半絶縁性の自立型GaN基板

半絶縁性の自立型GaN基板

半絶縁性自立型GaN(窒化ガリウム)基板は、主にHEMT構造に基づくRFデバイス用です。 半絶縁性自立型GaN基板メーカーであるPAM-XIAMENは、自立型GaN半絶縁性基板ウェーハの製造技術を形成しました。 基板ウェーハはUHB-LEDおよびLD用です。 水素化物気相エピタキシー(HVPE)によって成長させた当社のGaN基板は、欠陥密度が低く、マクロ欠陥密度が少ないか、または自由です。 GaN半絶縁性基板の詳細については、以下を参照してください。

説明

1.半絶縁性の自立型GaN基板の仕様

1.14インチの半絶縁性GaNウェーハ基板

アイテム PAM-FS-GaN100-SI
伝導型 半絶縁性
サイズ 4インチ(100)+/- 1mm
厚さ 480 +/- 50um
方向付け C軸(0001)+/- 0.5°
プライマリフラット場所 (10-10)+/- 0.5°
プライマリフラット長 32 +/- 1mm
セカンダリフラット場所 (1-210)+/- 3°
セカンダリフラット長 16 +/- 1ミリメートル
抵抗率(300K) > 10 ^6Ω・cm
転位密度 <5×106cm-2
FWHM <= 100arc.sec
TTV <= 30um
<= +/- 30um
表面仕上げ 前面:Ra <= 0.3nm.Epi対応研磨済み
裏面:1。細かい地面
2.洗練された
使用可能エリア ≥90%

 

1.22インチ半絶縁GaN自立基板

アイテム PAM-FS-GaN50-SI
伝導型 半絶縁性
サイズ 2」(50.8)+/- 1ミリメートル
厚さ 400 +/- 50um
方向付け C軸(0001)A軸に向かうオフ角度0.35°+/- 0.15°
プライマリフラット場所 (10-10)+/- 0.5°
プライマリフラット長 16 +/- 1ミリメートル
セカンダリフラット場所 (1-210)+/- 3°
セカンダリフラット長 8 +/- 1ミリメートル
抵抗率(300K) > 10 ^6Ω・cm
転位密度 <5×106cm-2
FWHM <= 100arc.sec
TTV <=15μmから
<= +/- 20um
表面仕上げ 前面:Ra <= 0.3nm。 エピレディポリッシュ
裏面:1。細かい地面
2.磨きました。
使用可能エリア ≥90%

 

2.XRDロッキングカーブ-GaN材料-テストレポート

テストレポートは、ウェーハの品質と、ウェーハの説明とデータの一致を示すことができます。 製造プロセスの後、ウェーハの特性評価をテストします。

*原子間力顕微鏡によるウェーハ表面粗さのテスト。

*ローマのスペクトル機器による導電率タイプのテスト。

*非接触抵抗率試験装置によるウェーハ抵抗率の試験。

*偏光顕微鏡でウェーハのマイクロパイプ密度をテストします。

テスト後、100クラスのクリーン環境でウェーハを洗浄して梱包します。 ウェーハの品質がカスタム仕様を満たしていない場合は、テスト後に取り外します。

半値全幅(FWHM)は、Y軸上のこれらのポイント間で測定されたスペクトル曲線の幅です。 次の図は、テストしたGaN材料のXRDロッキングカーブを示しています。

XRD Rocking Curves of GaN Material

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