サファイアまたはシリコンテンプレート上のPタイプGaN

サファイアまたはシリコンテンプレート上のPタイプGaN

Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.

説明

1.サファイアテンプレート上のGaNの仕様

1.14インチのMgドープGaN /サファイア基板

アイテム GANW-T-GaN-100-P
寸法 100±0.1mm
厚さ 5±1μm
GaNの配向 C平面(0001)のA軸に対するオフ角度0.2±0.1°
GaNの配向フラット (1-100)0±0.2°、16±1mm
伝導型 P型
抵抗率(300K) 〜10Ω・cm
キャリア濃度 > 6X1016CM-3(ドーピング濃度≥10x1020cm-3
モビリティ 〜10cm2 / V・s
転位密度 <5x108cm-2(XRDのFWHMによる推定)
構造 2〜2.5μmpGaN / 2〜2.5μmpGaN uGaN / 50nmuGaNバッファ層/ 430±25μm
サファイアのオリエンテーション M軸に向かうC平面(0001)のオフ角度0.2±0.1°
サファイアのオリエンテーションフラット (11-20)0±0.2°、16±1mm
表面粗さ: 表側:Ra <0.5nm、エピ対応;
裏面:エッチングまたは研磨。
使用可能面積 > 90%(エッジおよびマクロの欠陥の除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

 

1.22インチのMgドープGaN /サファイア基板

アイテム GANW-T-GaN-50-P
寸法 50.8±0.1mm
厚さ 5±1μm
GaNの配向 C平面(0001)のA軸に対するオフ角度0.2±0.1°
GaNの配向フラット (1-100)0±0.2°、16±1mm
伝導型 P型
抵抗率(300K) 〜10Ω・cm
キャリア濃度 > 6X1016CM-3(ドーピング濃度≥10x1020cm-3
モビリティ 〜10cm2 / V・s
転位密度 <5x108cm-2(XRDのFWHMによる推定)
構造 2〜2.5μmpGaN / 2〜2.5μmpGaN uGaN / 50nmuGaNバッファ層/ 430±25μm
サファイアのオリエンテーション M軸に向かうC平面(0001)のオフ角度0.2±0.1°
サファイアのオリエンテーションフラット (11-20)0±0.2°、16±1mm
表面粗さ: 表側:Ra <0.5nm、エピ対応;
裏面:エッチングまたは研磨。
使用可能面積 > 90%(エッジおよびマクロの欠陥の除外)

 

2.シリコンテンプレート上のP型GaNの仕様

説明 タイプ ドーパント 基板 サイズ GaNの厚さ 表面
4インチシリコンウェーハ上のGaNテンプレート、GaNフィルム Pタイプ Mgをドープしました Si(111)基板 4 " 2um 片面研磨
2インチシリコンウェーハ上のGaNテンプレート、GaNフィルム Pタイプ Mgをドープしました Si(111)基板 2 " 2um 片面研磨

 

3. 2インチ径、PタイプGaNオンシリコン

直径2、シリコン上のGaN

GaN層の厚さ:2um

GaN層:P型、Mgドープ。

構造:シリコン上のGaN(111)。

基板:シリコン(111)、pタイプ、430 +/- 25um

XRD(102)<700arc.sec

XRD(002)<500arc.sec

片面研磨、エピ対応、Ra <0.5nm

キャリア濃度:5E17〜5E18

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