サファイアまたはシリコンテンプレート上のPタイプGaN
Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.
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説明
1.サファイアテンプレート上のGaNの仕様
1.14インチのMgドープGaN /サファイア基板
| アイテム | GANW-T-GaN-100-P |
| 寸法 | 100±0.1mm |
| 厚さ | 5±1μm |
| GaNの配向 | C平面（0001）のA軸に対するオフ角度0.2±0.1° |
| GaNの配向フラット | （1-100）0±0.2°、16±1mm |
| 伝導型 | P型 |
| 抵抗率（300K） | 〜10Ω・cm |
| キャリア濃度 | > 6X1016CM-3（ドーピング濃度≥10x1020cm-3 |
| モビリティ | 〜10cm2 / V・s |
| 転位密度 | <5x108cm-2（XRDのFWHMによる推定） |
| 構造 | 2〜2.5μmpGaN / 2〜2.5μmpGaN uGaN / 50nmuGaNバッファ層/ 430±25μm |
| サファイアのオリエンテーション | M軸に向かうC平面（0001）のオフ角度0.2±0.1° |
| サファイアのオリエンテーションフラット | （11-20）0±0.2°、16±1mm |
| 表面粗さ： | 表側：Ra <0.5nm、エピ対応; |
| 裏面：エッチングまたは研磨。 | |
| 使用可能面積 | > 90％（エッジおよびマクロの欠陥の除外） |
| パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
1.22インチのMgドープGaN /サファイア基板
| アイテム | GANW-T-GaN-50-P |
| 寸法 | 50.8±0.1mm |
| 厚さ | 5±1μm |
| GaNの配向 | C平面（0001）のA軸に対するオフ角度0.2±0.1° |
| GaNの配向フラット | （1-100）0±0.2°、16±1mm |
| 伝導型 | P型 |
| 抵抗率（300K） | 〜10Ω・cm |
| キャリア濃度 | > 6X1016CM-3（ドーピング濃度≥10x1020cm-3 |
| モビリティ | 〜10cm2 / V・s |
| 転位密度 | <5x108cm-2（XRDのFWHMによる推定） |
| 構造 | 2〜2.5μmpGaN / 2〜2.5μmpGaN uGaN / 50nmuGaNバッファ層/ 430±25μm |
| サファイアのオリエンテーション | M軸に向かうC平面（0001）のオフ角度0.2±0.1° |
| サファイアのオリエンテーションフラット | （11-20）0±0.2°、16±1mm |
| 表面粗さ： | 表側：Ra <0.5nm、エピ対応; |
| 裏面：エッチングまたは研磨。 | |
| 使用可能面積 | > 90％（エッジおよびマクロの欠陥の除外） |
2.シリコンテンプレート上のP型GaNの仕様
| 説明 | タイプ | ドーパント | 基板 | サイズ | GaNの厚さ | 表面 |
| 4インチシリコンウェーハ上のGaNテンプレート、GaNフィルム | Pタイプ | Mgをドープしました | Si（111）基板 | 4 " | 2um | 片面研磨 |
| 2インチシリコンウェーハ上のGaNテンプレート、GaNフィルム | Pタイプ | Mgをドープしました | Si（111）基板 | 2 " | 2um | 片面研磨 |
3. 2インチ径、PタイプGaNオンシリコン
直径2、シリコン上のGaN
GaN層の厚さ：2um
GaN層：P型、Mgドープ。
構造：シリコン上のGaN（111）。
基板：シリコン（111）、pタイプ、430 +/- 25um
XRD（102）<700arc.sec
XRD（002）<500arc.sec
片面研磨、エピ対応、Ra <0.5nm
キャリア濃度：5E17〜5E18
述べる：
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料（GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど）およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日以降、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解いただければ幸いです。
