GaN na waflu krzemowym HEMT

GaN na waflu krzemowym HEMT

Ganwafer offers GaN (Gallium Nitride) on Silicon (Si) Epitaxy HEMT wafer and GaN template on Si substrate. According to different applications, GaN on Silicon HEMT wafer can be classified into GaN-on-Silicon wafer for D-mode, GaN on Silicon substrate for E-mode and GaN on Silicon wafer for RF application. GaN based power electronic devices are still very expensive compared with Si devices. One of the ways to solve the cost problem is to fabricate GaN based heterostructures by epitaxy on Si substrate, and then to fabricate GaN based devices by complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, so that the cost performance of the devices is better than that of Si devices. However, it is much more difficult to grow GaN on Silicon substrates than on SiC and sapphire substrates. The lattice mismatch ratio of GaN (0001) and Silicon (111) is as high as 16.9%, and the thermal expansion coefficient mismatch (thermal mismatch) is as high as 56%. These are main epitaxial challenges of GaN on Silicon, which may be able to be solved by introducing a buffer layer to GaN on Silicon wafer substrate. As a leading GaN on Silicon HEMT wafer manufacturer, we continuously develop our existing GaN on Silicon technology to gain a better wafer to you. And now please see below GaN on Si wafer specification:

Opis

1. GaN na waflu krzemowym HEMT, D-MODE

1.1 Specyfikacja wafla GaN HEMT na silikonie, D-MODE

Rozmiar wafla 2″, 4″, 6″,8″
Struktura AlGaN / GaN HEMT patrz 1.2
Gęstość nośna >9E12 cm2
Mobilność hali /
Rezystywność arkusza /
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0,25 nm
Łuk (um) <= 30um
wykluczenie krawędź <5mm
Warstwa pasywacyjna SiN 0 ~ 5 nm
warstwa nasadki u-GaN 2nm
Skład Al 20-30%
Warstwa barierowa AlGaN /
kanał GaN /
Bufor AlGaN /
AIN /
Materiał podłoża Podłoże krzemowe
Grubość płytki Si (μm) 675um (2″), 1000um (4″), 1300um (6″), 1500um (8″)

 

1.2 Struktura wafla GaN HEMT na krzemie, D-MODE

2. GaN na krzemowej epitaksji HEMT, E-MODE

Rozmiar wafla 2″, 4″, 6″,8″
Struktura AlGaN / GaN HEMT patrz 1.2
Gęstość resztkowa 2DEG (Vg=0 V) <1e18/cm3
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0,25 nm
Łuk (um) <= 30um
wykluczenie krawędź <5mm
P-gan /
warstwa nasadki u-GaN /
Skład Al 20-30%
Warstwa barierowa AlGaN /
kanał GaN /
Bufor AlGaN /
Materiał podłoża Podłoże krzemowe
Grubość płytki Si (μm) 675um (2″), 1000um (4″), 1300um (6″), 1500um (8″)

 

3. Azotek galu HEMT wafel na krzemie do zastosowań RF

Rozmiar wafla 2″, 4″, 6″,8″
Struktura AlGaN / GaN HEMT patrz 1.2
Gęstość nośna >9E12 cm2
Mobilność hali /
Rezystywność arkusza /
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0,25 nm
Łuk (um) <= 30um
wykluczenie krawędź <5mm
Warstwa pasywacyjna SiN 0 ~ 5 nm
warstwa nasadki u-GaN /
Skład Al 20-30%
Warstwa barierowa AlGaN /
kanał GaN /
Bufor AlGaN /
AIN /
Materiał podłoża Podłoże krzemowe
Rezystywność podłoża Si (Ω cm) > 3000
Grubość płytki Si (μm) 1000um (2″), 1000um (4″), 1300um (6″), 1500um (8″)

 

Uwaga:
Chiński rząd ogłosił nowe ograniczenia eksportu materiałów galu (takich jak GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs i GaSb) oraz materiałów germanu używanych do produkcji układów półprzewodnikowych. Od 1 sierpnia 2023 r. eksport tych materiałów jest dozwolony tylko po uzyskaniu licencji chińskiego Ministerstwa Handlu. Liczę na twoje zrozumienie!

    został dodany do Twojego koszyka:
    Zamówienie