Substrato GaN semipolare autoportante
In termini di crescita di dispositivi a lunghezza d'onda più lunga come emettitori gialli o addirittura rossi, inclusi LED e LD, il substrato semipolare GaN (11-22) sarà il materiale più promettente, sebbene ci siano ancora molte sfide enormi. Forse questi problemi possono essere risolti migliorando la tecnologia di crescita e il design strutturale. Inoltre, il GaN semipolare coltivato con (11-22) direttamente su zaffiro piatto sarà un grande vantaggio per l'applicazione commerciale di questa tecnologia.
Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Substrato GaN autoportante semipolare (10-11) drogato con Si
| Voce | GANW-FS-GAN(10-11)-N |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° |
| (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
2. Substrato GaN autoportante semipolare non drogato (10-11).
| Voce | GANW-FS-GAN(10-11)-U |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° |
| (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
3. Substrato GaN semi-isolante autoportante semipolare (10-11).
| Voce | GANW-FS-GAN(10-11)-SI |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° |
| (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Resistività (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
4. Substrato GaN semipolare (11–22) drogato con Si
| Voce | GANW-FS-GAN(11-22)- N |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
5. Substrato GaN semipolare autoportante (11-22) non drogato
| Voce | GANW-FS-GAN(11-22)- U |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
6. Substrato semi-isolante semi-polare (11-22) GaN autoportante
| Voce | GANW-FS-GAN(11-22)- SI |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Resistività (300K) | > 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
