Tipo P GaN su Sapphire o Silicon Template

Tipo P GaN su Sapphire o Silicon Template

Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.

Descrizione

1. Specifiche di GaN su modello Sapphire

1.1 Substrati GaN/zaffiro drogati con Mg da 4 pollici

Voce GANW-T-GaN-100-P
Dimensione 100 ± 0,1 mm
Spessore 5 ±1 micron
Orientamento del GaN Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo conduzione Di tipo P
Resistività (300K) ~ 10 Ω·cm
Concentrazione Carrier > 6X1016 CM-3 (concentrazione di drogaggio ≥ 10x1020 cm-3
Mobilità ~ 10 cm2 / V·s
lussazione Densità < 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD)
Struttura 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN strato tampone/430 ± 25 μm
Orientamento dello zaffiro Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di Zaffiro (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Ruvidezza della superficie: Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi;
Retro: acidato o lucidato.
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordi e macro difetti)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

1.2 Substrati GaN/zaffiro drogati con Mg da 2 pollici

Voce GANW-T-GaN-50-P
Dimensione 50,8 ±0,1 mm
Spessore 5 ±1 micron
Orientamento del GaN Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo conduzione Di tipo P
Resistività (300K) ~ 10 Ω·cm
Concentrazione Carrier > 6X1016 CM-3 (concentrazione di drogaggio ≥ 10x1020 cm-3
Mobilità ~ 10 cm2 / V·s
lussazione Densità < 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD)
Struttura 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN strato tampone/430 ± 25 μm
Orientamento dello zaffiro Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di Zaffiro (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Ruvidezza della superficie: Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi;
Retro: acidato o lucidato.
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordi e macro difetti)

 

2. Specifica del GaN di tipo P su sagoma di silicio

Descrizione Tipo drogante Substrato Dimensione Spessore GaN Superficie
Modello GaN su wafer di silicio da 4″, film GaN Tipo P. Mg drogato Si (111) substrati 4 " 2um lucidato su un lato
Modello GaN su wafer di silicio da 2″, film GaN Tipo P. Mg drogato Si (111) substrati 2 " 2um lucidato su un lato

 

3. 2″ Dia, tipo P GaN su silicio

2 dia, GaN su silicio

Spessore strato GaN: 2um

Strato GaN: tipo P, drogato con Mg.

Struttura:GaN su silicio(111).

Substrato: silicio(111), tipo p, 430 +/- 25 um

XRD(102)<700sec.arco

XRD(002)<500sec.arco

Lucidato su un lato, pronto per l'epi, Ra <0,5 nm

Concentrazione del vettore: 5E17~5E18

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