Substrato GaN autoportante M Face
Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, undoped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Substrato GaN del piano M sfuso drogato con Si
| Voce | GANW-FS-GAN M-N |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5° |
| Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105a 5 x 106cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
2. Substrato GaN autoportante M-Face non drogato
| Voce | GANW-FS-GAN M-U |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5° |
| Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105a 5 x 106cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
3. Substrato GaN semiisolante piano M autoportante
| Voce | GANW-FS-GAN M-SI |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientamento | Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse A 0 ±0,5° |
| Piano M (1-100) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Resistività (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105 a 5 x 106cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
