GaN na Sapphire HEMT Wafel

GaN na Sapphire HEMT Wafel

Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.

A teraz zobacz poniżej specyfikacje płytek GaN-on-Sapphire HEMT:

Opis

1. GaN na waflu szafirowym ze strukturą HEMT do zastosowań energetycznych

Rozmiar wafla 2”, 3”, 4”, 6”
Struktura AlGaN / GaN HEMT patrz 1.2
Gęstość nośna 6E12~2E13 cm2
Mobilność hali /
XRD(102)FWHM ~arc.sek
XRD(002)FWHM ~arc.sek
Rezystywność arkusza /
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0,25 nm
Łuk (um) <=35um
wykluczenie krawędź <2mm
Warstwa pasywacyjna SiN 0~30nm
Skład Al 20-30%
W składzie 17% dla InAlN
Czapka GaN /
Bariera AlGaN/(In)AlN /
warstwa pośrednia AlN /
kanał GaN /
C domieszkowany bufor GaN /
Nagość /
Materiał podłoża Sapphire podłoże

 

2. Struktura GaN HEMT na podłożu szafirowym do zastosowań RF

Rozmiar wafla 2”, 3”, 4”, 6”
Struktura AlGaN / GaN HEMT patrz 1.2
Gęstość nośna 6E12~2E13 cm2
Mobilność hali /
XRD(102)FWHM /
XRD(002)FWHM /
Rezystywność arkusza /
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0,25 nm
Łuk (um) <=35um
wykluczenie krawędź <2mm
SiN warstwa pasywacyjna 0~30nm
warstwa nasadki u-GaN /
Skład Al 20-30%
W składzie 17% dla InAlN
Warstwa barierowa AlGaN 20~30nm
przekładka AlN /
Warstwa buforowa GaN (um) /
kanał GaN /
Bufor GaN domieszkowany Fe /
Nagość /
Materiał podłoża Sapphire podłoże

    został dodany do Twojego koszyka:
    Zamówienie