Wafel CdZnTe
Cadmium zinc telluride (short for CdZnTe or CZT) wafer is an important II-VI group semiconductor material, which can be offered by CdZnTe wafer manufacturer – Ganwafer mainly for infrared thin film epitaxial growth and radiation detection. The band gap of CdZnTe is large, and low-energy infrared light cannot excite the electron conduction band transition in the valence band, so it does not produce intrinsic absorption of infrared light. Moreover, the dielectric constant of cadmium zinc telluride ingot is small, and the extinction coefficient is small when infrared is transmitted, so the infrared transmittance of CZT wafer is high. More important, the CZT lattice constant can be adjusted with different Zn content to meet the growth requirements of HgCdTe (MCT) epitaxial films with different compositions. More info about CdZnTe wafer please see below:
- Opis
- Zapytanie
Opis
1. Specyfikacje wafla kadmowo-cynkowego (CZT)
1.1 CdZnTe dla wzrostu epitaksjalnego HgCdTe
| CdZnTe W przypadku wzrostu epitaksjalnego, HgCdTe: | |
| Rozmiar podłoża CZT | 20 × 20 +/- 0,1 mm lub większe |
| Struktura CZT | undoped twin-free |
| Grubość CZT | 1000 +/- 50 |
| Dystrybucja cynku | 4,5% lub niestandardowe |
| „Y”% wafla do wafla | <4% +/- 1% |
| „Y”% w waflu | <4% +/- 0,5% |
| Orientacja | (211) B, (111) B. |
| DCRC FWHM | <= 50 arc.sec |
| Koncentracja przewoźników | - |
| Transmisja IR% (2-20) um | > 60% |
| Wielkość osadu | <5um |
| Gęstość osadu | <1E4 cm-2 |
| Gęstość jamy wytrawiania | <= 1E5 cm-2 |
| Powierzchnia, twarz B. | Gotowy do EPI |
| Powierzchnia, twarz A | Z grubsza wypolerowany |
| Chropowatość powierzchni | Ra <20A lub niestandardowe |
| Wielkość osadu | <5um |
| Identyfikacja twarzy | Twarz |
Gdy skład Zn wynosi 0,04, wafel Cd0.96Zn0.04Te doskonale nadaje się na epitaksjalną folię HgCdTe, ponieważ jej stała sieciowa i właściwości chemiczne są dopasowane do HgCdTe – materiału do wykrywania podczerwieni.
1.2 Wafel CdZnTe do wykrywania promieniowania
Podłoże CdZnTe o składzie Zn=0,1~0,2 może być dostarczone ze stykami lub bez. Podłoże CZT jest nowym materiałem do wykrywania promieniowania jądrowego w ostatnich latach. Istnieje wiele doskonałych właściwości tellurku kadmu i cynku do tego zastosowania: duża przerwa wzbroniona, łatwe do kontrolowania wytwarzanie prądu cieplnego; duża średnia liczba atomowa, duża zdolność zatrzymywania promieni, dobra wytrzymałość mechaniczna, wygodna do produkcji urządzeń; wysoka rezystywność, wyprodukowany detektor może nadal utrzymywać niski prąd upływu przy wysokim napięciu polaryzacji. Dzięki temu hałas detektora jest zmniejszony. W porównaniu z tradycyjnym scyntylatorowym detektorem promieniowania jądrowego z jodku sodu, ma wyższą rozdzielczość energii.
Ponadto detektory rentgenowskie i Y wykonane z kryształu tellurku cynkowo-kadmowego mogą pracować w temperaturze pokojowej, eliminując problem dodawania ciekłego azotu. Co więcej, detektor promieniowania rentgenowskiego z tellurku kadmu i cynku można łatwo przetworzyć na detektor z matrycą pikseli, a dzięki zintegrowanemu krzemowemu układowi odczytu sygnału można go przekształcić w kompaktowe, wydajne i wysokiej rozdzielczości urządzenie do obrazowania radiograficznego, które może być szeroko stosowany w analizie fluorescencji rentgenowskiej, monitorowaniu odpadów jądrowych, testach bezpieczeństwa na lotniskach i portach, wykrywaniu wad przemysłowych, diagnostyce medycznej, badaniach astrofizycznych itp.
1.3 Podłoże z tellurku cynkowo-kadmowego do urządzeń fotoelektrycznych i na podczerwień
Dodając odpowiednią ilość wanadu (V) lub indu (In) do tellurku kadmu i cynku, tellurku kadmu i cynku staje się doskonałym półprzewodnikowym materiałem fotorefrakcyjnym w zakresie bliskiej podczerwieni. Silne zapotrzebowanie na przetwarzanie informacji optycznej w paśmie bliskiej podczerwieni spowodowało rozwój nowych rodzajów materiałów fotorefrakcyjnych bliskiej podczerwieni. Domieszkowany odpowiednią ilością wanadu lub indu podczas wzrostu CdZnTe, wanad lub ind staje się wrażliwym na fotorefrakcję centrum poziomu energii głębokiego, dzięki czemu materiał wafla CdZnTe ma duży współczynnik fotoelektryczny w paśmie bliskiej podczerwieni, który może być wykorzystany do Optyczna pamięć holograficzna w paśmie bliskiej podczerwieni w czasie rzeczywistym i optyczne urządzenie do współdzielenia fazy.
Ponieważ tellurek kadmowo-cynkowy ma wysoką przepuszczalność podczerwieni (~65%) w paśmie podczerwieni, wafle z tellurku kadmowo-cynkowego mogą być używane do wytwarzania soczewek na podczerwień, pryzmatów i innych elementów optycznych na podczerwień. Poza tym doskonała wydajność fotoelektryczna kryształu CdZnTe sprawia, że nadaje się on do opracowywania urządzeń optoelektronicznych, takich jak modulatory fotoelektryczne i cienkowarstwowe ogniwa słoneczne.
2. Zastosowanie wafla CdZnTe
W skrócie, wafel CdZnTe może być używany do:
* wzrost wysokiej jakości filmów epitaksjalnych HgCdTe;
* materiały na okna laserowe na podczerwień o doskonałej wydajności;
* produkcja detektorów promieniowania rentgenowskiego i promieniowania γ;
* produkcja płytki epitaksjalnej z supersieci kwantowej CdTe/ZnTe;
* ogniwa słoneczne;
* modulatory fotoelektryczne itp.
