窒化ガリウム（GaN）基板は、水素化物気相エピタキシー（HVPE）技術によって成長します。 クライアントのニーズと仕様に応じて、業界標準の純粋な窒化ガリウム基板を提供します。 GaN基板は、少数の企業によって大量生産に過剰な価格で製造されています。 GaNベースのデバイスは、サファイア（Al2O3）やSiC基板などの異種基板上でほぼ完全に開発されています。
Ganwafer is a leading Freestanding GaN Substrate Manufacturer that produces gallium nitride semiconductor substrate that offers great potential for high-performance devices. Ganwafer has established the gallium nitride semiconductor technology for free standing GaN single crystal substrate wafer and related III-N Materials, including GaN substrates of various orientations and electrical conductivity, crystalline GaN Wafer, which is for UHB-LED and LD. Our gallium nitride wafers have low defect density.
当社の高品質の自立型GaN結晶基板は、転位密度が低く、表面が均一で、欠陥が途切れることはありません。 これらは、ソリッドステート照明、電源装置、ワイヤレスベースステーション、ワイヤレスブロードバンドアクセス、圧力センサー、熱センサー、自動車用電子機器などのさまざまなアプリケーションに広く使用されています。
評判の高いプロの自立型GaN基板サプライヤーとして、私たちは工場から直接製品をお届けします。 私たちは、尊敬されているクライアントが高品質のバルク窒化ガリウム結晶基板で最良の取引を確実に受けられるようにします。 私たちのグローバルなクライアントは、私たちの優れた顧客サービスにより、私たちのチームがGaN結晶基板の優先サプライヤーとして高く評価されています。 自立型GaN製品の詳細については、お気軽にお問い合わせください。
