Oblea de InP

oblea de entrada

Indium phosphide (InP) is one of the important III-V compound semiconductors. It has the advantages of high electron mobility, good radiation resistance, and high band gap, which means that this material can amplify higher frequencies or signals with shorter wavelengths. Therefore, satellite receivers and amplifiers made of indium phosphide chips can work at extremely high frequencies above 100 GHz with high stability. Compared with gallium arsenide semiconductor materials, single crystal indium phosphide for sale from Ganwafer has a higher breakdown electric field and thermal conductivity, and higher electron mobility. More about our InP semiconductor wafer please see as follows:

Descripción

En la actualidad, los tamaños principales de los sustratos monocristalinos de InP son de 2 a 4 pulgadas. Desde las materias primas hasta los lingotes, el fosfuro de indio se corta en oblea de 2 o 4 pulgadas. La tasa de rendimiento suele rondar el 28 % y el umbral técnico no suele ser alto. Cuanto mayor sea el tamaño de la oblea de fosfuro de indio, mayor será el valor.

1. Especificaciones detalladas de la oblea de fosfuro de indio

1.1. Especificación de oblea monocristalina de 4″ InP (fosfuro de indio)

Artículo Especificaciones
dopante N-tipo N-tipo Tipo P tipo SI
Tipo de conducción bajo dopado Azufre Zinc hierro
Diámetro de la oblea 4 "
oblea de Orientación (100) ± 0,5 °
Espesor de la oblea 600±25um
Longitud plana primaria 16±2 mm
Secundaria plana Longitud 8±1mm
concentración de portadores ≤3x1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Movilidad (3.5-4)x103cm2/V (1.5-3.5)x103cm2/V 50-70x103cm2/V >1000cm2/V
Resistividad N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <15um
ARCO <15um
DEFORMACIÓN <15um
marcado por láser a pedido
Acabado de superficie P / E, P / P
Epi listo
Paquete Recipiente o casete de una oblea

 

1.2. Especificación de sustrato de oblea de fosfuro de indio de 3″

Artículo Especificaciones
dopante N-tipo N-tipo Tipo P tipo SI
Tipo de conducción bajo dopado Azufre Zinc hierro
Diámetro de la oblea 3 "
oblea de Orientación (100) ± 0,5 °
Espesor de la oblea 600±25um
Longitud plana primaria 16±2 mm
Secundaria plana Longitud 8±1mm
concentración de portadores ≤3x1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Movilidad (3.5-4)x103cm2/V (1.5-3.5)x103cm2/V 50-70x103cm2/V >1000cm2/V
Resistividad N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <12um
ARCO <12um
DEFORMACIÓN <15um
marcado por láser a pedido
Acabado de superficie P / E, P / P
Epi listo
Paquete Recipiente o casete de una oblea

1.3. Especificación de sustrato de oblea InP de 2″

Artículo Especificaciones
dopante N-tipo N-tipo Tipo P tipo SI
Tipo de conducción bajo dopado Azufre Zinc hierro
Diámetro de la oblea 2 "
oblea de Orientación (100) ± 0,5 °
Espesor de la oblea 350±25um
Longitud plana primaria 16±2 mm
Secundaria plana Longitud 8±1mm
concentración de portadores 3x1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Movilidad (3.5-4)x103cm2/V (1.5-3.5)x103cm2/V 50-70x103cm2/V >1000cm2/V
Resistividad N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <10um
ARCO <10um
DEFORMACIÓN <12um
marcado por láser a pedido
Acabado de superficie P / E, P / P
Epi listo
Paquete Recipiente o casete de una oblea

 

2. Clasificación y aplicación de fosfuro de indio

Según el rendimiento de la conductividad, los sustratos InP se dividen principalmente en sustratos semiconductores y semiaislantes.
Los sustratos semiconductores se clasifican en sustratos semiconductores tipo N y tipo P. Por lo general, In2S3 y Sn se usan como dopantes para sustratos de tipo N, y ZnP2 se usa como dopantes para sustratos de tipo p. El propósito del uso de varios dopantes es proporcionar sustratos de diferentes tipos de conductividad para la fabricación de dispositivos, específicamente como sigue:
* El InP dopado en S tipo N no solo se usa para diodos láser, sino también para fotodetectores. Para evitar la corriente de fuga generada por las dislocaciones, es necesario un semiconductor de fosfuro de indio sin dislocaciones dopado con S. Debido a que el azufre tiene un efecto evidente de endurecimiento de impurezas en el sustrato de InP, los monocristales a granel de fosfuro de indio sin dislocaciones son fáciles de cultivar.
* El fosfuro de indio (InP) dopado con Zn tipo P se utiliza principalmente para diodos láser de alta potencia. Zn también tiene un fuerte efecto de endurecimiento de impurezas, por lo que también puede hacer que la relación de dislocación sea baja. La dislocación baja es muy importante para mejorar la vida útil del láser.
* Los sustratos InP semiaislantes se clasifican en sustratos semiaislantes dopados y sustratos semiaislantes no dopados según estén o no dopados. Los sustratos semiaislantes dopados suelen utilizar Fe2P como dopante. El sustrato semiaislante no dopado está hecho de un sustrato de cristal único InP de alta pureza mediante recocido a alta temperatura. Los sustratos semiconductores de fosfuro de indio semiaislantes se utilizan principalmente para fabricar dispositivos de radiofrecuencia.

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