GaN na waflu krzemowym HEMT
Ganwafer offers GaN (Gallium Nitride) on Silicon (Si) Epitaxy HEMT wafer and GaN template on Si substrate. According to different applications, GaN on Silicon HEMT wafer can be classified into GaN-on-Silicon wafer for D-mode, GaN on Silicon substrate for E-mode and GaN on Silicon wafer for RF application. GaN based power electronic devices are still very expensive compared with Si devices. One of the ways to solve the cost problem is to fabricate GaN based heterostructures by epitaxy on Si substrate, and then to fabricate GaN based devices by complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, so that the cost performance of the devices is better than that of Si devices. However, it is much more difficult to grow GaN on Silicon substrates than on SiC and sapphire substrates. The lattice mismatch ratio of GaN (0001) and Silicon (111) is as high as 16.9%, and the thermal expansion coefficient mismatch (thermal mismatch) is as high as 56%. These are main epitaxial challenges of GaN on Silicon, which may be able to be solved by introducing a buffer layer to GaN on Silicon wafer substrate. As a leading GaN on Silicon HEMT wafer manufacturer, we continuously develop our existing GaN on Silicon technology to gain a better wafer to you. And now please see below GaN on Si wafer specification:
- Opis
- Zapytanie
Opis
1. GaN na waflu krzemowym HEMT, D-MODE
1.1 Specyfikacja wafla GaN HEMT na silikonie, D-MODE
Rozmiar wafla | 2″, 4″, 6″,8″ |
Struktura AlGaN / GaN HEMT | patrz 1.2 |
Gęstość nośna | >9E12 cm2 |
Mobilność hali | / |
Rezystywność arkusza | / |
AFM RMS (nm) 5x5um2 | <0,25 nm |
Łuk (um) | <= 30um |
wykluczenie krawędź | <5mm |
Warstwa pasywacyjna SiN | 0 ~ 5 nm |
warstwa nasadki u-GaN | 2nm |
Skład Al | 20-30% |
Warstwa barierowa AlGaN | / |
kanał GaN | / |
Bufor AlGaN | / |
AIN | / |
Materiał podłoża | Podłoże krzemowe |
Grubość płytki Si (μm) | 675um (2″), 1000um (4″), 1300um (6″), 1500um (8″) |
1.2 Struktura wafla GaN HEMT na krzemie, D-MODE
2. GaN na krzemowej epitaksji HEMT, E-MODE
Rozmiar wafla | 2″, 4″, 6″,8″ |
Struktura AlGaN / GaN HEMT | patrz 1.2 |
Gęstość resztkowa 2DEG (Vg=0 V) | <1e18/cm3 |
AFM RMS (nm) 5x5um2 | <0,25 nm |
Łuk (um) | <= 30um |
wykluczenie krawędź | <5mm |
P-gan | / |
warstwa nasadki u-GaN | / |
Skład Al | 20-30% |
Warstwa barierowa AlGaN | / |
kanał GaN | / |
Bufor AlGaN | / |
Materiał podłoża | Podłoże krzemowe |
Grubość płytki Si (μm) | 675um (2″), 1000um (4″), 1300um (6″), 1500um (8″) |
3. Azotek galu HEMT wafel na krzemie do zastosowań RF
Rozmiar wafla | 2″, 4″, 6″,8″ |
Struktura AlGaN / GaN HEMT | patrz 1.2 |
Gęstość nośna | >9E12 cm2 |
Mobilność hali | / |
Rezystywność arkusza | / |
AFM RMS (nm) 5x5um2 | <0,25 nm |
Łuk (um) | <= 30um |
wykluczenie krawędź | <5mm |
Warstwa pasywacyjna SiN | 0 ~ 5 nm |
warstwa nasadki u-GaN | / |
Skład Al | 20-30% |
Warstwa barierowa AlGaN | / |
kanał GaN | / |
Bufor AlGaN | / |
AIN | / |
Materiał podłoża | Podłoże krzemowe |
Rezystywność podłoża Si (Ω cm) | > 3000 |
Grubość płytki Si (μm) | 1000um (2″), 1000um (4″), 1300um (6″), 1500um (8″) |
Uwaga:
Chiński rząd ogłosił nowe ograniczenia eksportu materiałów galu (takich jak GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs i GaSb) oraz materiałów germanu używanych do produkcji układów półprzewodnikowych. Od 1 sierpnia 2023 r. eksport tych materiałów jest dozwolony tylko po uzyskaniu licencji chińskiego Ministerstwa Handlu. Liczę na twoje zrozumienie!