CdZnTeウェーハ
Cadmium zinc telluride (short for CdZnTe or CZT) wafer is an important II-VI group semiconductor material, which can be offered by CdZnTe wafer manufacturer – Ganwafer mainly for infrared thin film epitaxial growth and radiation detection. The band gap of CdZnTe is large, and low-energy infrared light cannot excite the electron conduction band transition in the valence band, so it does not produce intrinsic absorption of infrared light. Moreover, the dielectric constant of cadmium zinc telluride ingot is small, and the extinction coefficient is small when infrared is transmitted, so the infrared transmittance of CZT wafer is high. More important, the CZT lattice constant can be adjusted with different Zn content to meet the growth requirements of HgCdTe (MCT) epitaxial films with different compositions. More info about CdZnTe wafer please see below:
- 説明
- 問い合わせ
説明
1.テルル化カドミウム亜鉛（CZT）ウェーハの仕様
1.1HgCdTeエピタキシャル成長のためのCdZnTe
| CdZnTeエピタキシャル成長の場合、HgCdTe： | |
| CZTの基板サイズ | 20×20 +/- 0.1mm以上 |
| CZT構造 | ドープされていないツインフリー |
| CZTの厚さ | 1000 +/- 50 |
| 亜鉛の分布 | 4.5％またはカスタム |
| 「y」％ウェーハ間 | <4％+ /-1％ |
| ウェーハ内の「y」％ | <4％+ /-0.5％ |
| 方向付け | （211）B、（111）B |
| DCRC FWHM | <= 50 arc.sec |
| キャリア濃度 | – |
| IR透過率％（2-20）um | > 60％ |
| 沈殿物のサイズ | <5um |
| 沈殿物の密度 | <1E4 cm-2 |
| エッチングピット密度 | <= 1E5 cm-2 |
| 表面、B面 | EPI対応 |
| 表面、A面 | 粗く磨かれた |
| 表面粗さ | Ra <20Aまたはカスタム |
| 沈殿物のサイズ | <5um |
| 顔識別 | 顔 |
Znの組成が0.04の場合、Cd0.96Zn0.04Teウェーハは、その格子定数と化学的性質が赤外線検出器材料であるHgCdTeと一致するため、エピタキシャルHgCdTe膜に最適です。
1.2放射線検出用CdZnTeウェーハ
組成Ｚｎ ＝ ０．１〜０．２のＣｄＺｎＴｅ基板は、接触の有無にかかわらず提供することができる。 CZT基板は、近年出現した核放射線検出器の材料です。 この用途には多くの優れたテルル化カドミウム亜鉛の特性があります。大きなバンドギャップ、熱電流の発生を制御しやすい。 平均原子番号が大きく、光線を阻止する強力な能力、優れた機械的強度、デバイスの製造に便利。 抵抗率が高い場合でも、製造された検出器は高バイアス電圧下で低リーク電流を維持できます。 したがって、検出器のノイズが低減されます。 従来のヨウ化ナトリウムシンチレータ核放射線検出器と比較して、それはより高いエネルギー分解能を持っています。
さらに、テルル化カドミウム亜鉛結晶で作られたX線およびY線検出器は、室温で機能するため、液体窒素を追加する手間が省けます。 さらに、テルル化カドミウム亜鉛X線検出器はピクセルアレイ検出器に簡単に処理でき、ブリッジシリコン統合信号読み出し回路を使用して、コンパクトで効率的で高解像度の放射線画像装置にできます。蛍光X線分析、核廃棄物モニタリング、空港および港湾の安全性試験、産業欠陥検出、医療診断、天体物理学研究などで広く使用されています。
1.3赤外線および光電デバイス用のテルル化カドミウム亜鉛基板
テルル化カドミウム亜鉛に適量のバナジウム（V）またはインジウム（In）を加えることにより、テルル化カドミウム亜鉛は優れた近赤外半導体フォトリフラクティブ材料になります。 近赤外帯域での光情報処理に対する強い需要により、新しいタイプの近赤外光屈折材料の開発が推進されています。 CdZnTeの成長中に適切な量のバナジウムまたはインジウムをドープすると、バナジウムまたはインジウムがフォトリフラクティブに敏感な深部エネルギーレベルの中心になるため、CdZnTeウェーハ材料は近赤外帯域で大きな光係数を持ち、これを使用して作成できます。近赤外波帯リアルタイム光ホログラフィックメモリおよび光位相共有デバイス。
テルル化カドミウム亜鉛は、赤外線帯域で高い赤外線透過率（〜65％）を持っているため、テルル化カドミウム亜鉛ウェーハは、赤外線レンズ、プリズム、およびその他の赤外線光学部品の製造に使用できます。 さらに、CdZnTe結晶の優れた光電性能により、光電変調器や薄膜太陽電池などのオプトエレクトロニクスデバイスの開発に適しています。
2.CdZnTeウェーハの適用
つまり、CdZnTeウェーハは次の目的で使用できます。
*高品質のHgCdTeエピタキシャル膜の成長。
*優れた性能を備えた赤外線レーザー窓材。
* X線およびγ線検出器の製造。
*量子超格子CdTe / ZnTeエピタキシャルウェーハの製造。
* 太陽電池;
*光電変調器など。
