Substrato de GaN autônomo semi-isolante
Semi-insulating Freestanding GaN (Gallium Nitride) Substrate is mainly for RF device based on HEMT structure. Ganwafer, a semi-insulating freestanding GaN substrate manufacturer, has formed the manufacturing technology for freestanding GaN semi-insulating substrate wafer. The substrate wafer is for UHB-LED and LD. Our GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has low defect density and less or free macro defect density. More specification of GaN semi-insulating substrate, please see below:
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Especificação do Substrato de GaN Independente Semi-isolante
Substrato de Wafer GaN Semi-isolante de 1,1 4″
| Item | GANW-FS-GaN100-SI |
| Tipo de condução | Semi-isolante |
| Tamanho | 4″(100)+/-1mm |
| Espessura | 480+/-50um |
| Orientação | C-eixo (0001) +/- 0,5 ° |
| Primária Plano Local | (10-10)+/-0,5° |
| Comprimento Plano primária | 32+/-1mm |
| Secundário Plano Local | (1-210)+/-3° |
| Comprimento Plano secundário | 16 +/- 1 milímetro |
| Resistividade (300K) | >10^6Ω·cm |
| Densidade deslocamento | <5×106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.s |
| TTV | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabamento de superfície | Superfície frontal: Ra <= 0,3 nm. Polido pronto para Epi |
| - | Superfície traseira: 1. Terreno fino |
| - | 2. Polido |
| Área Útil | ≥ 90% |
Substrato autônomo de GaN semi-isolado de 1,2 2″
| Item | GANW-FS-GaN50-SI |
| Tipo de condução | Semi-isolante |
| Tamanho | 2 "(50,8) +/- um milímetro |
| Espessura | 400+/-50um |
| Orientação | Eixo C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo A 0,35°+/-0,15° |
| Primária Plano Local | (10-10)+/-0,5° |
| Comprimento Plano primária | 16 +/- 1 milímetro |
| Secundário Plano Local | (1-210)+/-3° |
| Comprimento Plano secundário | 8 +/- 1 milímetro |
| Resistividade (300K) | >10^6Ω·cm |
| Densidade deslocamento | <5×106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.s |
| TTV | <= 15um |
| ARCO | <=+/-20um |
| Acabamento de superfície | Superfície Frontal: Ra<=0,3nm. Polido Epi-pronto |
| - | Superfície traseira: 1. Terreno fino |
| - | 2. Polido. |
| Área Útil | ≥ 90% |
2. XRD Rocking Curves-GaN Material-RELATÓRIO DE TESTE
Um relatório de teste pode mostrar a qualidade do wafer e a concordância entre a descrição e os dados dos wafers. Após o processo de fabricação, testaremos a caracterização do wafer:
* Testar a rugosidade da superfície do wafer por microscópio de força atômica;
* Teste de tipo de condutividade por instrumento de espectro romano;
* Testar a resistividade do wafer por equipamento de teste de resistividade sem contato;
* Teste a densidade do microtubo do wafer por microscópio polarizador.
Vamos limpar e embalar as bolachas em ambiente limpo de 100 classes após o teste. Se as qualidades dos wafers não atenderem às especificações personalizadas, retiraremos após o teste.
A largura total de meia altura (FWHM) é a largura da curva espectral medida entre esses pontos no eixo Y. O diagrama a seguir mostra as curvas de balanço XRD do material GaN testado:
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!
