Substrato GaN autoportante M Face

Substrato GaN autoportante M Face

Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, undoped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:

Descrizione

1. Substrato GaN del piano M sfuso drogato con Si

Voce GANW-FS-GAN M-N
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5°
Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2°
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 105a 5 x 106cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

2. Substrato GaN autoportante M-Face non drogato

Voce GANW-FS-GAN M-U
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5°
Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2°
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 105a 5 x 106cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

3. Substrato GaN semiisolante piano M autoportante

Voce GANW-FS-GAN M-SI
Dimensione 5 x 10 mm2
Spessore 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientamento Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5°
Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2°
Tipo conduzione Semiisolante
Resistività (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 micron
ARCO -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ruvidezza della superficie Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi;
Lato posteriore: rettificato fine o lucidato.
lussazione Densità Da 1 x 105 a 5 x 106cm-2
Densità dei difetti macro 0 cm-2
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

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