半極性自立型GaN基板

半極性自立型GaN基板

LEDやLDを含む黄色または赤色のエミッターなどの長波長デバイスの成長に関しては、(11-22)半極性GaN基板が最も有望な材料になりますが、まだ多くの大きな課題があります。 たぶん、これらの問題は、成長技術と構造設計を改善することによって解決できるでしょう。 さらに、フラットサファイア上に(11-22)を直接使用して成長させた半極性GaNは、この技術の商用アプリケーションにとって大きな利点になります。

Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, undoped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:

説明

1. Siをドープした半極性(10-11)自立型GaN基板

アイテム GANW-FS-GAN(10-11)-N
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け (10-11)A軸に向かう平面オフ角度0±0.5°
(10-11)C軸に向かう平面オフ角度-1±0.2°
伝導型 N型
抵抗率(300K) <0.05Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x 105から5x 106cm-2まで
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

 

2.ドープされていない半極性(10-11)自立型GaN基板

アイテム GANW-FS-GAN(10-11)-U
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け (10-11)A軸に向かう平面オフ角度0±0.5°
(10-11)C軸に向かう平面オフ角度-1±0.2°
伝導型 N型
抵抗率(300K) <0.1Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x 105から5x 106cm-2まで
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

 

3.半絶縁性の自立型半極性(10-11)GaN基板

アイテム GANW-FS-GAN(10-11)-SI
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け (10-11)A軸に向かう平面オフ角度0±0.5°
(10-11)C軸に向かう平面オフ角度-1±0.2°
伝導型 半絶縁性
抵抗率(300K) >106Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x 105から5x 106cm-2まで
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

 

4. Siをドープした半極性(11–22)自立型GaN基板

アイテム GANW-FS-GAN(11-22)- N
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
伝導型 N型
抵抗率(300K) <0.05Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x 105から5x 106cm-2まで
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

 

5.ドープされていない自立型半極性(11-22)GaN基板

アイテム GANW-FS-GAN(11-22)- U
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
伝導型 N型
抵抗率(300K) <0.1Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x 105から5x 106cm-2まで
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

6.半絶縁半極性(11-22)GaN自立基板

アイテム GANW-FS-GAN(11-22)- SI
寸法 5 x 10 mm2
厚さ 350±25µm 430±25µm
方向付け (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
伝導型 半絶縁性
抵抗率(300K) >106Ω・cm
TTV ≤10µm
-10 µm≤BOW≤10 µm
表面粗さ 前面:Ra <0.2nm、エピレディ。
裏面:ファイングラインドまたはポリッシュ。
転位密度 1 x 105から5x 106cm-2まで
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90%(エッジ除外)
パッケージ 窒素雰囲気下で、クラス100のクリーンルームに梱包された単一のウェーハコンテナにそれぞれ

 

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