LED Epi em Safira
GaN LED epitaxy wafer is offered by LED Epi on Sapphire Manufacturer – Ganwafer for LED and laser diodes (LD) application, such as for micro LED or UV LED researches. Epitaxy wafer for LED is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
- Descrição
- Investigação
Descrição
GaN em Al2O3 – Especificação de wafer epi de 2” (wafer epitaxial de LED):
UV: 365+/-5nm
UV: 405+/-5nm
Branco: 445-460nm
Azul: 465-475nm
Verde: 510-530nm
1. Epi LED azul ou verde na bolacha de safira
1.1 Estrutura do Micro LED Eipitaxy em Safira Wafer
estrutura camadas | Espessura (μm) |
p-GaN | 0.2 |
p-AlGaN | 0.03 |
InGaN / GaN (área activa) | 0.2 |
n-GaN | 2.5 |
u-GaN | 3.5 |
Al2O3 (Substrato) |
1.2 Especificação do LED Epi Wafer Azul ou Verde em Substrato de Safira
Item | Requisito | alcance |
Tecnologia de crescimento | MOCVD | |
Diâmetro da bolacha | 2″ ou 4″(tome 4″exemplo abaixo) | |
Material de substrato de wafer | Substrato de safira plano ou substrato de safira estampado | |
diâmetro substrato | 100 milímetros | +/-0,25 mm |
espessura do substrato | 650um | +/-25um |
c-plano (0001), ângulo de corte em direção ao plano m | 0,2 graus | +/-0,1 graus |
comprimento plano primário único | 30 milímetros | +/-1 mm |
orientação plana | um avião | |
Comprimento de onda de emissão PL | 450-460nm (azul) | |
520-530nm (Verde) | ||
PL comprimento de onda FWHM | 17-18 (azul) | |
30-35 (Verde) | ||
DRX curva de balanço (002) | =<200 | +/-20 |
DRX curva de balanço (102) | =<200 | +/-20 |
Superfície frontal, AFM (5*5 um2) Ra | <0,5 nm | |
wafer de wafer | <45 | +/-10 |
Espessura total do LED | 5,5 um | +/-0,2um |
A variação total de espessura | 3% | |
Densidade do defeito (macroscópico) | <5E8/cm-2 |
1.3 Dados de teste do LED Epitaxy
002 | 102 | In_comp | InGaN_THK | GaN_THK | Par_THK |
178.6 | 193.2 | 9.48 | 41.7 | 82.5 | 124.2 |
WLP_Avge | WLP_Std | PI_Avge | PI_Std | WLD_Avge | WLD_Std | INT_Avge | INT_Std |
448.34 | 3.729 | 1.673 | 0.494 | 454.999 | 2.747 | 117.883 | 0.167 |
HW_Avge | HW_Std | TH_Avge | TH_Std | PR_Média | PR_Std | LOP_Avge | LOP_Std |
16.387 | 6.1 | 0.092 | 290.56 | 7.176 | 136.312 | 0.874 | 2060 |
2. Epi LED UV em Safira
Estrutura de wafer, 365nm ou 405nm:
P-AlGaN
AlGaN EBL
MOWs AlGaN/InGaN
N-SLS
N-AlGaN
AlGaN não dopado
Substrato de safira
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!