サファイア/シリコン上のGaNエピ

GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.

サファイア基板上のGaNの初期の研究では、GaN成長中のサファイア基板にマイクロクラックが形成された証拠が見つかりました。 しかし、GaN表面に伸びるマクロクラックの形成は、熱的ミスマッチにのみ起因すると考えられていました。 その後、サファイア上のGaN層が100 mmを超えて成長すると、サファイア上のGaNテンプレートに効率的な緩和プロセスがあることがわかりました。 直径2インチに近づく亀裂のないGaN-on-sapphireテンプレートの成長が実証されています。 亀裂は通常、初期の核形成中に形成された引張ひずみのために、GaN /サファイアテンプレートの成長中にすでに形成されていることがわかっています。 サファイアテンプレート上のGaNでのこの初期の亀裂形成は、悪影響を与える可能性があります。 サファイア基板の微小亀裂は、冷却中の層と基板の熱膨張係数が異なるために増加したひずみを緩和するための後続の初期破壊点として機能する可能性があります。 たとえ成長条件が見つかったとしても、それは成長中の亀裂治癒につながります。 サファイア表面に成長したGaN膜の拡散係数は、このような亀裂を修復するための重要なパラメータと考えられています。

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