LED Epi auf Saphir

LED Epi auf Saphir

GaN LED epitaxy wafer is offered by LED Epi on Sapphire Manufacturer – Ganwafer for LED and laser diodes (LD) application, such as for micro LED or UV LED researches. Epitaxy wafer for LED is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

Beschreibung

GaN auf Al2O3 – 2-Zoll-Epi-Wafer-Spezifikation (LED-Epitaxie-Wafer):

UV: 365 +/- 5nm

UV: 405 +/- 5nm

Weiß: 445-460nm

Blau: 465-475nm

Grün: 510-530nm

1. Blaue oder grüne LED-Epi auf Saphir-Wafer

1.1 Struktur der Mikro-LED-Epitaxie auf Saphirwafer

Strukturschichten Dicke (um)
p-GaN 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / GaN (aktiver Bereich) 0.2
n-GaN 2.5
u-GaN 3.5
Al2O3 (Substrat)

 

1.2 Spezifikation des blauen oder grünen LED-Epi-Wafers auf Saphir-Substrat

Artikel Anforderung Angebot
Wachstumstechnologie MOCVD
Wafer-Durchmesser 2″ oder 4″ (Beispiel 4″ unten nehmen)
Wafer-Substratmaterial Flaches Saphirsubstrat oder gemustertes Saphirsubstrat
Substrat Durchmesser 100mm +/-0,25 mm
Substratdicke 650 um +/-25um
c-Ebene (0001), Verschnittwinkel zur m-Ebene 0,2 deg +/-0,1 Grad
einzelne primäre flache Länge 30mm +/-1mm
Wohnung Ausrichtung ein Flugzeug
PL-Emissionswellenlänge 450-460 nm (blau)
520-530 nm (Grün)
PL-Wellenlänge FWHM 17-18 (blau)
30-35 (Grün)
XRD-Rocking-Kurve (002) =<200 +/-20
XRD-Rocking-Kurve (102) =<200 +/-20
Vorderseitenoberfläche, AFM (5*5 um2) Ra <0,5nm
Wafer-Verbeugung <45 +/-10
Gesamtdicke der LED 5,5 um +/-0,2 um
Gesamtdickenvariation 3%
Defektdichte (makroskopisch) <5E8/cm-2

 

1.3 Testdaten der LED-Epitaxie

002 102 In_komp InGaN_THK GaN_THK Pair_THK
178.6 193.2 9.48 41.7 82.5 124.2

 

WLP_Avge WLP_Std PI_Avge PI_Std WLD_Avge WLD_Std INT_Durchschnitt INT_Std
448.34 3.729 1.673 0.494 454.999 2.747 117.883 0.167

 

HW_Avge HW_Std TH_Durchschnitt TH_Std PR_Durchschn PR_Std LOP_Avge LOP_Std
16.387 6.1 0.092 290.56 7.176 136.312 0.874 2060

 

2. UV-LED-Epi auf Saphir

Waferstruktur, 365nm oder 405nm:

P-AlGaN

AlGaN EBL

AlGaN/InGaN-MOWs

N-SLS

N-AlGaN

Undotiertes AlGaN

Saphirsubstrat

 

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!

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