/430 ±25 μm Saphir |
| Ausrichtung von Saphir | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ±0,1° |
| Orientierungsfläche aus Saphir | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Oberflächenrauheit: | Vorderseite: Ra<0,5nm, epi-ready; |
| Rückseite: geätzt oder poliert. | |
| Nutzfläche | > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
1.2 Halbisolierende 2-Zoll-GaN/Saphir-Substrate
| Artikel | GANW-T-GaN-50-SI |
| Dimension | 50,8 ± 0,1 mm |
| Dicke | 1,8 ± 0,5 μm |
| Ausrichtung von GaN | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ±0,1° |
| Orientierungsfläche aus GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Conduction Typ | Halbisolierend |
| Widerstand (300K) | > 105 Ω·cm |
| Ladungsträgerkonzentration | >1x1018cm-3(≈Dotierungskonzentration) |
| Mobilität | ~ 200cm2 / V·s |
| Versetzungsdichte | < 5 x 108 cm-2 (geschätzt durch FWHMs von XRD) |
| Struktur | 1,8 μm GaN/~ 50 nm uGaN-Pufferschicht/430 ±25 μm Saphir |
| Ausrichtung von Saphir | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ±0,1° |
| Orientierungsfläche aus Saphir | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Oberflächenrauheit: | Vorderseite: Ra<0,5nm, epi-ready; |
| Rückseite: geätzt oder poliert. | |
| Nutzfläche | > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
2. Liste der halbisolierenden GaN-auf-Silizium-Vorlage
| Beschreibung | Art | Dotierstoff | Substrat | Größe | GaN-Dicke | Oberfläche |
| GaN-Template auf 4″-Siliziumwafer, GaN-Film | halbisolierende | - - | Si(111)-Substrate | 4 " | 2um | einseitig poliert |
| GaN-Template auf 2″-Siliziumwafer, GaN-Film | halbisolierende | - - | Si(111)-Substrate | 2 " | 2um | einseitig poliert |
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!
