Substrato GaN semipolare autoportante
In termini di crescita di dispositivi a lunghezza d'onda più lunga come emettitori gialli o addirittura rossi, inclusi LED e LD, il substrato semipolare GaN (11-22) sarà il materiale più promettente, sebbene ci siano ancora molte sfide enormi. Forse questi problemi possono essere risolti migliorando la tecnologia di crescita e il design strutturale. Inoltre, il GaN semipolare coltivato con (11-22) direttamente su zaffiro piatto sarà un grande vantaggio per l'applicazione commerciale di questa tecnologia.
Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, undoped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Substrato GaN autoportante semipolare (10-11) drogato con Si
| Voce | GANW-FS-GAN(10-11)-N |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° |
| (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
2. Substrato GaN autoportante semipolare non drogato (10-11).
| Voce | GANW-FS-GAN(10-11)-U |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° |
| (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
3. Substrato GaN semi-isolante autoportante semipolare (10-11).
| Voce | GANW-FS-GAN(10-11)-SI |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° |
| (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Resistività (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
4. Substrato GaN semipolare (11–22) drogato con Si
| Voce | GANW-FS-GAN(11-22)- N |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
5. Substrato GaN semipolare autoportante (11-22) non drogato
| Voce | GANW-FS-GAN(11-22)- U |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
6. Substrato semi-isolante semi-polare (11-22) GaN autoportante
| Voce | GANW-FS-GAN(11-22)- SI |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Resistività (300K) | > 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 10 5 a 5 x 10 6 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
