半絶縁性の自立型GaN基板
Semi-insulating Freestanding GaN (Gallium Nitride) Substrate is mainly for RF device based on HEMT structure. Ganwafer, a semi-insulating freestanding GaN substrate manufacturer, has formed the manufacturing technology for freestanding GaN semi-insulating substrate wafer. The substrate wafer is for UHB-LED and LD. Our GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has low defect density and less or free macro defect density. More specification of GaN semi-insulating substrate, please see below:
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説明
1.半絶縁性の自立型GaN基板の仕様
1.14インチの半絶縁性GaNウェーハ基板
| アイテム | GANW-FS-GaN100-SI |
| 伝導型 | 半絶縁性 |
| サイズ | 4インチ（100）+/- 1mm |
| 厚さ | 480 +/- 50um |
| 方向付け | C軸（0001）+/- 0.5° |
| プライマリフラット場所 | （10-10）+/- 0.5° |
| プライマリフラット長 | 32 +/- 1mm |
| セカンダリフラット場所 | （1-210）+/- 3° |
| セカンダリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル |
| 抵抗率（300K） | > 10 ^6Ω・cm |
| 転位密度 | <5×106cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.sec |
| TTV | <= 30um |
| 弓 | <= +/- 30um |
| 表面仕上げ | 前面：Ra <= 0.3nm.Epi対応研磨済み |
| — | 裏面：1。細かい地面 |
| — | 2.洗練された |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
1.22インチ半絶縁GaN自立基板
| アイテム | GANW-FS-GaN50-SI |
| 伝導型 | 半絶縁性 |
| サイズ | 2」（50.8）+/- 1ミリメートル |
| 厚さ | 400 +/- 50um |
| 方向付け | C軸（0001）A軸に向かうオフ角度0.35°+/- 0.15° |
| プライマリフラット場所 | （10-10）+/- 0.5° |
| プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル |
| セカンダリフラット場所 | （1-210）+/- 3° |
| セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル |
| 抵抗率（300K） | > 10 ^6Ω・cm |
| 転位密度 | <5×106cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.sec |
| TTV | <=15μmから |
| 弓 | <= +/- 20um |
| 表面仕上げ | 前面：Ra <= 0.3nm。 エピレディポリッシュ |
| — | 裏面：1。細かい地面 |
| — | 2.磨きました。 |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
2.XRDロッキングカーブ-GaN材料-テストレポート
テストレポートは、ウェーハの品質と、ウェーハの説明とデータの一致を示すことができます。 製造プロセスの後、ウェーハの特性評価をテストします。
*原子間力顕微鏡によるウェーハ表面粗さのテスト。
*ローマのスペクトル機器による導電率タイプのテスト。
*非接触抵抗率試験装置によるウェーハ抵抗率の試験。
*偏光顕微鏡でウェーハのマイクロパイプ密度をテストします。
テスト後、100クラスのクリーン環境でウェーハを洗浄して梱包します。 ウェーハの品質がカスタム仕様を満たしていない場合は、テスト後に取り外します。
半値全幅（FWHM）は、Y軸上のこれらのポイント間で測定されたスペクトル曲線の幅です。 次の図は、テストしたGaN材料のXRDロッキングカーブを示しています。
述べる：
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料（GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど）およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日以降、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解いただければ幸いです。
