P Tipo GaN em Safira ou Modelo de Silicone

P Tipo GaN em Safira ou Modelo de Silicone

Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.

Descrição

1. Especificações do GaN no modelo Sapphire

Substratos de GaN/Safira dopados com Mg de 1,1 4 polegadas

Item GANW-T-GaN-100-P
Dimensão 100 ± 0,1 mm
Espessura 5 ± 1 μm
Orientação do GaN Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação do GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo de condução P-tipo
Resistividade (300K) ~ 10 Ω·cm
Concentração transportadora >6X1016CM-3(concentração de doping≥10x1020cm-3
Mobilidade ~ 10cm2 / V·s
Densidade deslocamento < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD)
Estrutura 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50nm uGaN camada tampão/430±25μm
Orientação de Safira Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação de Safira (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi;
Verso: gravado ou polido.
Área útil > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

Substratos de GaN/Safira dopados com Mg de 1,2 2 polegadas

Item GANW-T-GaN-50-P
Dimensão 50,8 ±0,1 mm
Espessura 5 ± 1 μm
Orientação do GaN Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação do GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo de condução P-tipo
Resistividade (300K) ~ 10 Ω·cm
Concentração transportadora >6X1016CM-3(concentração de doping≥10x1020cm-3
Mobilidade ~ 10cm2 / V·s
Densidade deslocamento < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD)
Estrutura 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50nm uGaN camada tampão/430±25μm
Orientação de Safira Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação de Safira (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi;
Verso: gravado ou polido.
Área útil > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos)

 

2. Especificação de P Tipo GaN em Modelo de Silício

Descrição Tipo dopante Substrato Tamanho Espessura de GaN Superfície
GaN Template em 4″ Silicon Wafer, filme GaN tipo P mg dopado Substratos de Si (111) 4 " 2um único lado polido
GaN Template em 2″ Silicon Wafer, filme GaN tipo P mg dopado Substratos de Si (111) 2 " 2um único lado polido

 

3. 2″ Diâmetro, P Tipo GaN em Silício

2 dia, GaN em silício

Espessura da camada GaN: 2um

Camada de GaN: tipo P, dopada com Mg.

Estrutura: GaN em Silício (111).

Substrato: Silício (111), tipo p, 430+/-25um

XRD(102)<700arc.s

XRD(002)<500arc.s

Lado Único Polido, Epi-pronto, Ra <0,5 nm

Concentração do transportador: 5E17~5E18

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