Substrato GaN autoportante M Face
Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Substrato GaN del piano M sfuso drogato con Si
| Voce | GANW-FS-GAN M-N |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5° |
| Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105a 5 x 106cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
2. Substrato GaN autoportante M-Face non drogato
| Voce | GANW-FS-GAN M-U |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5° |
| Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105a 5 x 106cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
3. Substrato GaN semiisolante piano M autoportante
| Voce | GANW-FS-GAN M-SI |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5° |
| Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Resistività (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105 a 5 x 106cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
