M面自立型GaN基板

M面自立型GaN基板

Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, undoped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:

説明

1.SiをドープしたバルクM面GaN基板

アイテム GANW-FS-GAN M-N
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け A軸に向かうM平面(1-100)のオフ角度0±0.5°
C軸に向かうM平面(1-100)のオフ角度-1±0.2°
伝導型 N型
抵抗率(300K) <0.05Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x10から55 x10まで6cm-2
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

 

2.ドープされていないM面自立型GaN基板

アイテム GANW-FS-GAN M-U
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け A軸に向かうM平面(1-100)のオフ角度0±0.5°
C軸に向かうM平面(1-100)のオフ角度-1±0.2°
伝導型 N型
抵抗率(300K) <0.1Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x10から55 x10まで6cm-2
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

 

3.半絶縁M面自立GaN基板

アイテム GANW-FS-GAN M-SI
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け A軸に向かうM平面(1-100)のオフ角度0±0.5°
C軸に向かうM平面(1-100)のオフ角度-1±0.2°
伝導型 半絶縁性
抵抗率(300K) >106Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x10から5 5 x10まで6cm-2
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

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