N Tipo GaN em Modelo de Safira, Silício ou SiC

N Tipo GaN em Modelo de Safira, Silício ou SiC

Os Produtos Modelo da PAM-XIAMEN consistem em camadas cristalinas de nitreto de gálio (GaN), que é depositado em substratos de safira. Os produtos de modelo da PAM-XIAMEN permitem tempos de ciclo de epitaxia 20-50% mais curtos e camadas de dispositivos epitaxiais de maior qualidade, com melhor qualidade estrutural e maior condutividade térmica, o que pode melhorar os dispositivos em custo, rendimento e desempenho

Os modelos de GaN em safira da PAM-XIAMEN estão disponíveis em diâmetros de 2″ a 6″ e consistem em uma fina camada de GaN cristalino cultivado em um substrato de safira. Modelos prontos para Epi agora disponíveis.

Descrição

1. Especificação do Modelo N Tipo GaN/Safira

Substratos de GaN/Safira dopados com SI de 1,1 4 polegadas

Item PAM-T-GaN-100-N
Dimensão 100 ± 0,1 mm
Espessura 4,5 ±0,5 μm
Orientação do GaN Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação do GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,05Ω·cm
Concentração transportadora >1x1018cm-3(≈concentração de doping)
Mobilidade ~ 200cm2 / V·s
Densidade deslocamento > 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD)
Estrutura 4,5 ±0,5μm GaN/~ 50 nm uGaN camada tampão/650 ±25 μm safira
Orientação de Safira Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação de Safira (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi;
Verso: gravado ou polido.
Área útil > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

Substratos de GaN/Safira não dopados de 1,2 4 polegadas

Item PAM-T-GaN-100-U
Dimensão 100 ± 0,1 mm
Espessura 4,5 ±0,5 μm
Orientação do GaN Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação do GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,5 Ω·cm
Concentração transportadora <5x1017cm-3
Mobilidade ~ 300cm2 / V·s
Densidade deslocamento < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD)
Estrutura 4,5 ±0,5μm GaN/~ 50 nm uGaN camada tampão/650 ±25 μm safira
Orientação de Safira Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação de Safira (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi;
Verso: gravado ou polido.
Área útil > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

Substratos de GaN/Safira dopados com SI de 1,3 2 polegadas

Item PAM-T-GaN-50-N
Dimensão 50,8 ±0,1 mm
Espessura 5 ± 1 μm
Orientação do GaN Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação do GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,05 Ω·cm
Concentração transportadora >1x1018cm-3(≈concentração de doping)
Mobilidade ~ 200cm2 / V·s
Densidade deslocamento > 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD)
Estrutura 5 ±1 μm GaN/~ 50 nm uGaN camada tampão/430 ±25 μm de safira
Orientação de Safira Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação de Safira (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi;
Verso: gravado ou polido.
Área útil > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

Substratos de GaN/Safira não dopados de 1,4 2 polegadas

Item PAM-T-GaN-50-U
Dimensão 50,8 ±0,1 mm
Espessura 5 ± 1 μm
Orientação do GaN Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação do GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,5 Ω·cm
Concentração transportadora <5X1017CM-3
Mobilidade ~ 300cm2 / V·s
Densidade deslocamento < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD)
Estrutura 5 ±1 μm GaN/~ 50 nm uGaN camada tampão/430 ±25 μm de safira
Orientação de Safira Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 ±0,1°
Plano de Orientação de Safira (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,5nm, pronto para epi;
Verso: gravado ou polido.
Área útil > 90% (exclusão de bordas e macrodefeitos)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

1.5 Lista de GaN tipo N no modelo de silício

Descrição Tipo dopante Substrato Tamanho Espessura de GaN Superfície
GaN Template em 4″ Silicon Wafer, filme GaN Tipo N não dopado Substratos de Si (111) 4 " 2um único lado polido
GaN Template em 4″ Silicon Wafer, filme GaN Tipo N Si dopado Substratos de Si (111) 4 " 2um único lado polido
GaN Template em 2″ Silicon Wafer, filme GaN Tipo N não dopado Substratos de Si (111) 2 " 2um único lado polido
GaN Template em 2″ Silicon Wafer, filme GaN Tipo N Si dopado Substratos de Si (111) 2 " 2um único lado polido

 

2. Especificação detalhada do GaN no modelo de silício

2,1 4″ Diâmetro, N Tipo GaN em Silício

4″ de diâmetro, GaN em silício (GaN em Si)
Dimensão: 100+/-0,1mm
Espessura da camada GaN: 2um
Condutividade da camada GaN: tipo n, dopado com Si.
Estrutura: GaN em Silício (111).
Concentração de doping: xxxcm-3
XRD(102)<xx arco.s
XRD(002)<xx arco.sec
Lado único polido, pronto para epi, Ra <0,5 nm
Pacote:Embalado em ambiente de sala limpa classe 100, em recipiente único, sob atmosfera de nitrogênio.

2,2 2″ de diâmetro, Si dopado GaN em silício

GaN em silício, 2” de diâmetro,

Espessura da camada GaN: 1,8um

Camada de GaN: tipo n, dopado com Si.

Resistividade: <0,05ohm.cm

Estrutura: GaN em Silício (111).

XRD(102)<300arc.s

XRD(002)<400arc.s

Single Side Polished, Epi-ready,Ra<0.5nm

Carrier concentration:5E17~5E18

2.2.1 Primary flat of GaN on Silicon

3. Specification of GaN on SiC Template

2″ or 4” GaN on 4H or 6H SiC Substrate

1)Undoped GaN buffer or AlN buffer are available;
2)n-type(Si doped or undoped), p-type or semi-insulating GaN epitaxial layers available;
3)vertical conductive structures on n-type or semi-insulating SiC;
4)AlGaN – 20-60nm thick, (20%-30%Al), Si doped buffer;
5)GaN n-type layer on 350µm+/-25um thick 2” or 4” wafer.
6) Single or double side polished, epi-ready, Ra<0.5um
7)Typical value on XRD:
Wafer ID Substrate ID XRD(102) XRD(002) Espessura
#2153 X-70105033 (with AlN) 298 167 679um

 

4. FWHM and XRD Report of GaN on Sapphire Template

A test report is necessary to show the compliance between custom description and our final wafers data. We will test the wafer characerization by equipment before shipment, testing surface roughness by atomic force microscope, type by Roman spectra instrument, resistivity by non-contact resistivity testing equipment,micropipe density by polarizing microscope, orientation by X-ray Orientator etc. if the wafers meet the requirement, we will clean and pack them in 100 class clean room, if the wafers do not match the custom spec, we will take it off.

Testing Project: FWHM and XRD project

A largura total de meia altura (FWHM) é uma expressão da faixa de funções dada pela diferença entre dois valores extremos da variável independente igual à metade de seu máximo. Em outras palavras, é a largura da curva espectral medida entre esses pontos no eixo Y, que é metade da amplitude máxima.

Abaixo está um exemplo de FWHM e XRD de GaN no modelo Sapphire:

FWHM e XRD do GaN no modelo Sapphire

5. Espectros PL de Baixa Temperatura (a 77 K) de Filmes GaN Crescidos em Diferentes Substratos

A Figura 1 mostra um espectro PL de baixa temperatura (a 77 K) de filmes de GaN cultivados em diferentes substratos. Os espectros PL de GaN cultivados em diferentes substratos são dominados pela emissão próxima à borda da banda em torno de 360 ​​nm. A largura total na metade do máximo (FWHM) dos filmes de GaN produzidos nas amostras A (4 nm) e B (8 nm) é mais estreita do que a dos filmes cultivados nas amostras C (10 nm) e D (13 nm), indicando a baixa densidade de defeitos e alta qualidade cristalina dos filmes de GaN devido ao seu menor descasamento de rede, o que é consistente com os resultados de DRX. Tendências semelhantes do pico de emissão da banda amarela nessas amostras também foram observadas (dados não mostrados aqui). A luminescência amarela está relacionada a defeitos de nível profundo em GaN.

Figura 1. Espectros de fotoluminescência (PL) de baixa temperatura (a 77 K) de filmes de GaN crescidos em diferentes substratos. FWHM: largura total na metade do máximo

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