GaN semi-isolante em modelo de safira ou silício
Ganwafer’s Template Products includes 4” and 2” Semi-Insulating GaN on Sapphire/Silicon Substrates, which are epi-ready.
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Especificações de GaN Semi-isolante no Modelo de Safira
Substratos de GaN/safira semi-isolantes de 1,1 4 polegadas
| tem | GANW-T-GaN-100-SI |
| Dimensão | 100 ± 0,1 mm |
| Espessura | 1,8 ±0,5 μm |
| Orientação do GaN | Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientação do GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo de condução | Semi-isolante |
| Resistividade (300K) | > 105 Ω·cm |
| Concentração transportadora | >1x1018cm-3(≈concentração de doping) |
| Mobilidade | ~ 200cm2 / V·s |
| Densidade deslocamento | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estrutura | 1,8 μm GaN/~ 50 nm uGaN camada tampão/430 ±25 μm safira |
| Orientação de Safira | Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientação de Safira | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rigidez da superfície: | Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi; |
| Verso: gravado ou polido. | |
| Área útil | > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos) |
| Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
Substratos de GaN/Safira Semi-isolantes de 1,2 2 polegadas
| Item | GANW-T-GaN-50-SI |
| Dimensão | 50,8 ±0,1 mm |
| Espessura | 1,8 ±0,5 μm |
| Orientação do GaN | Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientação do GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo de condução | Semi-isolante |
| Resistividade (300K) | > 105 Ω·cm |
| Concentração transportadora | >1x1018cm-3(≈concentração de doping) |
| Mobilidade | ~ 200cm2 / V·s |
| Densidade deslocamento | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estrutura | 1,8 μm GaN/~ 50 nm uGaN camada tampão/430 ±25 μm safira |
| Orientação de Safira | Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientação de Safira | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rigidez da superfície: | Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi; |
| Verso: gravado ou polido. | |
| Área útil | > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos) |
| Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
2. Lista de GaN Semi-isolante no Modelo de Silício
| Descrição | Tipo | dopante | Substrato | Tamanho | Espessura de GaN | Superfície |
| GaN Template em 4″ Silicon Wafer, filme GaN | semi-isolante | - | Substratos de Si (111) | 4 " | 2um | único lado polido |
| GaN Template em 2″ Silicon Wafer, filme GaN | semi-isolante | - | Substratos de Si (111) | 2 " | 2um | único lado polido |
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!
