La oblea LED GaN para la venta se cultiva epitaxialmente en zafiro y silicio. Además, podemos ofrecer epitaxia LED sobre sustrato de arseniuro de galio (GaAs).
Ganwafer is one of leading LED Wafer Manufacturers that offers wafers that can be in different thicknesses and orientations with polished or unpolished sides and can comprise dopants. As a wide band gap semiconductor material, GaN provides higher efficiency and power density than conventional semiconductors at the device level. The LED epitaxial wafer based on GaN has benefits like size reduction, less power consumption, and affordable cost.
Con el desarrollo del proceso de fabricación de obleas LED, la oblea epitaxial LED de GaN es una estructura compleja de múltiples capas que crece a través de la epitaxia. La oblea LED epi se usa ampliamente para producir dispositivos electrónicos que demuestran un rendimiento superior, incluidos LED azul, rojo, verde o UV, LD u otras aplicaciones. La longitud de onda de nuestra producción de obleas LED con emisión verde, azul o roja varía de 365nm a 870nm. El rendimiento de la oblea LED mejora la producción y la eficiencia de diferentes productos.
Nos enfocamos en las demandas de los clientes, ofreciendo empaques de nivel de oblea LED. Nuestras soluciones de obleas LED son para aplicaciones comerciales y de investigación y para la investigación y el desarrollo de nuevas tecnologías.
