GaSb Wafer

Wafer GaSb

Gallium antimonide (GaSb) material from Ganwafer a gallium antimonide wafer supplier is an important substrate material for manufacturing 2~4um lasers, infrared light-emitting tubes and high-speed low-noise avalanche photodiodes. Its three- and quaternary compound epitaxial growth has good lattice matching, and it is one of the ideal light source materials for manufacturing optical communication devices. Device manufacturing on single crystal GaSb substrate requires the preparation of a stable oxide layer with low interface density, high resistivity, high breakdown voltage and suitable for high-temperature processes. More about GaSb (Gallium Antimonide) crystal substrates please contact us.

Descrizione

As one of important III–V compound semiconductor materials, gallium antimonide is applied in optoelectronic devices. Because of the gallium antimonide properties, such as high quantum efficiency, high hole mobility, and super lattices with customized optical and transport characteristics, devices fabricated on GaSb substrate is ideal for the mid-infrared (2-5um and 8-14um wavelength) applications, like imaging sensors for fire detection, surveillance system and environmental pollution monitors.

1. Specifiche del wafer GaSb da 4″ pronto per l'epitassia

Voce Specificazioni
drogante poco drogato Zinco Tellurio
Tipo conduzione Di tipo P Di tipo P Tipo N
Wafer Diametro 4 "
Orientamento dei wafer (100) ± 0.5 °
Wafer Spessore 800 ± 25 um
Primaria Lunghezza piatto 32,5 ± 2,5 mm
Secondaria Lunghezza piatto 18±1 mm
Concentrazione Carrier (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilità 600-700cm2/Vs 200-500 cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
EPD <2×103 cm-2
TTV <15um
ARCO <15um
ORDITO <20um
marcatura laser su richiesta
Finitura superficiale P/E, P/P
Epi pronto
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

2. Specifiche del wafer di antimonide di gallio da 3″

Voce Specificazioni
Tipo conduzione Di tipo P Di tipo P Tipo N
drogante poco drogato Zinco Tellurio
Wafer Diametro 3 "
Orientamento dei wafer (100) ± 0.5 °
Wafer Spessore 600 ± 25 um
Primaria Lunghezza piatto 22 ± 2 mm
Secondaria Lunghezza piatto 11±1 mm
Concentrazione Carrier (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilità 600-700cm2/Vs 200-500 cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
EPD <2×103 cm-2
TTV <12um
ARCO <12um
ORDITO <15um
marcatura laser su richiesta
Finitura superficiale P/E, P/P
Epi pronto
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

3. Specifiche del substrato di wafer da 2″ GaSb (antimonide di gallio).

Voce Specificazioni
drogante poco drogato Zinco Tellurio
Tipo conduzione Di tipo P Di tipo P Tipo N
Wafer Diametro 2 "
Orientamento dei wafer (100) ± 0.5 °
Wafer Spessore 500 ± 25 um
Primaria Lunghezza piatto 16±2 mm
Secondaria Lunghezza piatto 8±1 mm
Concentrazione Carrier (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilità 600-700cm2/Vs 200-500 cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
EPD <2×103 cm-2
TTV <10um
ARCO <10um
ORDITO <12um
Marcatura laser su richiesta
Finitura superficiale P/E, P/P
Epi pronto
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

Molte caratteristiche dei dispositivi a semiconduttore sono strettamente correlate alle caratteristiche della superficie del semiconduttore. Vale la pena notare che il wafer GaSb a cristallo singolo è facile da ossidare dall'ossigeno atmosferico formato da ossidi di superficie naturali con uno spessore di pochi nanometri poiché ha una superficie chimicamente reattiva molto elevata.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!

    è stato aggiunto al tuo carrello:
    Cassa