LED Epi em Safira

LED Epi em Safira

GaN LED epitaxy wafer is offered by LED Epi on Sapphire Manufacturer – Ganwafer for LED and laser diodes (LD) application, such as for micro LED or UV LED researches. Epitaxy wafer for LED is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

Descrição

GaN em Al2O3 – Especificação de wafer epi de 2” (wafer epitaxial de LED):

UV: 365+/-5nm

UV: 405+/-5nm

Branco: 445-460nm

Azul: 465-475nm

Verde: 510-530nm

1. Epi LED azul ou verde na bolacha de safira

1.1 Estrutura do Micro LED Eipitaxy em Safira Wafer

estrutura camadas Espessura (μm)
p-GaN 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / GaN (área activa) 0.2
n-GaN 2.5
u-GaN 3.5
Al2O3 (Substrato)

 

1.2 Especificação do LED Epi Wafer Azul ou Verde em Substrato de Safira

Item Requisito alcance
Tecnologia de crescimento MOCVD
Diâmetro da bolacha 2″ ou 4″(tome 4″exemplo abaixo)
Material de substrato de wafer Substrato de safira plano ou substrato de safira estampado
diâmetro substrato 100 milímetros +/-0,25 mm
espessura do substrato 650um +/-25um
c-plano (0001), ângulo de corte em direção ao plano m 0,2 graus +/-0,1 graus
comprimento plano primário único 30 milímetros +/-1 mm
orientação plana um avião
Comprimento de onda de emissão PL 450-460nm (azul)
520-530nm (Verde)
PL comprimento de onda FWHM 17-18 (azul)
30-35 (Verde)
DRX curva de balanço (002) =<200 +/-20
DRX curva de balanço (102) =<200 +/-20
Superfície frontal, AFM (5*5 um2) Ra <0,5 nm
wafer de wafer <45 +/-10
Espessura total do LED 5,5 um +/-0,2um
A variação total de espessura 3%
Densidade do defeito (macroscópico) <5E8/cm-2

 

1.3 Dados de teste do LED Epitaxy

002 102 In_comp InGaN_THK GaN_THK Par_THK
178.6 193.2 9.48 41.7 82.5 124.2

 

WLP_Avge WLP_Std PI_Avge PI_Std WLD_Avge WLD_Std INT_Avge INT_Std
448.34 3.729 1.673 0.494 454.999 2.747 117.883 0.167

 

HW_Avge HW_Std TH_Avge TH_Std PR_Média PR_Std LOP_Avge LOP_Std
16.387 6.1 0.092 290.56 7.176 136.312 0.874 2060

 

2. Epi LED UV em Safira

Estrutura de wafer, 365nm ou 405nm:

P-AlGaN

AlGaN EBL

MOWs AlGaN/InGaN

N-SLS

N-AlGaN

AlGaN não dopado

Substrato de safira

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