SiCウェーハ
Ganwafer, a SiC substrate supplier, offers semiconductor SiC wafer substrate, including 6H-SiC substrate and 4H-SiC substrate in production grade, research grade and dummy grade for researchers and industry manufacturers. We has developed SiC crystal growth technology and silicon carbide wafer manufacturing process, established a production line to manufacture bare silicon carbide wafer, which can be applied in GaN epitaxy devices, power devices, high-temperature devices and optoelectronic devices. SiC wafer fabrication have many advantages such as high frequency, high power, high temperature resistance, radiation resistance, anti-interference, small size and light weight.
以下に詳細仕様を示します。
- 説明
- 問い合わせ
説明
SiC基板の成長に関しては、SiCウェーハ基板は、特定の結晶方向に沿って炭化ケイ素結晶を切断、研削、研磨したシート状の単結晶材料です。 大手SiC基板メーカーの1つとして、現在の基板の品質を継続的に改善し、大型の裸のSiC基板を開発することに専念しています。
1.炭化ケイ素ウェーハの仕様
1.1 6″ N-Type 4H SiC Nitrogen-Doped Conductive Silicon Carbide Wafer
| 基板特性 | S4H-150-N-GANW-350 S4H-150-N-GANW-500 | |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード4HSiC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | （150±0.5）mm | （150±0.5）mm |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアタイプ | n型 | n型 |
| ドーパント | 窒素 | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | （0.015 – 0.028）Ω・cm | （0.015 – 0.028）Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） | |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 | |
| TTV | <15μm | <15μm |
| 弓 | <40μm | <40μm |
| ワープ | <60μm | <60μm |
| 面方位 | ||
| 軸オフ | <11-20>に向かって4°0.5°、±します | <11-20>に向かって4°0.5°、±します |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | 47.50 mm±2.00 mm | 47.50 mm±2.00 mm |
| 二次フラット | なし | なし |
| 表面仕上げ | ダブル顔を研磨します | ダブル顔を研磨します |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度リストによるクラック | なし（AB） | 累積長さ≤20mm、単一長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤0.1％（CD） |
| 高輝度光によるポリタイプエリア | なし（AB） | 累積面積≤3％（CD） |
| ビジュアルカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤3％（CD） |
| 高輝度光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≤1xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5許可、各1mm以下（CD） |
| 高輝度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能な領域 | ≥90％ | - |
| エッジ除外 | 3ミリメートル | 3ミリメートル |
1.2 4H SiC、高純度半絶縁性（HPSI）、6インチウェーハ仕様
4H SiC、Vドープ半絶縁性
| 基板特性 | S4H-150-SI-GANW-500 | |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード4HSiC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | （150±0.5）mm | （150±0.5）mm |
| 厚さ | （500±25）μm | （500±25）μm |
| キャリアタイプ | 半絶縁性 | 半絶縁性 |
| ドーパント | V doped | V doped |
| 比抵抗（RT） | >1E7Ω・cm | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） | |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2 | |
| TTV | <15μm | <15μm |
| 弓 | <40μm | <40μm |
| ワープ | <60μm | <60μm |
| 面方位 | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | なし | なし |
| エッジ除外 | 3ミリメートル | 3ミリメートル |
1.3 4インチ4H-SIC基板、Nタイプ
| 基板特性 | S4H-100-N-GANW-350 S4H-100-N-GANW-500 | |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード4HSiC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | （100±0.5）mmの | （100±0.5）mmの |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアタイプ | n型 | n型 |
| ドーパント | 窒素 | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | （0.015 – 0.028）Ω・cm | （0.015 – 0.028）Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） | |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 | |
| TTV | <10μM | <10μM |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <45μm | <45μm |
| 面方位 | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>±0.5°に向かって4°または8° | <11-20>±0.5°に向かって4°または8° |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル | ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°- | |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°- | ||
| セカンダリフラット長 | 18.00±2.00ミリメートル | 18.00±2.00ミリメートル |
| 表面仕上げ | ダブル顔を研磨します | ダブル顔を研磨します |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度リストによるクラック | なし（AB） | 累積長さ≤10mm、単一長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤0.1％（CD） |
| 高輝度光によるポリタイプエリア | なし（AB） | 累積面積≤3％（CD） |
| ビジュアルカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤3％（CD） |
| 高輝度光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≤1xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5許可、各1mm以下（CD） |
| 高輝度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能な領域 | ≥90％ | - |
| エッジ除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.4 4H SiC、高純度半絶縁性（HPSI）、4インチウェーハ仕様
4H SiC、Vドープ半絶縁性、4インチウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-100-SI-GANW-350 S4H-100-SI-GANW-500 | |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード4HSiC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | （100±0.5）mmの | （100±0.5）mmの |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアタイプ | 半絶縁性 | 半絶縁性 |
| ドーパント | V doped | V doped |
| 比抵抗（RT） | >1E7Ω・cm | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） | |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2 | |
| TTV | >10μm | >10μm |
| 弓 | >25μm | >25μm |
| ワープ | >45μm | >45μm |
| 面方位 | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | なし | なし |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル | ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°- | |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°- | ||
| セカンダリフラット長 | 18.00±2.00ミリメートル | 18.00±2.00ミリメートル |
| 表面仕上げ | ダブル顔を研磨します | ダブル顔を研磨します |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度リストによるクラック | なし（AB） | 累積長さ≤10mm、単一長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤0.1％（CD） |
| 高輝度光によるポリタイプエリア | なし（AB） | 累積面積≤3％（CD） |
| ビジュアルカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤3％（CD） |
| 高輝度光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≤1xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5許可、各1mm以下（CD） |
| 高輝度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能な領域 | ≥90％ | - |
| エッジ除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.5 4H NタイプSiC、3インチ（76.2mm）ウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-76-N-GANW-330 S4H-76-N-GANW-430 |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード4HSiC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | （76.2±0.38）mmで |
| 厚さ | （350±25）μm（430±25）μm |
| キャリアタイプ | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | 0.015 - 0.028Ω・cmで |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 |
| TTV /ボウ/ワープ | <25μm |
| 面方位 | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | 0.5°±<11-20>に向かって4度または8° |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル |
| 0.875 "±0.125" | |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 11.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.6 4H半絶縁性SiC、3インチ（76.2mm）ウェーハ仕様
（高純度半絶縁（HPSI）SiC基板が利用可能です）
| UBSTRATEプロパティ | S4H-76-N-GANW-330 S4H-76-N-GANW-430 |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード4HSiC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | （76.2±0.38）mmで |
| 厚さ | （350±25）μm（430±25）μm |
| キャリアタイプ | 半絶縁性 |
| ドーパント | V doped |
| 比抵抗（RT） | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2 |
| TTV /ボウ/ワープ | >25μm |
| 面方位 | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | 0.5°±<11-20>に向かって4度または8° |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル |
| 0.875 "±0.125" | |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 11.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.7 4H NタイプSiC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-51-N-GANW-330 S4H-51-N-GANW-430 |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード4HSiC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | （50.8±0.38）mmで |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| キャリアタイプ | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | 0.012から0.0028Ω・cmで |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 |
| 面方位 | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | 0.5°±<11-20>に向かって4度または8° |
| プライマリオリエンテーションフラット | 平行{1-100}±5° |
| プライマリフラット長 | 16.00±1.70mm |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 8.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.8 4H半絶縁性SiC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
（高純度半絶縁（HPSI）SiC基板が利用可能です）
| 基板特性 | S4H-51-SI-GANW-250 S4H-51-SI-GANW-330 S4H-51-SI-GANW-430 |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード4HSEMI基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | （50.8±0.38）mmで |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| 比抵抗（RT） | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2 |
| 面方位 | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>に向かって3.5°、0.5°、±します |
| プライマリオリエンテーションフラット | 平行{1-100}±5° |
| プライマリフラット長 | 16.00±1.70ミリメートル |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°ccw。 フラット方向から±5° | |
| セカンダリフラット長 | 8.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.9 6H NタイプSiC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
| 基板特性 | S6H-51-N-GANW-250 S6H-51-N-GANW-330 S6H-51-N-GANW-430 |
| 説明 | A / B生産グレードC / D研究グレードDダミーグレード6HSiC基板 |
| ポリタイプ | 6H |
| 直径 | （50.8±0.38）mmで |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| キャリアタイプ | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | 0.02〜0.1Ω・cmで |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C面光学研磨） |
| FWHM | A <30秒角＆n 1 mm |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>に向かって3.5°、0.5°、±します |
| プライマリオリエンテーションフラット | 平行{1-100}±5° |
| プライマリフラット長 | 16.00±1.70ミリメートル |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 8.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.10SiCシードクリスタルウェーハ
| アイテム | サイズ | タイプ | 方向付け | 厚さ | MPD | 研磨条件 |
| 1号 | 105ミリメートル | 4H、Nタイプ | C（0001）4度オフ | 500 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
| 2位 | 153mm | 4H、Nタイプ | C（0001）4度オフ | 350+/-50um | <= 1 / cm-2 | – |
1.11 4HN型または半絶縁性SiCウェーハの仕様
サイズ：5mm * 5mm、10mm * 10mm、15mm * 15mm、20mm * 20mm;
厚さ：330μm/430μm。
1.12a面SiCウェーハの仕様
サイズ：40mm * 10mm、30mm * 10mm、20mm * 10mm、10mm * 10mm;
6H / 4H Nタイプ厚さ：330μm/430μmまたはカスタム。
6H / 4H半絶縁厚：330μm/430μmまたはカスタム。
2.炭化ケイ素の材料特性
| 炭化ケイ素材料の特性 | ||
| ポリタイプ | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子パラメータ | = 3.076Å | = 3.073Å |
| C = 10.053Å | C = 15.117Å | |
| スタッキングシーケンス | ABCB | ABCACB |
| バンドギャップ | 3.26 eVの | 3.03 eVの |
| 密度 | 3.21・103 kg / m3 | 3.21・103 kg / m3 |
| サーム。 膨張係数 | 4~5×10 -6 / K | 4~5×10 -6 / K |
| 屈折率 | なし= 2.719 | なし= 2.707 |
| NE = 2.777 | NE = 2.755 | |
| 誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導率 | 490 W / mKで | 490 W / mKで |
| ブレークダウン電界 | 2〜4・108 V / m | 2〜4・108 V / m |
| 飽和ドリフト速度 | 2.0・105 m / s | 2.0・105 m / s |
| 電子移動度 | 800cm2 / V・S | 400cm2 / V・S |
| 正孔移動度 | 115cm2 / V・S | 90cm2 / V・S |
| モース硬度 | 〜9 | 〜9 |
3. SiCウェーハのQ＆A
3.1シリコンウェーハと同じように、SiCウェーハが幅広い用途になる障壁は何ですか？
物理的および化学的安定性のため、SiC結晶の成長は非常に困難です。 したがって、それは半導体デバイスおよび電子アプリケーションにおけるSiCウェーハ基板の開発を深刻に妨げる。
異なる積層シーケンスとして炭化ケイ素には多くの結晶タイプがあり、これは多形とも呼ばれます。 炭化ケイ素の多形には、4H-SiC、6H-SiC、3C-SiCなどがあります。したがって、電子グレードの炭化ケイ素結晶を成長させることは困難です。
3.2どのような種類のSiCウェーハを提供していますか？
必要な炭化ケイ素ウェーハは立方相に属します。 立方晶（C）、六方晶（H）、菱形（R）があります。 私たちが持っているのは、4H-SiCや6H-SiCなどの六角形です。 Cは3C炭化ケイ素のように立方体です。
