Maska fotograficzna
Fotomaska półprzewodnikowa to film oparty na procesie fotolitografii. Fotomaska w półprzewodniku jest narzędziem do przenoszenia grafiki lub mistrzem w procesie produkcji mikroelektroniki i jest nośnikiem informacji o własności intelektualnej, takiej jak projektowanie graficzne i technologia przetwarzania. Fotomaskę półprzewodnikową można podzielić na płytki chromowane, płytki suche, płytki reliefowe i folie w zależności od ich zastosowania.
Proces produkcji fotomasek przebiega następująco: Zgodnie z wzorem wymaganym przez klienta, jeden z wiodących producentów fotomasek półprzewodnikowych wykorzystuje proces fotolitografii do grawerowania drobnych wzorów na poziomie mikronów i nano na masce. Surowcem maski są światłoczułe półfabrykaty fotomasek do wykonywania drobnych wzorów fotomasek, a następnie zbędna warstwa metalu i warstwa kleju są zmywane w celu uzyskania półprzewodnikowej płytki maskującej.
- Opis
- Zapytanie
Opis
Fotomaski można podzielić na maski kwarcowe, maski sodowe i inne (w tym płyty reliefowe i folię) w zależności od różnych materiałów podłoża. W szczególności w następujący sposób:
Półprzewodnik z fotomaską kwarcową wykorzystuje szkło kwarcowe jako materiał podłoża, który ma wysoką przepuszczalność optyczną i niski współczynnik rozszerzalności cieplnej. W porównaniu ze szkłem sodowym jest bardziej płaskie i odporne na zużycie oraz ma długą żywotność. Fotomaska kwarcowa jest używana głównie do masek o wysokiej precyzji;
Maska sodowa wykorzystuje szkło sodowe jako materiał podłoża, który ma wyższą przepuszczalność optyczną, stosunkowo wyższy współczynnik rozszerzalności cieplnej niż szkło kwarcowe oraz stosunkowo słabszą płaskość i odporność na zużycie niż szkło kwarcowe. Stosowany jest głównie do masek o średniej i niskiej precyzji;
Projekt maski reliefowej wykorzystuje nienasyconą żywicę polibutadienową jako materiał podłoża, który jest używany głównie do tampodruku zorientowanego materiału w procesie produkcji wyświetlaczy ciekłokrystalicznych (LCD);
Konstrukcja maski półprzewodnikowej wykorzystuje PET jako materiał podłoża, który jest stosowany głównie do masek z obwodami drukowanymi.
1. Rozwiązania półprzewodnikowych masek fotograficznych
1.1 Fotomaska na podłożu kwarcowym
| Formularz potwierdzenia informacji o kliencie | ||
| 1 | Nazwa klienta | - |
| 2 | Rozmiar maski | 5009 |
| 3 | CD SPEC (na masce) | - |
| 4 | Skala maski | 5:01 |
| 5 | Klasa maski | S. |
| 6 | Materiał maski | Kwarc |
| 7 | Błona | Żaden |
| 8 | Typ błonki | I-linia |
| 9 | Wysyłanie danych | FTP |
| 10 | JDV (sprawdzanie stanowiska pracy) | TAK |
| 11 | Typ maszyny litograficznej | - |
| 12 | CD (dopasowanie CD) | TAK |
| 13 | Mecz rejestracyjny | TAK |
| 14 | Kontrola defektów | Die to Die/Die to Database |
| 15 | Zezwalaj na zarysowania w promieniu 5 mm na krawędzi | TAK |
| maska, ale z danych | ||
| 16 | Specjalna prośba | - |
Oceny dla fotomaski na kwarcu
| Gatunek | re | do | b | ZA | S. |
| Tolerancja | ±0,3 | ±0,3 | ± 0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| oznacza cel | ±0,3 | ±0,3 | ± 0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| Jednolitość | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.15 | 0.1 |
| Rejestracja | ±0,4 | ±0,3 | ± 0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| Rozmiar wady | 1.5 | 1.5 | 1 | 0.8 | 0.6 |
| Gęstość wad | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
1.2 1x fotomaska Master Semiconductor na kwarcu lub wapnie sodowym
| Produkt | Wymiary | Materiały podłoża |
| 1X Mistrz | 4”X4”X0,060” lub 0,090” | Kwarc i Wapno Sodowane |
| 5”X5”X0,090” | Kwarc i Wapno Sodowane | |
| 6”X6”X0,120” lub 0,250” | Kwarc i Wapno Sodowane | |
| 7”X7”X0,120” lub 0,150” | Kwarc i Wapno Sodowane | |
| 7.25” Okrągły X 0.150” | Kwarc | |
| 9”X9”X0,120” lub 0,190” | Kwarc i Wapno Sodowane |
1.2.1 Wspólne specyfikacje dla masek 1X Master (materiał kwarcowy)
| Rozmiar CD | CD średnia do nominalnej | Jednolitość CD | Rejestracja | wada Rozmiar |
| 2,0 um | ≤0,25 um | ≤0,25 um | ≤0,25 um | ≥2,0 um |
| 4.0 um | ≤0,30 um | ≤0,30 um | ≤0,30 um | ≥3,5 um |
1.2.2 Wspólna specyfikacja masek 1X Master (materiał sodowo-wapniowy)
| Rozmiar CD | CD średnia do nominalnej | Jednolitość CD | Rejestracja | wada Rozmiar |
| ≤4 um | ≤0,25 um | ———— | ≤0,25 um | ≥3,0 um |
| ≤4 um | ≤0,30 um | ———— | ≤0,45 um | ≥5,0 um |
1.3 Wymiary maski UT1X i materiały podłoża
| Produkt | Wymiary | Materiał podłoża |
| UT1X | 3″ X5″ X0.090″ | Kwarc |
| 5″ X5″ X0.090″ | Kwarc | |
| 6″ X6″X0,120″ lub 0,250″ | Kwarc |
Wspólne specyfikacje masek UT1X
| Rozmiar CD | CD średnia do nominalnej | Jednolitość CD | Rejestracja | wada Rozmiar |
| 1,5 um | ≤0,15 μm | ≤0,15 μm | ≤0,15 μm | ≥0,50 um |
| 3.0 um | ≤0,20 um | ≤0,20 um | ≤0,20 um | ≥0,60 um |
| 4.0 um | ≤0,25 um | ≤0,25 um | ≤0,20 um | ≥0,75 um |
1.4 Standardowa maska binarna
| Produkt | Wymiary | Materiały podłoża |
| 2X | 6″X6″X0.250″ | Kwarc |
| 2,5X | ||
| 4X | ||
| 5X | 5″ X5″ X0.090″ | Kwarc |
| 6″X6″X0.250″ | Kwarc |
Wspólne specyfikacje dla standardowych masek binarnych
| Rozmiar CD | CD średnia do nominalnej | Jednolitość CD | Rejestracja | wada Rozmiar |
| 2,0 um | ≤0,10 um | ≤0,15 μm | ≤0,10 um | ≥0,50 um |
| 3.0 um | ≤0,15 μm | ≤0,15 μm | ≤0,15 μm | ≥0,75 um |
| 4.0 um | ≤0,20 um | ≤0,20 um | ≤0,20 um | ≥1.00 um |
1.5 Maski o średniej powierzchni
| Produkt | Wymiary | Materiały podłoża |
| 1X | 9″ X9″ 0,120″ | Wapno kwarcowo-sodowe (dostępne są zarówno absorbery chromu, jak i tlenku żelaza) |
| 9″ X9″ 0,190″ | Kwarc |
1.5.1 Wspólne specyfikacje masek o średniej powierzchni (materiał kwarcowy)
| Rozmiar CD | CD średnia do nominalnej | Jednolitość CD | Rejestracja | wada Rozmiar |
| 0,50 um | ≤0,20 um | ———— | ≤0,15 μm | ≥1,50 um |
1.5.2 Wspólne specyfikacje masek o średniej powierzchni (materiał sodowo-wapniowy)
| Rozmiar CD | CD średnia do nominalnej | Jednolitość CD | Rejestracja | wada Rozmiar |
| 10 um | ≤4.0 um | ———— | ≤4.0 um | ≥10 um |
| 4 um | ≤2,0 um | ———— | ≤1,0 um | ≥5 um |
| 2,5 um | ≤0,5 μm | ———— | ≤0,75 um | ≥3 um |
