Substrato de GaN autônomo semi-isolante

Substrato de GaN autônomo semi-isolante

O substrato de GaN autônomo semi-isolante (nitreto de gálio) é principalmente para dispositivo de RF baseado na estrutura HEMT. PAM-XIAMEN, um fabricante de substrato de GaN autônomo semi-isolante, formou a tecnologia de fabricação para wafer de substrato semi-isolante de GaN autônomo. A pastilha de substrato é para UHB-LED e LD. Nosso substrato de GaN cultivado por epitaxia de fase de vapor de hidreto (HVPE) tem baixa densidade de defeitos e densidade de macro defeitos menor ou livre. Mais especificações do substrato semi-isolante GaN, veja abaixo:

Descrição

1. Especificação do Substrato de GaN Independente Semi-isolante

Substrato de Wafer GaN Semi-isolante de 1,1 4″

Item PAM-FS-GaN100-SI
Tipo de condução Semi-isolante
Tamanho 4″(100)+/-1mm
Espessura 480+/-50um
Orientação C-eixo (0001) +/- 0,5 °
Primária Plano Local (10-10)+/-0,5°
Comprimento Plano primária 32+/-1mm
Secundário Plano Local (1-210)+/-3°
Comprimento Plano secundário 16 +/- 1 milímetro
Resistividade (300K) >10^6Ω·cm
Densidade deslocamento <5×106cm-2
FWHM <=100arc.s
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Acabamento de superfície Superfície frontal: Ra <= 0,3 nm. Polido pronto para Epi
- Superfície traseira: 1. Terreno fino
- 2. Polido
Área Útil ≥ 90%

 

Substrato autônomo de GaN semi-isolado de 1,2 2″

Item PAM-FS-GaN50-SI
Tipo de condução Semi-isolante
Tamanho 2 "(50,8) +/- um milímetro
Espessura 400+/-50um
Orientação Eixo C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,35°+/-0,15°
Primária Plano Local (10-10)+/-0,5°
Comprimento Plano primária 16 +/- 1 milímetro
Secundário Plano Local (1-210)+/-3°
Comprimento Plano secundário 8 +/- 1 milímetro
Resistividade (300K) >10^6Ω·cm
Densidade deslocamento <5×106cm-2
FWHM <=100arc.s
TTV <= 15um
ARCO <=+/-20um
Acabamento de superfície Superfície Frontal: Ra<=0,3nm. Polido Epi-pronto
- Superfície traseira: 1. Terreno fino
- 2. Polido.
Área Útil ≥ 90%

 

2. XRD Rocking Curves-GaN Material-RELATÓRIO DE TESTE

Um relatório de teste pode mostrar a qualidade do wafer e a concordância entre a descrição e os dados dos wafers. Após o processo de fabricação, testaremos a caracterização do wafer:

* Testar a rugosidade da superfície do wafer por microscópio de força atômica;

* Teste de tipo de condutividade por instrumento de espectro romano;

* Testar a resistividade do wafer por equipamento de teste de resistividade sem contato;

* Teste a densidade do microtubo do wafer por microscópio polarizador.

Vamos limpar e embalar as bolachas em ambiente limpo de 100 classes após o teste. Se as qualidades dos wafers não atenderem às especificações personalizadas, retiraremos após o teste.

A largura total de meia altura (FWHM) é a largura da curva espectral medida entre esses pontos no eixo Y. O diagrama a seguir mostra as curvas de balanço XRD do material GaN testado:

XRD Rocking Curves of GaN Material

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