P Tipo GaN em Safira ou Modelo de Silicone
Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Especificações do GaN no modelo Sapphire
Substratos de GaN/Safira dopados com Mg de 1,1 4 polegadas
| Item | GANW-T-GaN-100-P |
| Dimensão | 100 ± 0,1 mm |
| Espessura | 5 ± 1 μm |
| Orientação do GaN | Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientação do GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo de condução | P-tipo |
| Resistividade (300K) | ~ 10 Ω·cm |
| Concentração transportadora | >6X1016CM-3(concentração de doping≥10x1020cm-3 |
| Mobilidade | ~ 10cm2 / V·s |
| Densidade deslocamento | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estrutura | 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50nm uGaN camada tampão/430±25μm |
| Orientação de Safira | Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientação de Safira | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rigidez da superfície: | Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi; |
| Verso: gravado ou polido. | |
| Área útil | > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos) |
| Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
Substratos de GaN/Safira dopados com Mg de 1,2 2 polegadas
| Item | GANW-T-GaN-50-P |
| Dimensão | 50,8 ±0,1 mm |
| Espessura | 5 ± 1 μm |
| Orientação do GaN | Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientação do GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo de condução | P-tipo |
| Resistividade (300K) | ~ 10 Ω·cm |
| Concentração transportadora | >6X1016CM-3(concentração de doping≥10x1020cm-3 |
| Mobilidade | ~ 10cm2 / V·s |
| Densidade deslocamento | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estrutura | 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50nm uGaN camada tampão/430±25μm |
| Orientação de Safira | Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1° |
| Plano de Orientação de Safira | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rigidez da superfície: | Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi; |
| Verso: gravado ou polido. | |
| Área útil | > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos) |
2. Especificação de P Tipo GaN em Modelo de Silício
| Descrição | Tipo | dopante | Substrato | Tamanho | Espessura de GaN | Superfície |
| GaN Template em 4″ Silicon Wafer, filme GaN | tipo P | mg dopado | Substratos de Si (111) | 4 " | 2um | único lado polido |
| GaN Template em 2″ Silicon Wafer, filme GaN | tipo P | mg dopado | Substratos de Si (111) | 2 " | 2um | único lado polido |
3. 2″ Diâmetro, P Tipo GaN em Silício
2 dia, GaN em silício
Espessura da camada GaN: 2um
Camada de GaN: tipo P, dopada com Mg.
Estrutura: GaN em Silício (111).
Substrato: Silício (111), tipo p, 430+/-25um
XRD(102)<700arc.s
XRD(002)<500arc.s
Lado Único Polido, Epi-pronto, Ra <0,5 nm
Concentração do transportador: 5E17~5E18
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!
