Sustrato semipolar independiente de GaN
En términos del crecimiento de dispositivos de longitud de onda más larga, como emisores amarillos o incluso rojos, incluidos LED y LD, (11-22) el sustrato de GaN semipolar será el material más prometedor, aunque todavía hay muchos desafíos importantes. Tal vez estos problemas puedan resolverse mejorando la tecnología de crecimiento y el diseño estructural. Además, el crecimiento de GaN semipolar con (11-22) directamente sobre zafiro plano será una gran ventaja para la aplicación comercial de esta tecnología.
Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:
- Descripción
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Descripción
1. Sustrato de GaN independiente semipolar (10-11) dopado con Si
| Artículo | GANW-FS-GAN(10-11)-N |
| Dimensión | 5x10 mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje A 0 ±0,5° |
| (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje C -1 ±0,2° | |
| Tipo de conducción | N-tipo |
| Resistividad (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0 cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
2. Sustrato de GaN autoportante semipolar no dopado (10-11)
| Artículo | GANW-FS-GAN(10-11)-U |
| Dimensión | 5x10 mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje A 0 ±0,5° |
| (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje C -1 ±0,2° | |
| Tipo de conducción | N-tipo |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0 cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
3. Sustrato de GaN Semipolar independiente semiaislante (10-11)
| Artículo | GANW-FS-GAN(10-11)-SI |
| Dimensión | 5x10 mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje A 0 ±0,5° |
| (10-11) ángulo de salida del plano hacia el eje C -1 ±0,2° | |
| Tipo de conducción | Semi-aislante |
| Resistividad (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0 cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
4. Sustrato de GaN autónomo semipolar (11–22) dopado con Si
| Artículo | GANW-FS-GAN(11-22)- N |
| Dimensión | 5x10 mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo de conducción | N-tipo |
| Resistividad (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0 cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
5. Sustrato de GaN (11-22) semipolar autónomo no dopado
| Artículo | GANW-FS-GAN(11-22)- U |
| Dimensión | 5x10 mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo de conducción | N-tipo |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0 cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
6. Sustrato independiente de GaN semiaislante semipolar (11-22)
| Artículo | GANW-FS-GAN(11-22)- SI |
| Dimensión | 5x10 mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo de conducción | Semi-aislante |
| Resistividad (300K) | > 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | De 1 x 10 5 a 5 x 10 6cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0 cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
