Sustrato semipolar independiente de GaN

Sustrato semipolar independiente de GaN

En términos del crecimiento de dispositivos de longitud de onda más larga, como emisores amarillos o incluso rojos, incluidos LED y LD, (11-22) el sustrato de GaN semipolar será el material más prometedor, aunque todavía hay muchos desafíos importantes. Tal vez estos problemas puedan resolverse mejorando la tecnología de crecimiento y el diseño estructural. Además, el crecimiento de GaN semipolar con (11-22) directamente sobre zafiro plano será una gran ventaja para la aplicación comercial de esta tecnología.

PAM-XIAMEN ofrece sustrato a granel de GaN semipolar independiente que incluye uno dopado con Si, sin dopar y semiaislante con orientación (10-11) y (11-22) respectivamente. La especificación detallada del sustrato de GaN semipolar es la siguiente:

Descripción

1. Sustrato de GaN independiente semipolar (10-11) dopado con Si

Artículo PAM-FS-GAN(10-11)-N
Dimensión 5x10 mm2
Espesor 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientación (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje A 0 ±0,5°
(10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje C -1 ±0,2°
Tipo de conducción N-tipo
Resistividad (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready;
Reverso: Rectificado fino o pulido.
densidad de dislocaciones De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidad de macrodefectos 0 cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100

 

2. Sustrato de GaN autoportante semipolar no dopado (10-11)

Artículo PAM-FS-GAN(10-11)-U
Dimensión 5x10 mm2
Espesor 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientación (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje A 0 ±0,5°
(10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje C -1 ±0,2°
Tipo de conducción N-tipo
Resistividad (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready;
Reverso: Rectificado fino o pulido.
densidad de dislocaciones De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidad de macrodefectos 0 cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100

 

3. Sustrato de GaN Semipolar independiente semiaislante (10-11)

Artículo PAM-FS-GAN(10-11)-SI
Dimensión 5x10 mm2
Espesor 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientación (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje A 0 ±0,5°
(10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje C -1 ±0,2°
Tipo de conducción Semi-aislante
Resistividad (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready;
Reverso: Rectificado fino o pulido.
densidad de dislocaciones De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidad de macrodefectos 0 cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100

 

4. Sustrato de GaN autónomo semipolar (11–22) dopado con Si

Artículo PAM-FS-GAN(11-22)-N
Dimensión 5x10 mm2
Espesor 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientación (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo de conducción N-tipo
Resistividad (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready;
Reverso: Rectificado fino o pulido.
densidad de dislocaciones De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidad de macrodefectos 0 cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100

 

5. Sustrato de GaN (11-22) semipolar autónomo no dopado

Artículo PAM-FS-GAN(11-22)-U
Dimensión 5x10 mm2
Espesor 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientación (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo de conducción N-tipo
Resistividad (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready;
Reverso: Rectificado fino o pulido.
densidad de dislocaciones De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidad de macrodefectos 0 cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100

6. Sustrato independiente de GaN semiaislante semipolar (11-22)

Artículo PAM-FS-GAN(11-22)-SI
Dimensión 5x10 mm2
Espesor 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientación (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo de conducción Semi-aislante
Resistividad (300K) > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready;
Reverso: Rectificado fino o pulido.
densidad de dislocaciones De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2
Densidad de macrodefectos 0 cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100

 

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