CdZnTe Wafer
Cadmium zinc telluride (short for CdZnTe or CZT) wafer is an important II-VI group semiconductor material, which can be offered by CdZnTe wafer manufacturer – Ganwafer mainly for infrared thin film epitaxial growth and radiation detection. The band gap of CdZnTe is large, and low-energy infrared light cannot excite the electron conduction band transition in the valence band, so it does not produce intrinsic absorption of infrared light. Moreover, the dielectric constant of cadmium zinc telluride ingot is small, and the extinction coefficient is small when infrared is transmitted, so the infrared transmittance of CZT wafer is high. More important, the CZT lattice constant can be adjusted with different Zn content to meet the growth requirements of HgCdTe (MCT) epitaxial films with different compositions. More info about CdZnTe wafer please see below:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Specifiche del wafer al tellururo di cadmio e zinco (CZT).
1.1 CdZnTe per la crescita epitassiale di HgCdTe
| CdZnTe Per la crescita epitassiale, HgCdTe: | |
| Dimensione del substrato CZT | 20×20 +/- 0,1 mm o superiore |
| struttura CZT | twin-free non drogato |
| Spessore CZT | 1000 +/- 50 |
| Distribuzione dello zinco | 4,5% o personalizzato |
| "y" % da wafer a wafer | <4% +/- 1% |
| % "y" all'interno del wafer | <4% +/- 0,5% |
| Orientamento | (211)B,(111)B |
| DCRC FWHM | <= 50 sec.arco |
| Concentrazione del vettore | - |
| % di trasmissione IR (2-20)um | >60% |
| Dimensioni precipitate | <5um |
| Densità dei precipitati | <1E4 cm-2 |
| Incidere la densità della fossa | <=1E5 cm-2 |
| Superficie, faccia B | EPI pronto |
| Superficie, faccia A | Lucidato grossolanamente |
| Ruvidezza della superficie | Ra<20A o personalizzato |
| La dimensione del precipitato | <5um |
| Identificazione del volto | Una faccia |
Quando la composizione di Zn è 0,04, il wafer Cd0.96Zn0.04Te è perfetto per il film epitassiale di HgCdTe perché la sua costante reticolare e le proprietà chimiche sono abbinate all'HgCdTe, un materiale rivelatore a infrarossi.
1.2 Wafer CdZnTe per il rilevamento delle radiazioni
Il substrato CdZnTe con la composizione Zn=0.1~0.2 può essere fornito con o senza contatti. Il substrato CZT è il materiale emergente per i rivelatori di radiazioni nucleari negli ultimi anni. Ci sono molte proprietà eccellenti del tellururo di cadmio e zinco per questa applicazione: ampio intervallo di banda, generazione di corrente di calore facile da controllare; grande numero atomico medio, forte capacità di fermare i raggi, buona resistenza meccanica, conveniente per la produzione di dispositivi; alta resistività, il rivelatore fabbricato può ancora mantenere una bassa corrente di dispersione con un'elevata tensione di polarizzazione. Pertanto, il rumore del rivelatore è ridotto. Rispetto al tradizionale rivelatore di radiazioni nucleari a scintillatore allo ioduro di sodio, ha una risoluzione energetica più elevata.
Inoltre, i rivelatori di raggi X e raggi Y in cristallo di tellururo di zinco cadmio possono funzionare a temperatura ambiente, eliminando il problema dell'aggiunta di azoto liquido. Inoltre, il rivelatore di raggi X al tellururo di cadmio e zinco può essere facilmente trasformato in un rivelatore a matrice di pixel e, con il circuito di lettura del segnale integrato in silicio a ponte, può essere trasformato in un dispositivo di imaging radiografico compatto, efficiente e ad alta risoluzione, che può essere ampiamente utilizzato nell'analisi della fluorescenza a raggi X, nel monitoraggio dei rifiuti nucleari, nei test di sicurezza negli aeroporti e nei porti, nel rilevamento di difetti industriali, nella diagnosi medica, nella ricerca astrofisica, ecc.
1.3 Substrato al tellururo di cadmio e zinco per dispositivi a infrarossi e fotoelettrici
Aggiungendo una quantità adeguata di vanadio (V) o indio (In) al tellururo di cadmio e zinco, il tellururo di cadmio e zinco diventa un eccellente materiale fotorifrangente semiconduttore nel vicino infrarosso. La forte domanda di elaborazione delle informazioni ottiche nella banda del vicino infrarosso ha spinto lo sviluppo di nuovi tipi di materiali fotorifrangenti nel vicino infrarosso. Drogato con una quantità adeguata di vanadio o indio durante la crescita del CdZnTe, il vanadio o l'indio diventa il centro del livello di energia profonda sensibile alla fotorifrazione, in modo che il materiale del wafer CdZnTe abbia un grande coefficiente fotoelettrico nella banda del vicino infrarosso, che può essere utilizzato per creare memoria olografica ottica in tempo reale a banda d'onda nel vicino infrarosso e dispositivo ottico di condivisione di fase.
Poiché il tellururo di zinco cadmio ha un'elevata trasmittanza all'infrarosso (~65%) nella banda dell'infrarosso, i wafer di tellururo di cadmio e zinco possono essere utilizzati per realizzare lenti a infrarossi, prismi e altri componenti ottici a infrarossi. Inoltre, le eccellenti prestazioni fotoelettriche del cristallo CdZnTe lo rendono adatto allo sviluppo di dispositivi optoelettronici come modulatori fotoelettrici e celle solari a film sottile.
2. Applicazione di CdZnTe Wafer
In breve, il wafer CdZnTe può essere utilizzato per:
* crescita di film epitassiali HgCdTe di alta qualità;
* materiali per finestre laser a infrarossi con prestazioni eccellenti;
* produzione di rivelatori di raggi X e raggi γ;
* produzione di wafer epitassiale CdTe/ZnTe a superreticolo quantistico;
* celle solari;
* modulatori fotoelettrici, ecc.
