Sustrato de GaN independiente M Face
Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:
- Descripción
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Descripción
1. Sustrato de GaN M-Plane a granel dopado con Si
| Artículo | GANW-FS-GAN M-N |
| Dimensión | 5x10mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | Plano M (1-100) fuera de ángulo hacia el eje A 0 ±0,5° |
| Plano M (1-100) fuera del ángulo hacia el eje C -1 ±0,2° | |
| Tipo de conducción | N-tipo |
| Resistividad (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | Desde 1x105a 5x106cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
2. Sustrato de GaN independiente M-Face sin dopar
| Artículo | GANW-FS-GAN M-U |
| Dimensión | 5x10mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | Plano M (1-100) fuera de ángulo hacia el eje A 0 ±0,5° |
| Plano M (1-100) fuera del ángulo hacia el eje C -1 ±0,2° | |
| Tipo de conducción | N-tipo |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | Desde 1x105a 5x106cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
3. Sustrato de GaN independiente del plano M semiaislante
| Artículo | GANW-FS-GAN M-SI |
| Dimensión | 5x10mm2 |
| Espesor | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientación | Plano M (1-100) fuera de ángulo hacia el eje A 0 ±0,5° |
| Plano M (1-100) fuera del ángulo hacia el eje C -1 ±0,2° | |
| Tipo de conducción | Semi-aislante |
| Resistividad (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micras |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Rugosidad de la superficie | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
| Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
| densidad de dislocaciones | Desde 1x105 a 5x106cm-2 |
| Densidad de macrodefectos | 0cm-2 |
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
| Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
