Substrato GaN semipolare autoportante

Substrato GaN semipolare autoportante

In termini di crescita di dispositivi a lunghezza d'onda più lunga come emettitori gialli o addirittura rossi, inclusi LED e LD, il substrato semipolare GaN (11-22) sarà il materiale più promettente, sebbene ci siano ancora molte sfide enormi. Forse questi problemi possono essere risolti migliorando la tecnologia di crescita e il design strutturale. Inoltre, il GaN semipolare coltivato con (11-22) direttamente su zaffiro piatto sarà un grande vantaggio per l'applicazione commerciale di questa tecnologia.

PAM-XIAMEN offre un substrato sfuso semipolare GaN indipendente, incluso uno drogato con Si, non drogato e semiisolante con orientamento (10-11) e (11-22) rispettivamente. Le specifiche di dettaglio del substrato GaN semipolare sono le seguenti:

Descrizione

1. Substrato GaN autoportante semipolare (10-11) drogato con Si

Voce PAM-FS-GAN(10-11)-N
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5°
(10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2°
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

2. Substrato GaN autoportante semipolare non drogato (10-11).

Voce PAM-FS-GAN(10-11)-U
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5°
(10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2°
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

3. Substrato GaN semi-isolante autoportante semipolare (10-11).

Voce PAM-FS-GAN(10-11)-SI
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5°
(10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2°
Tipo conduzione Semiisolante
Resistività (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

4. Substrato GaN semipolare (11–22) drogato con Si

Voce PAM-FS-GAN(11-22)- N
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

5. Substrato GaN semipolare autoportante (11-22) non drogato

Voce PAM-FS-GAN(11-22)- U
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

6. Substrato semi-isolante semi-polare (11-22) GaN autoportante

Voce PAM-FS-GAN(11-22)- SI
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Tipo conduzione Semiisolante
Resistività (300K) > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

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