CdZnTe Wafer

CdZnTe-Wafer

Cadmium zinc telluride (short for CdZnTe or CZT) wafer is an important II-VI group semiconductor material, which can be offered by CdZnTe wafer manufacturer – Ganwafer mainly for infrared thin film epitaxial growth and radiation detection. The band gap of CdZnTe is large, and low-energy infrared light cannot excite the electron conduction band transition in the valence band, so it does not produce intrinsic absorption of infrared light. Moreover, the dielectric constant of cadmium zinc telluride ingot is small, and the extinction coefficient is small when infrared is transmitted, so the infrared transmittance of CZT wafer is high. More important, the CZT lattice constant can be adjusted with different Zn content to meet the growth requirements of HgCdTe (MCT) epitaxial films with different compositions. More info about CdZnTe wafer please see below:

Beschreibung

1. Cadmium-Zink-Tellurid (CZT)-Wafer-Spezifikationen

1.1 CdZnTe für epitaxiales HgCdTe-Wachstum

CdZnTe Für epitaktisches Wachstum: HgCdTe:
CZT-Substratgröße 20 × 20 +/- 0,1 mm oder größer
CZT-Struktur undotiert zweifach frei
CZT-Dicke 1000 +/- 50
Zinkverteilung 4,5% oder benutzerdefiniert
"Y"% Wafer zu Wafer <4% +/- 1%
"Y"% innerhalb des Wafers <4% +/- 0,5%
Orientierung (211) B, (111) B.
DCRC FWHM <= 50 Bogensekunden
Trägerkonzentration - -
IR-Transmission% (2-20) um > 60%
Niederschlagsgröße <5um
Niederschlagsdichte <1E4 cm & supmin; ²
Ätzgrubendichte <= 1E5 cm & supmin; ²
Oberfläche, B-Seite EPI bereit
Oberfläche, A-Gesicht Grob poliert
Oberflächenrauheit Ra <20A oder benutzerdefiniert
Die Niederschlagsgröße <5um
Gesichtserkennung Ein Gesicht

 

Wenn die Zusammensetzung von Zn 0,04 beträgt, ist der Cd0,96Zn0,04Te-Wafer perfekt für epitaxiale HgCdTe-Filme geeignet, da seine Gitterkonstante und seine chemischen Eigenschaften mit HgCdTe – einem Infrarotdetektormaterial – übereinstimmen.

1.2 CdZnTe-Wafer zur Strahlungsdetektion

Das CdZnTe-Substrat mit der Zusammensetzung Zn = 0,1 ~ 0,2 kann mit oder ohne Kontakte bereitgestellt werden. CZT-Substrate sind in den letzten Jahren das aufstrebende Material für nukleare Strahlungsdetektoren. Es gibt viele hervorragende Cadmium-Zink-Tellurid-Eigenschaften für diese Anwendung: große Bandlücke, leicht zu kontrollierende Wärmestromerzeugung; große durchschnittliche Ordnungszahl, starke Fähigkeit, Strahlen zu stoppen, gute mechanische Festigkeit, bequem für die Herstellung von Geräten; hoher spezifischer Widerstand, kann der hergestellte Detektor immer noch einen niedrigen Leckstrom unter hoher Vorspannung aufrechterhalten. Daher wird das Detektorrauschen reduziert. Verglichen mit dem herkömmlichen Natriumiodid-Szintillator-Kernstrahlungsdetektor hat er eine höhere Energieauflösung.

Darüber hinaus können Röntgen- und Y-Strahlen-Detektoren aus Zink-Cadmium-Tellurid-Kristall bei Raumtemperatur arbeiten, wodurch die Mühe des Hinzufügens von flüssigem Stickstoff entfällt. Darüber hinaus kann der Cadmium-Zink-Tellurid-Röntgendetektor leicht zu einem Pixel-Array-Detektor verarbeitet werden, und mit der überbrückten integrierten Signalausleseschaltung aus Silizium kann er zu einem kompakten, effizienten und hochauflösenden Röntgenbildgebungsgerät gemacht werden, das dies kann weit verbreitet in der Röntgenfluoreszenzanalyse, der Überwachung von Atommüll, Sicherheitstests an Flughäfen und Häfen, der industriellen Fehlererkennung, der medizinischen Diagnose, der astrophysikalischen Forschung usw.

1.3 Cadmium-Zink-Tellurid-Substrat für Infrarot- und photoelektrische Geräte

Durch Hinzufügen einer geeigneten Menge an Vanadium (V) oder Indium (In) zu Cadmium-Zink-Tellurid wird Cadmium-Zink-Tellurid zu einem ausgezeichneten photorefraktiven Halbleitermaterial im nahen Infrarotbereich. Die starke Nachfrage nach optischer Informationsverarbeitung im Nahinfrarotband hat die Entwicklung neuer Arten von Nahinfrarot-photorefraktiven Materialien vorangetrieben. Während des CdZnTe-Wachstums mit einer geeigneten Menge Vanadium oder Indium dotiert, wird Vanadium oder Indium zum photorefraktiven, empfindlichen tiefen Energieniveauzentrum, so dass das CdZnTe-Wafermaterial einen großen photoelektrischen Koeffizienten im nahen Infrarotband aufweist, das zur Herstellung verwendet werden kann optischer holografischer Echtzeitspeicher und optische Phase-Sharing-Vorrichtung im Nahinfrarotwellenband.

Da Cadmium-Zink-Tellurid eine hohe Infrarotdurchlässigkeit (~65 %) im Infrarotband hat, können Cadmium-Zink-Tellurid-Wafer zur Herstellung von Infrarotlinsen, Prismen und anderen optischen Infrarotkomponenten verwendet werden. Außerdem eignet sich die hervorragende photoelektrische Leistung von CdZnTe-Kristallen für die Entwicklung von optoelektronischen Geräten wie photoelektrischen Modulatoren und Dünnschicht-Solarzellen.

2. Anwendung des CdZnTe-Wafers

Kurz gesagt, CdZnTe-Wafer können verwendet werden für:

* Wachstum hochwertiger HgCdTe-Epitaxiefilme;

* Materialien für Infrarot-Laserfenster mit hervorragender Leistung;

* Produktion von Röntgen- und γ-Strahlendetektoren;

* Herstellung von CdTe/ZnTe-Epitaxialwafern mit Quantenübergitter;

* Solarzellen;

* photoelektrische Modulatoren usw.

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