販売されているGaNLEDウェーハは、サファイアとシリコン上にエピタキシャル成長させられます。 さらに、ガリウムヒ素（GaAs）基板上にLEDエピタキシーを提供することができます。
Ganwafer is one of leading LED Wafer Manufacturers that offers wafers that can be in different thicknesses and orientations with polished or unpolished sides and can comprise dopants. As a wide band gap semiconductor material, GaN provides higher efficiency and power density than conventional semiconductors at the device level. The LED epitaxial wafer based on GaN has benefits like size reduction, less power consumption, and affordable cost.
LEDウェーハ製造プロセスの開発に伴い、GaNLEDエピタキシャルウェーハはエピタキシーによって成長した複雑な多層構造になっています。 LEDエピウェーハは、青、赤、緑、またはUV LED、LD、またはその他のアプリケーションなど、優れた性能を発揮する電子デバイスの製造に広く使用されています。 緑、青、または赤の発光を伴うLEDウェーハ製造の波長は、365nmから870nmの範囲です。 LEDウェーハの歩留まりは、さまざまな製品の出力と効率を向上させます。
私たちはお客様の要求に焦点を合わせ、LEDウェーハレベルパッケージを提供します。 当社のLEDウェーハソリューションは、商用および研究アプリケーション、および新技術の研究開発向けです。
