半極性自立型GaN基板
LEDやLDを含む黄色または赤色のエミッターなどの長波長デバイスの成長に関しては、(11-22)半極性GaN基板が最も有望な材料になりますが、まだ多くの大きな課題があります。 たぶん、これらの問題は、成長技術と構造設計を改善することによって解決できるでしょう。 さらに、フラットサファイア上に(11-22)を直接使用して成長させた半極性GaNは、この技術の商用アプリケーションにとって大きな利点になります。
Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:
- 説明
- 問い合わせ
説明
1. Siをドープした半極性(10-11)自立型GaN基板
アイテム | GANW-FS-GAN(10-11)-N |
寸法 | 5 x 10 mm2 |
厚さ | 350±25µm 430±25µm |
方向付け | (10-11)A軸に向かう平面オフ角度0±0.5° |
(10-11)C軸に向かう平面オフ角度-1±0.2° | |
伝導型 | N型 |
抵抗率(300K) | <0.05Ω・cm |
TTV | ≤10µm |
弓 | -10 µm≤BOW≤10 µm |
表面粗さ | 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。 |
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。 | |
転位密度 | 1 x 105から5x 106cm-2まで |
マクロ欠陥密度 | 0cm-2 |
使用可能面積 | > 90%(エッジ除外) |
パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
2.ドープされていない半極性(10-11)自立型GaN基板
アイテム | GANW-FS-GAN(10-11)-U |
寸法 | 5 x 10 mm2 |
厚さ | 350±25µm 430±25µm |
方向付け | (10-11)A軸に向かう平面オフ角度0±0.5° |
(10-11)C軸に向かう平面オフ角度-1±0.2° | |
伝導型 | N型 |
抵抗率(300K) | <0.1Ω・cm |
TTV | ≤10µm |
弓 | -10 µm≤BOW≤10 µm |
表面粗さ | 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。 |
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。 | |
転位密度 | 1 x 105から5x 106cm-2まで |
マクロ欠陥密度 | 0cm-2 |
使用可能面積 | > 90%(エッジ除外) |
パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
3.半絶縁性の自立型半極性(10-11)GaN基板
アイテム | GANW-FS-GAN(10-11)-SI |
寸法 | 5 x 10 mm2 |
厚さ | 350±25µm 430±25µm |
方向付け | (10-11)A軸に向かう平面オフ角度0±0.5° |
(10-11)C軸に向かう平面オフ角度-1±0.2° | |
伝導型 | 半絶縁性 |
抵抗率(300K) | >106Ω・cm |
TTV | ≤10µm |
弓 | -10 µm≤BOW≤10 µm |
表面粗さ | 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。 |
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。 | |
転位密度 | 1 x 105から5x 106cm-2まで |
マクロ欠陥密度 | 0cm-2 |
使用可能面積 | > 90%(エッジ除外) |
パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
4. Siをドープした半極性(11–22)自立型GaN基板
アイテム | GANW-FS-GAN(11-22)- N |
寸法 | 5 x 10 mm2 |
厚さ | 350±25µm 430±25µm |
方向付け | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
伝導型 | N型 |
抵抗率(300K) | <0.05Ω・cm |
TTV | ≤10µm |
弓 | -10 µm≤BOW≤10 µm |
表面粗さ | 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。 |
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。 | |
転位密度 | 1 x 105から5x 106cm-2まで |
マクロ欠陥密度 | 0cm-2 |
使用可能面積 | > 90%(エッジ除外) |
パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
5.ドープされていない自立型半極性(11-22)GaN基板
アイテム | GANW-FS-GAN(11-22)- U |
寸法 | 5 x 10 mm2 |
厚さ | 350±25µm 430±25µm |
方向付け | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
伝導型 | N型 |
抵抗率(300K) | <0.1Ω・cm |
TTV | ≤10µm |
弓 | -10 µm≤BOW≤10 µm |
表面粗さ | 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。 |
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。 | |
転位密度 | 1 x 105から5x 106cm-2まで |
マクロ欠陥密度 | 0cm-2 |
使用可能面積 | > 90%(エッジ除外) |
パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
6.半絶縁半極性(11-22)GaN自立基板
アイテム | GANW-FS-GAN(11-22)- SI |
寸法 | 5 x 10 mm2 |
厚さ | 350±25µm 430±25µm |
方向付け | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
伝導型 | 半絶縁性 |
抵抗率(300K) | >106Ω・cm |
TTV | ≤10µm |
弓 | -10 µm≤BOW≤10 µm |
表面粗さ | 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。 |
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。 | |
転位密度 | 1 x 105から5x 106cm-2まで |
マクロ欠陥密度 | 0cm-2 |
使用可能面積 | > 90%(エッジ除外) |
パッケージ | 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ |
述べる:
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料(GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど)およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日以降、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解いただければ幸いです。