Tipo P GaN su Sapphire o Silicon Template
Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Specifiche di GaN su modello Sapphire
1.1 Substrati GaN/zaffiro drogati con Mg da 4 pollici
| Voce | GANW-T-GaN-100-P |
| Dimensione | 100 ± 0,1 mm |
| Spessore | 5 ±1 micron |
| Orientamento del GaN | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo conduzione | Di tipo P |
| Resistività (300K) | ~ 10 Ω·cm |
| Concentrazione Carrier | > 6X1016 CM-3 (concentrazione di drogaggio ≥ 10x1020 cm-3 |
| Mobilità | ~ 10 cm2 / V·s |
| lussazione Densità | < 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD) |
| Struttura | 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN strato tampone/430 ± 25 μm |
| Orientamento dello zaffiro | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di Zaffiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi; |
| Retro: acidato o lucidato. | |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordi e macro difetti) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
1.2 Substrati GaN/zaffiro drogati con Mg da 2 pollici
| Voce | GANW-T-GaN-50-P |
| Dimensione | 50,8 ±0,1 mm |
| Spessore | 5 ±1 micron |
| Orientamento del GaN | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo conduzione | Di tipo P |
| Resistività (300K) | ~ 10 Ω·cm |
| Concentrazione Carrier | > 6X1016 CM-3 (concentrazione di drogaggio ≥ 10x1020 cm-3 |
| Mobilità | ~ 10 cm2 / V·s |
| lussazione Densità | < 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD) |
| Struttura | 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN strato tampone/430 ± 25 μm |
| Orientamento dello zaffiro | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di Zaffiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi; |
| Retro: acidato o lucidato. | |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordi e macro difetti) |
2. Specifica del GaN di tipo P su sagoma di silicio
| Descrizione | Tipo | drogante | Substrato | Dimensione | Spessore GaN | Superficie |
| Modello GaN su wafer di silicio da 4″, film GaN | Tipo P. | Mg drogato | Si (111) substrati | 4 " | 2um | lucidato su un lato |
| Modello GaN su wafer di silicio da 2″, film GaN | Tipo P. | Mg drogato | Si (111) substrati | 2 " | 2um | lucidato su un lato |
3. 2″ Dia, tipo P GaN su silicio
2 dia, GaN su silicio
Spessore strato GaN: 2um
Strato GaN: tipo P, drogato con Mg.
Struttura:GaN su silicio(111).
Substrato: silicio(111), tipo p, 430 +/- 25 um
XRD(102)<700sec.arco
XRD(002)<500sec.arco
Lucidato su un lato, pronto per l'epi, Ra <0,5 nm
Concentrazione del vettore: 5E17~5E18
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
